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91.
《变频器世界》2012,(1):40-40
礼炮齐鸣,礼花齐放。祥龙送福,万事如意。2011年11月29日,山东新风光电子产业园在汶上县经济开发区正式奠基。济宁市领导周洪、闫百川、兖矿集团董事长王信、新风光公司领导及中国工程院院士汪生先生等出席奠基仪式。  相似文献   
92.
正2014年2月19日,VishayIntertechnology,Inc.宣布,发布采用小尺寸3.85mm×3.85mm×2.24mm顶视SMD封装的新款850nm红外发射器—VSMY98545,扩大其光电子产品组合。VSMY98545基于SurfLight TM表面发射器芯片技术,集成镜片,具有高驱动电流、高发光强度和高光功率,同时具有低热阻。VSMY98545使用42mil×42mil发射器芯片,结到管脚的热阻为10K/  相似文献   
93.
《光机电信息》2009,26(8):55-55
长春希达电子技术有限公司是中科院长春光学精密机械与物理研究所控股,集科研、开发、生产、销售、研究生培养为一体的高新技术企业,是中国光学光电子行业协会发光二极管显示应用分会常务理事单位。长春希达拥有一支以国家级专家为核心的高级人材队伍.现有研究员5名、博士生导师4人,具有博士学位和硕士学位的几十人。中国科学院“电路与系统”博士、硕士点设在长春希达,现有在读博士、硕士研究生30余人。  相似文献   
94.
陈创天男,1937年出生,浙江奉化人,国际知名的晶体材料科学家,中国科学院理化技术研究所研究员,博士生导师。现任北京人工晶体研究发展中心主任,国家“973计划“项目(2006~2010)  相似文献   
95.
《光机电信息》2009,26(4):57-57
2008年末,在北京召开的“中国光学光电子行业协会激光分会换届会议及中国光学光电子行业协会第七届会员代表大会”上,新产业公司被选举为中国光学光电子行业协会激光分会副理事长单位、中国光学光电子行业协会理事单位。  相似文献   
96.
采用高温固相法制备(Sr1-xMex)1.95SiO4:0.05Eu系列荧光粉,研究不同大(Ba2+)、小(Mg2+)半径离子基体固溶对其物相、发光中心配位结构、Eu离子价态的影响,探究其光谱精细调控机制。Sr2SiO4粉末中随着温度升高α-Sr2SiO4相增加、β-Sr2SiO4相减少;Mg2+ (小半径离子)掺杂可以提高α-Sr2SiO4相稳定性,但容易出现Mg2SiO4,粉末中始终为混合物;Ba2+ (大半径离子) 掺杂可以提高α-Sr2SiO4相稳定性,粉体发生β-Sr2SiO4+α-Sr2SiO4→α-Sr2SiO4→α-Sr2SiO4+Ba2SiO4→Ba2SiO4转变,且β-Sr2SiO4、α-Sr2SiO4、Ba2SiO4的顺序其Si–O–Me(I)–O–Me(II)链逐渐由锯齿状变为平直状、Me-O键长拉长。Eu离子激活的β-Sr2SiO4、α-Sr2SiO4、Ba2SiO4粉体在254nm(365nm) 激发下有明亮的绿色荧光发射(且依序强度增强、光谱整体略微蓝移)和微弱的红光发射;当光学基体发生β-Sr2SiO4→α-Sr2SiO4转变时,发射光谱中Eu2+(I)蓝移Eu2+(II)红移(Si–O–Sr(I)–O–Sr(II)由锯齿形链成为平链,且Sr-O键拉长),发生α-Sr2SiO4→Ba2SiO4转变则Eu2+(I)、Eu2+(II)均发生蓝移(仅发生Me-O键拉长);三种粉体热释光谱中均存在Eu2+和Eu3+缺陷能级,且Eu2+缺陷浓度更高。Eu3d的精细x射线光电子谱表明随着β-Sr2SiO4→α-Sr2SiO4→Ba2SiO4转变其Eu离子以Eu2+存在的可能性增大,对应的电子顺磁共振也证实这一结果。由此可见,采用Ba2+离子固溶掺杂Sr2SiO4,可在一定浓度范围得到单相粉末,实现光学基体的β-Sr2SiO4→α-Sr2SiO4→Ba2SiO4相变,调控Si–O–Me(I)–O–Me(II)链型及Me-O键长,调节Eu离子价态和配位场,进而实现其绿色荧光粉荧光强度、发射波段精确调控。  相似文献   
97.
利用胶体二氧化硅在胺的辅助下对硅片进行抛光是微电子工业中的一种典型制造工艺,其动力学过程仍然不清楚。研究了在硅抛光中加入不同浓度乙二胺(EDA)对抛光速率的影响,结果表明EDA浓度提高时,硅的抛光速率逐渐增大,并且在质量分数5%时增加74.5%。为了揭示其中的作用机理,对EDA和Si在水中的电离性质作了分析,对硅片表面在EDA碱性溶液中的接触角以及Si经过EDA溶液浸泡后的表面作了X射线光电子能谱(XPS)测试,进一步采用基于反应力场的分子动力学模拟了动态反应过程。分析表明EDA和硅片表面不仅有强烈的库仑吸附作用,且Si和EDA通过Si-N进一步形成化学键,其中EDA中的N原子与硅表面原子能形成两种结构,使附近的Si-Si和Si-O键极化。基于这些测试,最终解释了硅在含有EDA碱性抛光液中的抛光动力学过程,此作用机制可为硅衬底加工的抛光液研制提供一定的技术指导。  相似文献   
98.
憎水迁移性作为复合绝缘子状态评价和老化程度判断的关键参数,有着重要的研究意义。为此,以在我国南方地区运行多年的直流复合绝缘子为研究对象,采用静态接触角法进行了系统的憎水迁移性测试,同时应用傅里叶变换红外光谱和X射线光电子能谱分析深入探究了硅橡胶材料的微观结构变化。研究结果表明:绝缘子伞裙上表面的边沿憎水迁移性最差,根部憎水迁移性最好,绝缘子不同方位的憎水迁移性也有所差异;老化最为严重的边沿褪色位置有机官能团含量大幅下降,Si元素和C元素减少、Al元素增加,并且检测出硅橡胶体系交联度的明显上升。上述憎水迁移性以及微观分析的研究结果可为直流复合绝缘子老化机制和老化程度评估提供依据。  相似文献   
99.
<正>南开大学电光学院平板显示与混合信号集成电路设计研究室成立于2013年8月份,隶属于南开大学,教育部光电信息科学重点实验室,教育部光电子工程中心和光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室。由原来的南开大学光电子薄膜器件与技术研究所硅基微显示课题组和南开大学微电子工程系共同组成,专业方向为硅基微显示器件、微纳电子器件和数模混合集成电路设计。从1998年开始,该研究室在教育部和天津市科委支持下,在孙钟林先生的带领下,率先在国内开展了LCoS微显示技术的研究,  相似文献   
100.
罗松  郑琼彬  揭晓华 《表面技术》2016,45(10):34-39
目的在碳钢表面制备阳极氧化膜,探讨阳极氧化膜的成分组成。方法采用恒电流阳极氧化法在含0.1 mol/dm~3 NH_4F和0.5 mol/dm~3 H_2O的乙二醇电解液中,于45#钢表面制备阳极氧化膜。通过SEM、EDS、XPS、Raman、IR、动电位极化测试等技术手段表征所制备的阳极氧化膜。结果所获阳极氧化膜外观为黄色。电流密度为1 A/dm~2时,氧化膜局部区域出现彩虹色;电流密度为1.5 A/dm~2时,氧化膜颜色较均匀。随着氧化时间的增加,氧化膜颜色变深。阳极氧化膜表面具有特征图案。EDS分析发现,阳极氧化膜中存在Fe、O、C。XPS分析进一步表明,阳极氧化膜中还含有F元素。Fe2p XPS谱的各项数据均与α-Fe_2O_3的较为吻合。拉曼分析表明,电流密度为1.5 A/dm2的阳极氧化膜的拉曼光谱的峰的数量多于电流密度为1 A/dm~2的。所有氧化膜的拉曼光谱均在1400 cm~(-1)附近有峰出现,此峰对应于α-Fe_2O_3。700 cm~(-1)处的峰对应于FeOOH。红外光谱分析表明,所有阳极氧化膜的红外光谱波形一致,在700~400 cm~(-1)之间出现振动,540、514、482 cm~(-1)附近的吸收峰归属于Fe_2O_3的振动带,604、672 cm~(-1)的吸收峰归属于FeOOH。极化测试表明,经阳极氧化处理后,自腐蚀电位上升,自腐蚀电流密度降低。结论碳钢能够在乙二醇体系电解液中生成黄色阳极氧化膜。电流密度和氧化时间对膜的颜色有影响。膜表面具有特征图案。阳极氧化膜主要含Fe、O、F等元素。Fe元素以Fe(Ⅲ)的化学态形式存在于阳极氧化膜中。阳极氧化膜中氧化物主要为α-Fe_2O_3,FeOOH也存在其中。阳极氧化处理后的试样的耐蚀性较处理前有所提升。  相似文献   
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