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31.
仲红艳 《微机发展》2006,16(11):59-61
轻量级容器的解耦模式被称为“控制反转”或者“依赖注入”,组件之间的依赖关系由容器(运行环境)在运行期决定,从而在相当程度上降低了组件之间的耦合。该文详细论述了这种解耦模式的原理,以及依赖注入的3种主要形式,并且对几种形式进行了对比总结。  相似文献   
32.
指纹考勤管理软件的研究与实现   总被引:2,自引:0,他引:2  
齐金平  孟建军  蒋兆远 《信息技术》2003,27(10):70-72,76
针对企、事业单位原有的考勤系统,如打卡钟、磁卡、IC卡等考勤方式存在代打卡、卡丢失等不足和缺陷的实际,结合指纹识别技术,建立一套考勤、薪资、人事管理于一体的软件系统。给出了系统的体系结构和功能实现,能使企业考勤管理更加简便快捷、客观公正。并提出了进一步的发展方向和展望。  相似文献   
33.
稠油蒸汽吞吐过程中加热半径与井网关系的新理论   总被引:8,自引:4,他引:4  
综合评价了稠油蒸汽吞吐过程中加热半径计算的3种经典模型,并推导出了稠油蒸汽吞吐过程中最大加热半径计算公式,首次采用Buckley-Leverret方程计算了热水带的加热半径,其结果与油田开发实际符合较好.同时,首次提出了稠油蒸汽吞吐在多轮次加热过程中的一种新理论:在1~4周期蒸汽起到了扩大加热半径的作用,随着周期增多而加热前缘向外扩展作用减小,蒸汽主要起重复加热油层的作用.本文导出的新模型公式及提出的新理论,对于不同类型稠油油藏蒸汽吞吐的井距设计具有一定的借鉴意义.  相似文献   
34.
高效的模式匹配算法研究   总被引:7,自引:0,他引:7  
对入侵检测中模式匹配的方法进行了研究,分析了当前常用的模式匹配方法的弱点与不足,提出了一种基于三叉树结构的自动机方法,较好的避免了传统树型结构中由于节点数目变化而导致的不便。此外,利用匹配失败的信息,实现了跳跃匹配,提高了模式匹配的速度。*  相似文献   
35.
泌阳凹陷北部斜坡复杂断块群油田以断鼻、断块及断层+岩性油气藏为主,垂向含油层系多,平面上叠合连片,油气主要富集在鼻状构造主体部位的断鼻断块内。通过对研究区油气控制因素的分析,指出继承性的鼻状构造控制了油气聚集方向和富集程度,油气藏含油范围和油气藏高度则主要受断层封闭性和封闭程度的控制,油气分布规律受伸展构造所伴生的各种断块群构造型式的控制。  相似文献   
36.
求解二维结构-声耦合问题的一种直接方法   总被引:1,自引:1,他引:0  
向宇  黄玉盈  马小强 《振动与冲击》2003,22(4):40-44,31
本文基于传递矩阵法(TMM)和虚拟边界元法(VBEM),提出了一种求解在谐激励作用下二维结构-声耦合问题的直接法。文中对任意形状的二维弹性环建立了一阶非齐次运动微分方程组,便于用齐次扩容精细积分法求解,对于含有任意形状孔穴的无穷域流体介质的Helmholtz外问题,采用复数形式的Burton-Miller型组合层势法建立了虚拟边界元方程,保证了声压在全波数域内存在唯一解。根据叠加原理并结合最小二乘法,提出了一种耦合方程的直接解法,由于该方法不存在迭代过程,因而具有较高的计算精度和效率。文中给出了二个典型弹性环在集中谐激励力作用下声辐射算例,计算结果表明本文方法较通常采用的混合FE/BE法更为有效。  相似文献   
37.
露天多段深孔微差爆破孔网参数优化设计   总被引:2,自引:0,他引:2  
于治斌  李坚  高波 《爆破》2003,20(2):24-25,28
本文对露天多段深扎微差爆破孔网参数进行了优化,使每排炮扎成直线排列,两排之间成交替正三角形排列,优化设计后,爆破作用比较均匀,大块率下降了56%,同时,爆破根底产生的机会和程度也大大下降。  相似文献   
38.
玻璃微珠的表面化学镀银及红外辐射性能研究   总被引:6,自引:1,他引:5  
采用化学镀方法在玻璃微珠表面镀银,考察了预处理条件、反应温度和反应时间等因素对玻璃微珠表面镀银的影响,并通过扫描电镜和X-射线衍射分析仪,对镀银后玻璃微珠的表面形貌和结构进行了观察和表征。将镀银玻璃微珠用于涂料中,考察了玻璃微珠在涂料中的应用及其红外辐射率的变化,探讨了化学镀条件对涂料红外辐射率的影响,结果表明,在控制反应温度和浓度的条件下,可使镀银玻璃微珠的红外辐射率由原来的1.02降为0.70,将其应用于涂料后,涂层的红外辐射率为0.80。  相似文献   
39.
速度分析是地震资料处理过程中的重要一环。速度分析的质量直接影响动静校正,继而影响叠加成像以及偏移归位。针对如何优化速度分析,提出了基于道集资料噪音衰减、道集内相位时差校正、道集优化处理以及速度拾取应用约束等过程的优化速度分析方法。该方法在实际资料处理中取得了很好的效果。  相似文献   
40.
不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性   总被引:1,自引:1,他引:0  
在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.  相似文献   
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