全文获取类型
收费全文 | 31667篇 |
免费 | 3586篇 |
国内免费 | 1673篇 |
专业分类
电工技术 | 9743篇 |
技术理论 | 1篇 |
综合类 | 2909篇 |
化学工业 | 1196篇 |
金属工艺 | 722篇 |
机械仪表 | 2196篇 |
建筑科学 | 1324篇 |
矿业工程 | 846篇 |
能源动力 | 788篇 |
轻工业 | 288篇 |
水利工程 | 554篇 |
石油天然气 | 555篇 |
武器工业 | 483篇 |
无线电 | 8645篇 |
一般工业技术 | 1390篇 |
冶金工业 | 567篇 |
原子能技术 | 301篇 |
自动化技术 | 4418篇 |
出版年
2024年 | 115篇 |
2023年 | 447篇 |
2022年 | 720篇 |
2021年 | 941篇 |
2020年 | 988篇 |
2019年 | 783篇 |
2018年 | 610篇 |
2017年 | 903篇 |
2016年 | 1068篇 |
2015年 | 1202篇 |
2014年 | 2059篇 |
2013年 | 1770篇 |
2012年 | 2355篇 |
2011年 | 2485篇 |
2010年 | 1979篇 |
2009年 | 1936篇 |
2008年 | 1896篇 |
2007年 | 2305篇 |
2006年 | 2078篇 |
2005年 | 1707篇 |
2004年 | 1460篇 |
2003年 | 1301篇 |
2002年 | 1040篇 |
2001年 | 932篇 |
2000年 | 822篇 |
1999年 | 567篇 |
1998年 | 395篇 |
1997年 | 363篇 |
1996年 | 353篇 |
1995年 | 282篇 |
1994年 | 256篇 |
1993年 | 178篇 |
1992年 | 149篇 |
1991年 | 108篇 |
1990年 | 83篇 |
1989年 | 82篇 |
1988年 | 70篇 |
1987年 | 26篇 |
1986年 | 18篇 |
1985年 | 18篇 |
1984年 | 22篇 |
1983年 | 13篇 |
1982年 | 11篇 |
1981年 | 4篇 |
1980年 | 9篇 |
1979年 | 2篇 |
1978年 | 2篇 |
1977年 | 3篇 |
1956年 | 1篇 |
1951年 | 3篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
61.
介绍了替代进口梳棉机测厚传感器集成电路分立元件的电路图,工作原理及特点。一年多的实际运行证明,电路参数达到了设计要求。 相似文献
62.
本文研究了有新颖容性合并电路的MHD发电机在法拉第联接下输出特性,指出由于新颖容性合并电路具有工作点可调性,在合理的参数匹配下有平稳的输出特性;从而提出了含补偿电源的容性合并电路和MHD发电机外斜连方案。该方案具有斜连发电机的特征,又具有法拉第发电机高焓取出的优点,而且可减小阴极导电渣对发电机寿命的影响,是一种有发展前景的功率调节器方案。 相似文献
63.
刘崇新 《微电子学与计算机》1996,13(6):9-11
本文提出了以电流跟随器CF为基本电路元件的全集成MOSFET-C精确连续时间六阶低通滤波器电路,并应用PSPICE-Ⅱ通用模拟电路程序,对其幅频特性和相频特性进行了计算机仿真分析,得出了实用的结论。 相似文献
64.
我国企业在信息化建设过程中取得了一些成果 ,也出现了不少问题 ,本文主要针对这种现状 ,指出了企业存在的一些问题 ,并就信息系统开发、维护和集成 ,提出了一些建议。 相似文献
65.
声表面波滤波器的匹配电路设计 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了通过测试仪器采集的声表面波(SAW)滤波器的Sij(i,j=1,2)参数来优化匹配电路的方法。首先将采集的Sij(i,j=1,2)参数转换为SAW滤波器Yij(i,j=1,2)参数,然后建立新的S12(或S21)参数与匹配电路的依赖关系,通过优化匹配电路元件值,而使滤波器的插入损耗和通带波动满足目标值,该方法的主要优点是考虑整个通带特性,而不是考虑通带内的某一点(如中心频率)。 相似文献
66.
本文阐述了真空断路器用RC保护装置的原理。分析了用RC保护装置保护电力系统及其设备的试验结果。RC保护装置主要参数的选择。最后,讨论了有关RC保护装置的一些问题。 相似文献
67.
本文提出励磁电流可自动控制的他励式双高调速系统设计方案。系统在提升特别是在下放重物时,具有较硬的机械性;在负载10-100%的变化范围内,可实现最大偏差Δnmax/nmin100%≤10%,调速范围D≥10;在满载运行条件下,可节约电能80%以上。 相似文献
68.
CCD器件已经广泛地应用于各个研究领域中 ,对其信号的具体处理方法是各种各样的。我们针对所研究的对象采取了一定的降低噪声的措施 ,取得了较好的结果 ,本文将对此进行阐述 相似文献
69.
P Sallagoity F Gaillard M Rivoire M Paoli M Haond S McClathie 《Microelectronics Reliability》1998,38(2):700
This paper presents Shallow Trench Isolation (STI) process steps for sub-1/4 μ CMOS technologies. Dummy active areas, vertical trench sidewalls, excellent gap filling, counter mask etch step and CMP end point detection, have been used for a 0.18 μm CMOS technology. Electrical results obtained with a 5.5 nm gate oxide thickness show good isolation down to 0.3 μm spacing. Good transistor performances have been demonstrated. 相似文献
70.