直流偏磁对变压器的影响

对江苏电网500kV变压器受到直流偏磁的影响所产生的问题进行分析，直流偏磁导致变压器噪声增加、变压器铁心过热、变压器温升增大，对电网安全运行极为不利。通过理论分析和实测数据计算，分析直流偏磁对电网设备的影响。     

三相单开关零电流Cuk型功率因数校正器的研究

提出了一种新颖的三相Cuk型高功率因数校正电路。在电路拓扑中采用三相全桥整流桥和单管功率开关实现高功率因数和低谐波电流输入；同时在中间储能电容(过渡电容)上串联一电感以及在续流二极管上并联一小电容，使得电路工作在复合谐振状态，从而获得零电流开关。文章分析了电路的工作原理，仿真验证了理论分析结果，同时一个2kW的试验电路验证了结论的正确性。该电路具有输出电压调节范围宽、功率因数和效率高等特点，具有很好的实用化前景。     

零电压开关多谐振三电平直流变换器的控制策略

零电压开关多谐振三电平直流变换器具有功率器件电压应力低、实现软开关范围宽、输出滤波器小的优点。该变换器的两只开关管采用相位差π脉冲频率调制的控制方式。该文将介绍交错控制方案的实现。在实际应用中由于控制电路和／或驱动电路有差异，使得两只分压电容不均压，该文提出一种均压方法，细微地调节开关管的关断时间，确保分压电容均压。论文最后给出实验结果，以验证上述方法的有效性。     

控制厚度分布的正反向超塑胀形的有限元分析

为研究正反向超塑胀形工艺对厚度分布的影响,应用商业有限元软件MARC对带有凹槽的深盒形7475合金零件正反向超塑胀形过程进行了有限元模拟,并对不同工艺条件下成形后零件的壁厚分布结果进行了分析.研究表明:正反向超塑胀形工艺是控制成形零件壁厚的有效途径,通过优化压力-时间曲线和反向胀形模具形状,明显改善了零件的厚度分布,达到了零件的设计要求;后处理直观地显示了该零件正反向超塑胀形的全过程,为成形提供了合理的方案;零件变形各阶段的应变速率控制在7475合金的应变速率范围内,证明压力-时间曲线设计合理.     

SDS系列电子水平仪常见故障及排除

若水平仪调零范围偏向一侧或调不出零位，可将水平仪置于已调好水平的平板上，量程开关置于Ⅱ档位置。顺时针旋转调零旋钮，直至数值不变记下该读数；然后逆时针旋转调零旋钮，直至数值不变记下该读数：将两次记录的数值的绝对值相加．即为该水平仪的调零范围。     

聚偏氟乙烯的多晶型及结晶行为的研究进展

详述聚偏氟乙烯(PVDF)五种晶型的结构特点,分析了各晶型之间的相互转化关系、引起转化的各种因素及分子内缺陷对结晶行为的影响.评述了近年来PVDF在应力场下熔融纺丝过程中的结晶行为、结晶形成机理以及纺丝条件对结晶结构的影响.     

天平灵敏度与臂差的综合调修及偏差量的计算

天平灵敏度,就是天平能觉察出放在秤盘上物体质量改变量的能力。天平所能觉察出来的质量改变量越小,则说明天平越灵敏。天平经过一段时间的使用后,都会产生灵敏度下降,臂差增大的现象。在计量性能调试中,灵敏度下降可归纳3种类型。一、空秤低、全秤高(即“吃线”倒感)如图1所示     

两种偏钛酸漂白工艺的对比

通过对偏钛酸铝粉漂白工艺和三价钛漂白工艺在原理、漂白后效果及经济成本方面的对比分析，阐明了三价钛漂白工艺优于铝粉漂白工艺。     

反偏籽晶晶向生长Φ2″HB-GaAs单晶

HB-GaAs ( 10 0 )片要偏离生长截面 5 4.7°～ 60°切割 (〈10 0〉和〈111〉之间的夹角是 5 4.7°)。如果籽晶方向与〈10 0〉之间的夹角少于 5 4.7°,称为反偏籽晶。而采用大于 5 4.7°角生长的单晶切割比较困难 ,尤其是厚度小于 3 0 0 μm的晶片。为了减少切割难度 ,可生长反偏籽晶的单晶 ,但要保证单晶能割出Φ2″( 10 0 )圆片 ,必须增加单晶锭的截面积。由于GaAs的热导率小 ,大截面单晶生长要困难得多。通过改变固液截面附近的加热元件结构 ,在特定方向加强了散热 ,延伸了温度梯度的线性范围 ,使用反偏籽晶 ,成功地生长了Φ2″HB GaAs单晶。和正偏籽晶单晶相比 ,这些单晶锭的切割破损率减少了 2 4% ,每 10 0mm长度出片数增加了 3 0 %。     

跨变台电力远程抄表系统的原理及应用

介绍了工频过零调制通信的基本原理，及以该技术为核心的远程抄表系统的应用。