低碳低合金双相钢低温时效机理探讨

探讨了不同合金元素的双相钢（Ｆ＋Ｍ）经不同时效工艺处理后铁素体精细结构、显微组织变化及其对力学性能的影响，结果表明，双相钢低温时效（≤７０℃）后铁素体的显微硬度时效曲线有硬度峰，这是由于铁素体中淬火空位迁移，并且聚集成位错圈，构成点阵障碍。这种点阵缺陷阻碍了可动位错的滑移，造成了摩擦硬化，宏观力学性能上表现为硬度升高，σｂ，σｓ上升。     

LD10合金滚压强化层的TEM分析及其强化机制探讨

本文利用金属薄膜透射电子显微术和X线应力测定对固溶处理及人工时效LD10合金的液压强化层进行逐层分析,了解其滚压强化机制的实质。分析结果:(1)LD10合金滚压后的表面层内存在残余压应力,虽然滚压力的变化不改变强化层的表面硬度,但能影响强化层的深度;(2)强化层内只有少量位错线,无位错缠结和胞状结构;(3)LD10合金表面层的强化效应受Mott—Nabarro机制所控制。     

氮化镓材料中的位错对材料物理性能的影响

氮化镓材料中的位错是制约GaN发光器件及电子器件的性能的一个关键因素。目前对于氮化镓材料中的位错的研究是一大热点。扼要综述了位错对于材料及器件的物理性能的影响：非辐射复合作用、造成器件的漏电流、缩短器件的寿命。并简要介绍了减少GaN外延层中的位错密度的几种方法。     

滚轧直螺纹钢筋接头强度提高机理的研究

对滚轧直螺纹钢筋接头强度提高机理———形变强化原理作较详尽的阐述 ,供广大建筑施工界人士了解     

较大直径、低位错锑化铟单晶的研制

本文简要介绍了用ＴＤＫ－３６单晶炉拉制的较大直径（φ＝２５ｍｍ）、低位错（＜１００ｃｍ￣（－２））的锑化铟单晶的理论和实践。通过对晶体生长室内温场，特别是内外坩埚尺寸的调整及对循环水流量的控制，成功地拉制出较大直径、低位错的锑化铟单晶。     

影响碲镉汞晶体电子迁移率的主要因素

通过把迁移率的实测值与影响ＨｇＣｄＴｅ晶体电子迁移率的主要散射机构进行对比，得出结论：位错是ＨｇＣｄＴｅ晶体低温电子迁移率降低的主要原因。     

GaAs单晶LEC生长技术的最新进展

论述了国外晶体生长学者为了降低ＧａＡｓ单晶位错密度对ＬＥＣ技术所作的重大改进工作；介绍了ＬＥＣ技术的进展状况。     

激光冲击处理提高铝合金性能的研究

研究了高功率密度激光冲击处理对Ｌｙ１２ＣＺ铝合金力学性能的影响，研究结果表明激光冲击处理可大幅度提高铝合金的疲劳寿命，疲劳寿命的提高是由于微观组织中位错密度的明显增加，使得材料表层的强度和硬度也明显增加所致。     

稀土元素在有色金属合金中的形态、功能及稀土耐磨铜合金研制的初探

本文就稀土元素在有色金属合金中的孕育与变质作用予以论述，并根据这一理论试制了稀土耐磨铜合金、以证明稀土元素在有色金属合金中能使晶粒细化．有提高合金耐磨强度，改善机械加工性能的功能。