一种全MOS管结构低压低功耗电压基准源的设计

提出了一种全MOS管结构的低压低功耗电压基准源,他利用一个工作在亚阈值区的MOS管具有负温度特性的栅-源电压与一对工作在亚阈值区的MOS管所产生的具有正温度特性的电压差进行补偿.电路采用标准的0.6 μmCMOS工艺设计,已成功应用于一个低压差线性稳压器(LDO)中,具有优良的温度稳定性,在-40～ 120 ℃范围内能达到37.4 ppm/℃,并可以在供电电压为1.4～5.5 V下工作,其总电流仅为4 μA.     

IP承载网指标与话音质量MOS的相关性研究

文章从VoIP的IP承载网性能的角度对移动电话语音质量的影响问题进行研究。首先分析并评估了承载网和语音质量的各种性能指标,确定了承载网影响语音质量的关键因素;然后对现网进行大量测试分析,提出了承载网性能与语音质量相关性的算法,为移动运营商今后的质量体系建设和预警分析提供了一定的依据。     

Changes in effective work function of HfxRu1−x alloy gate electrode

Effective work function (?_m,eff) values of Hf_x Ru_1−x alloy gate electrodes on SiO₂ metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors were carefully examined to assess whether the ?_m,eff was determined by the crystalline structure or the composition of the Hf_xRu_1−x alloy. X-ray diffraction results indicated that the crystalline structures of Hf_xRu_1−x alloy were divided into hexagonal-Ru, cubic-HfRu or hexagonal-Hf with the increase of Hf content. The ?_m,eff values could be controlled continuously from 4.6 to 4.0 eV by changing the Hf content. The experimental ?_m,eff value showed a good agreement with theoretical results considering the compositional ratio of pure Hf and Ru. These results suggest that the ?_m,eff of Hf_xRu_1−x alloy gates on SiO₂ MOS capacitors is dominantly determined by the Hf_xRu_1−x composition rather than the crystalline structure.     

双极场引晶体管:IV.短沟道飘移扩散理论（双MOS栅纯基）

本文描述双极场引晶体管(BiFET)短沟道解析理论,用解析理论分别计算飘移扩散电流.上月文章用单项电化电流描述飘移扩散电流.正如那篇文章里,两维晶体管分成两个区域,源区和漏区.每区在特定外加端电压下既可为电子或空穴发射区又可为电子或空穴收集区.把两维无缺陷Shockley方程分离为两个以表面势为参变量的一维方程,并运用源区和漏区界面处电子电流和空穴电流连续性,得到在源区和漏区内解析方程.典型BiFET包括薄纯基上两个等同金属氧化物硅(MOS)栅.用图形提供实用硅基和氧化层厚度范围内,随直流电压变化,输出和转移电流和电导总量,电子沟道与空穴沟道飘移扩散分量,和两区电学长度.描述两区短沟道理论相对一区长沟道理论偏差.     

基于单神经元自适应PID控制的高压断路器永磁直线伺服电机操动机构的研究

高压断路器永磁直线伺服电机操动机构采用直线电机驱动断路器操作杆,带动机构运动,实现分合闸操作,具有良好的快速响应能力及控制性能.该伺服系统采用数字式双闭环控制,内环为电流环,采用PI控制,外环为速度环,采用单神经元自适应PID控制,通过建立直线伺服电机操动机构控制系统仿真模型,详细分析了单神经元自适应PID控制算法以及数学模型,并建立了以输出误差二次方为性能指标的单神经元自适应PID控制器模型.并分别用传统PID与单神经元PID控制算法,对高压断路器触头运动特性控制过程进行了仿真.结果表明,单神经元自适应PID控制器能够较好的实现触头速度的跟踪控制,使其按理想运动特性曲线运动,实现最优操作,该算法是一种较理想、有效的控制方法.     

免疫调节增益的单神经元PID控制器

针对单神经元PID控制中学习速度较慢,动态响应时间长等问题,提出了免疫调节增益的单神经元PID控制器.将T细胞免疫调节机理与单神经元PID控制算法相结合,以提高单神经元PID控制器的学习速度,缩短动态响应时间,改善单神经元PID控制器的性能.仿真研究了免疫调节增益的单神经元PID控制器的定值跟踪性能和抗干扰性能以及直流电机伺服控制性能.仿真实验结果表明,这种新的控制算法学习速度快,动态响应时间短,具有较强的自适应性和鲁棒性,其控制性能优于单神经元PID控制.     

球磨机多模型PID型神经元网络控制系统

针对球磨机制粉系统的多变量、强耦合、非线性、时变性等特点,提出了采用基于PID型神经元网络的多模型控制方法,在不同工况下系统的时变特性采用多个模型进行描述,而每个模型的控制器则采用PID型神经元网络进行解耦控制。通过在线计算模型匹配程度,选择相应的模型和控制器,组成闭环系统,切换算法实现多模型间无扰切换,同一工况慢时变采用控制器参数自调整来提高鲁棒性。PID型神经元网络是一种特殊的3层前向神经网络,其隐层单元分别为比例(P)、积分(I)和微分单元(D),各层神经元个数、连接方式、连接权值的初值按PID控制规律确定。仿真结果表明,文中提出的控制方法相比传统控制方法有更好的控制品质,跟踪快、鲁棒性强、解耦好,较好地解决了球磨机系统的时变性、耦合性等问题。     

基于SET/MOS混合结构的译码器电路的设计

基于SET的I-V特性以及SET与MOS管互补的特性,以MOS管的逻辑电路为设计思想,首先提出了一个SET/MOS混合结构的反相器,进而推出或非门电路,并最终实现了一个唯一地址译码器.通过SET和MOS管两者的混合构建的电路与纯SET实现的电路相比,电路的带负载能力增强;与纯MOS晶体管实现的电路相比,电路同样仅需要单电源供电,且元器件数目得到了减少,电路的静态功耗大大降低.仿真结果验证了电路设计的正确性.     

基于红外景像生成器NUC的像元能量分析

红外MOS电阻阵列是红外景像生成器中的关键元件,由于微加工工艺过程中存在的不定性导致电阻阵中每个像元的V-T曲线之间存在微小的差异,这种像元之间的差异表现为"固定图像"噪声(也就是非均匀性).非均匀性极大地影响了红外景象生成器的图像生成质量,为了真实的展现出实物的红外图像,在实时景像生成之前,必须对电阻阵进行非均匀性校正,其中对从电阻阵上像元能量的采集分析是最为关键的一个环节.对在测量MOS电阻阵时可能出现的干扰因素进行了深入的探讨与研究,并提出对应的像元能量分析方法.试验表明,该方法较好的解决了数据采集中的干扰因素,在实际运用中取得了令人满意的效果.     

模糊单神经元混合控制的轧机扭振抑制研究

在轧机轧制过程中,运行工况的变化可能诱发扭振,严重影响轧机轴系的安全.通过分析轧机扭振产生的原因,针对传统PI控制方式对轧机扭振抑制的不足,提出采用模糊单神经元混合控制的方法,在误差较大的情况下采用模糊控制,加快系统的动态响应速度,在误差较小的情况下采用单神经元控制,提高系统的稳态精度,从而达到对轴系扭振进行抑制的目的.