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51.
VDSM工艺下,芯片的高速、高集成度趋势使电磁耦合作用不客忽略;而电感效应的引入则使VLSI设计和验证变得复杂.利用HALO规则划分互连寄生电感交互作用域,将一类基于BP网络的并行导体电感计算方法(NNIE)应用于RLIE的环电感分段计算,提出一种快速获取布置于多层平行电源/地网络内的信号线上频变电感参数的方法.仿真结果表明该方法能有效实现电感参数估计,可作为片上关键线网设计的有效向导. 相似文献
52.
1.背景在高速发展的现代科学技术中,作为信息产业基础的集成电路IC(Integrated Circuit)技术在经济中的地位越来越重要。目前,IC产业已经成为国民经济增长的主要支柱。世界国民生产总值增值部分的65%与IC技术有关。它对国民生产总值的贡献是计算机产业的2倍,是钢铁产业的2000倍。过去四十年来,IC技术一直按Moore定律持续高速地发展,并有望继续保持十年以上。VLSI(Very-Large-Scale Integrated Circuits)作为现代IC技术的核心和基础,其发展速度远远超越了其它信息技术发展的速度。特征尺寸的持续减小使器件延迟在电路延迟中所占主导… 相似文献
53.
54.
朱子坤 《广东输电与变电技术》2007,(6):25-26
直流接地是变电站中经常发生、危害较大的一种故障现象,检出和排除直流接地故障是保证电力系统安全、稳定运行的必要条件,通过检查确定和排除了现场遇到的由于信号回路的寄生而引起的直流假接地现象,籍以引起同行的注意。 相似文献
55.
56.
前言 雷达的微波射频系统主要包括混频器、滤波器、放大器、天线等部分.其中放大器、混频器、T/R组件为脉冲器件测试的主要对象.这些关键部件会对雷达的脉冲调制信号造成影响,典型的信号恶化包含:信号过冲、定降、振铃及脉冲的寄生调制(UMOP)等. 相似文献
57.
58.
59.
提出了一种新的RF-CMOS晶体管在片测试结构寄生模型,模型综合考虑了射频/微波条件下RF-MOST器件在片测试结构中的各种寄生效应.模型考虑了PAD-互连金属、互连金属-DUT(device under test)之间的非连续性,对互连金属和基底之间的寄生效应单独进行了考虑.通过引入一个新的元件,对PAD结构基底感性损耗进行表征.模型最终应用到采用CSM(Chartered Semiconductor Manufacture Ltd)0.25 μm RF-CMOS工艺制造的测试结构寄生效应等效电路建模中,高达40GHz测试和仿真数据验证了模型的良好精度. 相似文献
60.