BB. LJ系列流速记录仪的研制及应用

为满足缆道信号传输效率条件不同的测站要求,保证流速信号的可靠接收,安徽省水文局研制了BB.LJ系列流速记录仪。介绍了BB.LJ系列流速记录仪中流速测算、记录仪和水下编码信号源的原理、功能、技术特点,阐述了计算机和单片机技术,以及编、解码技术在水文仪器方面的应用。通过在安徽省10多个水文站的试用,论证了BB.LJ系列流速记录仪具有广泛的推广应用价值。     

浅谈贵溪冶炼厂岩土工程勘察的几点体会

总结了贵溪冶炼厂岩土工程勘察工作中的一些经验，提出了在勘察中容易出现的若干问题及其处理方法。     

以外供液氮替代膨胀机的深度冷冻循环

介绍空分制氮装置采用膨胀机循环与液氮循环的两种工艺流程及能量平衡 ,示出了两种循环的实例比较。指出外供液氮可以作为冷源替代膨胀机 ,且单耗低、操作更方便 ,设备维护量更小、氮气提取率更高     

EPON媒体接入控制的关键技术研究

文章简要介绍了基于以及太网的无源光网络（EPON）这种新型的接入网技术，将其与基于ATM技术的无源光网络（APON）的优缺点进行了比较，并对其媒体接入控制（MAC）的关键技术测距及上行接入进行了讨论，初步提出了光网络单元（ONU）的软、硬件实现方案。     

分形图像压缩的信源信道联合编码

本文针对分形图像压缩编码后所得各部分压缩数据的特点，分析了分形图像压缩各部分数据在传输中对传输信道干扰的敏感程度，并根据各部分数据对信道干扰的敏感程度的不同，提出了一种分形图像压缩的信源信道联合编码方法。仿真结果表明，采用所提出的分形图像压缩的信源信道联合编码方法后，分形图像压缩数据对传输信道的敏感程度降低，图像质量有较大提高。     

云南东川泥石流沟与非泥石流沟~(137)Cs示踪法物源研究

运用1 37Cs示踪法调查云南东川小江流域 6条泥石流沟、6条非泥石流沟和主河的泥沙来源。泥沙主要来源于冲沟侵蚀和滑坡崩塌堆积、坡耕地和草地。坡耕地和草地表层土壤1 37Cs平均含量分别为 0 9Bq m2 和1 98Bq m2 ,冲沟沟壁和滑坡崩塌堆积土体1 37Cs。作者通过 3种源地土体1 37Cs含量的比较 ,分析了细粒泥沙(<0 0 1mm)的来源。 6条泥石流沟冲沟侵蚀和重力侵蚀 (滑坡崩塌 )的相对产沙量变化于 90 2 %～ 1 0 0 % ,平均值为 95 1 % ,6条非泥石流沟的相对产沙量变化于 74 5 %～ 83 3% ,平均值为 78 9%。小江主河为 81 4 %。     

减少氮、磷流失的多目标控制排水模型

运用多目标决策技术,减少农田排水氮、磷输出,保持适宜作物生长的土壤含水量,探讨地表控制排水的控制时间。通过田间试验和SPSS回归模拟,应用均值土壤一维垂直入渗Philip公式计算累计入渗量,研究田间尺度降雨排水中氮、磷浓度的变化规律,拟合控制排水氮、磷浓度对数函数模拟方程。建立减少氮、磷流失和排涝、除渍的多目标控制排水模型,提出求解模型的非劣解和均衡解的方法。     

局部散射源参数估计的非线性算子方法

本文利用单次快摄数据的两个非线性算子估计局部散射源中心波达方向和角扩展,与多维参数搜索和其他低复杂性的局部散射源参数估计算法不同,非线性算子方法给出了单次快摄的局部散射源参数估计的闭式解,无需进行多维搜索和子空间分解。     

膜-粉末炭反应器净化微污染源水

采用膜-粉末炭反应器处理微污染源水的试验结果表明,该工艺对水中的有机物具有较好的净化效果,在水温《10℃的条件下,处理可生化性很低的三家店水库水时对CODMn的去除率仍保持在65%左右;工艺对CODMn、UV254、UV410的去除效果依次增强.     

Effect of epitaxial realignment on the leakage behavior of arsenic-implanted,as-deposited polycrystalline Si-on-single crystal Si diodes

When dopants are indiffused from a heavily implanted polycrystalline silicon film deposited on a silicon substrate, high thermal budget annealing can cause the interfacial “native” oxide at the polycrystalline silicon-single crystal silicon interface to break up into oxide clusters, causing epitaxial realignment of the polycrystalline silicon layer with respect to the silicon substrate. Anomalous transient enhanced diffusion occurs during epitaxial realignment and this has adverse effects on the leakage characteristics of the shallow junctions formed in the silicon substrate using this technique. The degradation in the leakage current is mainly due to increased generation-recombination in the depletion region because of defect injection from the interface.