昆明物理研究所2013年研究生招生简章

昆明物理研究所始建于1958年,是国内最早从事红外科学与技术研究的高新技术研究所之一,隶属于中国兵器工业集团公司。所区本部占地156亩,位于昆明市五华区,光电子产业基地占地250亩,位于昆明市经济技术开发区,两区建筑面积12万平方米,资产总额10亿余元。现有在职员工千余人,围绕红外热成像技术     

X射线光电子能谱在材料表面研究中的应用

通过阐述XPS测试原理及工作特点,讨论其在材料表面研究中的具体应用。通过光电子谱峰位置、形状和强度,可以分析元素价态、含量。角分辨XPS可以检测超薄样品表面的化学状态,成像XPS可以显示样品表面的元素和价态分布,从而进行微区分析。利用氩离子刻蚀进行深度剖析,可以研究样品化学状态随深度的变化关系。     

掺杂改性废催化裂化平衡剂的光催化脱氮性能研究

采用磁搅拌法制备了锶掺杂改性废催化裂化平衡剂,利用XRD、DRS、XPS和SEM等手段对其进行表征,并以模拟含氮油品为目标降解物,在可见光下评价其光催化脱氮性能。结果表明,锶掺杂废催化裂化平衡剂对模拟油品中的吡啶表现出良好的可见光脱氮效果。当Sr掺杂浓度为0.5mol/L,催化剂用量为0.05g,焙烧温度为400℃,焙烧时间5h,在可见光下光照2.5h,对质量浓度为100 ug/g的模拟油品的脱氮率可达92.0%。     

D+注入Li4SiO4的表面化学状态及其热解吸行为

锂陶瓷氚增殖剂的氢同位素行为是聚变堆固态产氚包层关心的重要课题。本文将3 keV D⁺注入Li₄SiO₄,采用X射线光电子能谱在线分析注氘前后材料表面的化学状态,同时采用热解吸谱（TDS）实验技术,研究注氘后Li₄SiO₄中氢同位素的热解吸行为。实验结果表明：D⁺注入会改变Li₄SiO₄表面的化学环境,产生多种辐照缺陷和化学键合状态;氘滞留量和热解行为受注氘时样品的温度影响较大,可在一定程度上预测产氚包层中氚的滞留行为。     

γ射线辐照后木荷粉自由基的ESR和XPS分析

利用电子自旋共振波谱（ESR）和X射线光电子能谱（XPS）技术分别测量γ射线辐照后木荷粉体的自由基波谱和X射线光电子能谱。分析木荷粉体在60Coγ射线辐照下自由基的变化规律、化学组成和结构变化。结果表明：木荷自由基的光谱分裂因子g=2．0033,自由基的强度随吸收剂量按指数规律,I=1-e40增加;经过200kGy剂量的辐照后木荷表面O／C原子比稍有增加,C—C、C—H和C-O键含量增加,C=O双键含量减少,-O—C=O含量增加为原来的2．5倍,说明木材表面生成了一些含氧官能团,或碳的氧化态增高。     

X射线光电子能谱仪应用——特殊样品测量及复杂图谱解析

x射线光电子能谱(XPS)是材料表面元素定性和半定量分析的重要手段之一。在XPS测量实验中,使用绝缘方法来安置导电不均匀样品到导电的样品台上进行常规XPS测量,方便地得到满意的图谱数据;在数据处理中,针对扫描谱图中的峰位、峰强度、峰宽和峰形等情况,利用XPS图谱分析软件的拟合分析功能,对多价态混合的复杂样品(例如:Ce和Fe的多价态样品)的XPS图谱进行处理,采用单一价态的实验数据为模版对混合图谱进行拟合处理,比较容易地获得常规方法不易得到的不同价态的定性及半定量结果。本文对以上方法分别作举例说明。     

激光化学诱导液相腐蚀新方法

提出了一种激光诱导液相腐蚀新方法——抗蚀膜掩蔽法。抗蚀膜掩蔽法是指在激光腐蚀中,用抗蚀膜来实现对激光腐蚀区域的控制。理论分析和实验结果都表明,抗蚀膜掩蔽法可以有效地控制激光化学腐蚀的图像形状;因不需要对激光光束进行聚焦,光传播垂直于基片表面,制作出的腐蚀孔侧壁可以具有很高的垂直度;利用激光光束中心区域能量分布近似均匀的特点,使小面积腐蚀区域的腐蚀速率近似相等,腐蚀面内各点没有明显的高度差。因为以上优点,抗蚀膜掩蔽法能克服现有激光腐蚀方法的诸多弊端,简化激光腐蚀工艺,在特殊结构光电器件和光电集成中具有广泛的应用前景。     

Si/Si直接键合界面性质的研究

通过三步直接键合方法实现了 Si/ Si键合。采用 XPS、FTIR、I-V、拉伸强度等手段对 Si/ Si键合结构的界面特性作了深入广泛的研究。研究结果表明 ,高温退火后 ,在键合界面没有 Si-H和 Si-OH网络存在 ,键合界面主要由单质 Si和不定形氧化硅 Si Ox 组成。同时 ,研究还表明 ,I-V特性和键合强度强烈地依赖于退火温度。     

情境照明新曙光，亿光推出EHP—B02单颗全彩光高功率LED

近日,台湾LED产业龙头亿光电子推出三晶合一EHP-B02全彩输出高功率LED。EHP—B02是一款小型的表面黏着（SMT）封装技术的LED,搭配高功率和高效率的全彩光源输出,未来将取代霓虹光和冷阴极管光源,     

激光化学腐蚀孔直径控制与横向腐蚀特性

提出了一种激光诱导液相腐蚀的抗蚀膜掩蔽法。理论分析和实验结果表明,该方法可以有效地控制激光化学腐蚀的图像形状;因不需要对激光光束进行聚焦,光传播垂直于基片表面,制作出的腐蚀孔侧壁具有很高的垂直度;利用激光光束中心区域能量分布近似均匀的特点,使小面积腐蚀区域的腐蚀速率近似相等,腐蚀面内各点没有明显的高度差;避免了激光对腐蚀孔侧壁的直接照射,横向腐蚀由激光化学腐蚀变为轻微化学腐蚀,大大降低了横向腐蚀对腐蚀孔形状的影响。为说明抗蚀膜掩蔽法的横向腐蚀问题,专门对GaAs基片的轻微腐蚀性能进行了研究并报道了有价值的实验结果。