金刚石膜在真空电子器件输出窗中的应用

综述了金刚石膜的性能和制备方法，着重介绍丁国内外常用的封接工艺，讨论了该材料在mm波器件中的应用前景。     

电子产品研制阶段可靠性增长试验研究

结合工程实际经验,深入讨论了可靠性增长过程及实现途径,在保持试验条件和改进过程不变的条件下,实施了对具体型号电子产品的可靠性增长试验,达到了预期的可靠性增长目标,并且利用可靠性增长试验的数学模型(AMSAA模型)来评估产品的可靠性增长,对开展可靠性增长与可靠性增长试验工作具有重要的实际意义.     

Electronic properties of magnetically doped nanotubes

Effect of doping of carbon nanotubes by magnetic transition metal atoms has been considered in this paper. In the case of semiconducting tubes, it was found that the system has zero magnetization, whereas in metallic tubes the valence electrons of the tube screen the magnetization of the dopants: the coupling to the tube is usually antiferromagnetic (except for Cr).     

聚硅烷的电子特性及非线性光学材料

综述了聚硅烷的电子结构、光吸收特性。重点介绍了聚硅烷在非线性光学材料中的研究与应用。     

电力电子的绿色变换技术与绿色电源的发展

电力电子技术应用日益广泛,同时也带来严重的谐波污染和电磁干扰。本文介绍了电力电子在电磁兼容和谐波抑制方面的绿色变换技术。同时还就绿色电源产业的形成和绿色电源产品要求作了简要说明。     

一种基于PWM的电压输出DAC电路设计

对实际应用中的脉宽调制(PWM)波形的频谱进行了理论分析．指出通过一个低通滤波器可以把PWM调制的数模转换信号解调出来．实现从PWM到DAC的转换。论文还对转换误差产生的因素进行了分析，指出了减少误差的方法，论文给出了两种从PWM到0～5V电压输出的电路实现方法，第2种电路具有很高的转换精度。     

基于SOI的双极场效应晶体管

在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后，介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出，又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)，同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流，可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET，分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较，由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应，使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。     

黑龙江省电子政务建设及思考

黑龙江省电子政务"王"字型广域网络结构采用MPLSVPN技术,解决了网络互联互通、允许内部IP地址重复问题,为推广网上应用系统实现信息共享奠定了良好的基础;反思了黑龙江省电子政务建设的一些做法,为兄弟省电子政务建设提供一些可借鉴的模式。     

MOCVD生长薄膜材料制作半导体可饱和吸收镜

介绍了当前国际上流行的用半导体可饱和吸收镜来对固体激光器、光纤激光器和半导体激光器进行被动锁模的方法,阐述了半导体可饱和吸收镜用来作为被动锁模吸收体的原理,并介绍了如何利用金属有机气相淀积(MOCVD)技术生长各种波长激光器所需要的半导体可饱和吸收镜.     

异步DS-CDMA系统中基于矩阵点除算法的DOA估计

针对异步DS-CDMA系统中的多用户环境,本文提出了一种低复杂度的DOA估计算法——矩阵点除算法。该算法通过对感兴趣信息的逐次分离,实现了DOA的逐路径估计。算法具有两方面显著优势:(1)克服了传统的DOA估计算法在路径总数大于天线阵元数时不能工作这一缺陷:(2)避免了计算复杂的特征值分解运算,大大降低了算法复杂度。仿真实验验证了算法的有效性。