新型存储器FRAM与非易失性存储器

FRAM是一种新型非易失性存储器。这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制。介绍其基本工作原理、结构及其特点,并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。     

纳米硅薄膜界面结构的微观特征

对使用等离子体增强化学汽相沉积法（ＰＥＣＶＤ）制备的纳米硅薄膜（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ），使用ＨＲＥＭ及ＳＴＭ技术观测了其显微结构，给出大量的界面结构图象．首次获得有关晶粒及界面区中原子的分布情况．使我们认识到ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜中界面区内的硅原子仍然是具有短程有序性并不是完全无序的．     

钛酸锶钡薄膜的电子显微研究

传统的硅工业一直按照摩尔定律的预测在向高集成度发展。动态随机存储器的存储密度也需要不断的提高 ,也就是要求同样的信息存储在更小的面积内。传统的方法是通过不断地减小介电层 (非晶ＳｉＯ2 )的厚度来满足动态随机存储器向高集成度发展的要求的。然而 ,当电介质的厚度小到一定程度后 ,电子的隧道穿透效应将会使该器件无法工作 ,这个厚度就是它的极限厚度。约 80年代末期 ,人们开始普遍的关注到这个极限的到来 ,并开始寻找解决的途径。其中最有希望的途径就是利用高介电系数的电介质替换低介电系数的ＳｉＯ2 ,也就是通过提高电介质的介…     

薄膜电感与薄膜变压器的开发及其应用

近年来，以开关电源用电感为中心的微型磁件的研究取得了很大进展。本文首先讨论论影响薄膜电感和薄膜变压特性的诸要素，重点探讨薄膜材料的趋肤深度参数，并介绍薄膜电感和薄膜变压器的最新开发动向。     

石英摆片导带“断裂”故障分析

叙述了真空蒸发金属膜的形成过程和膜层结构，运用金属原子迁移理论分析了挠性力平衡力速度传感器石英摆片导带“断裂”故障，提出了增强可靠性的技术途径。     

SnO2超微粒子薄膜的气敏特性研究

作者用自行设计的直流气体放电活化反应蒸发装置制备出平均粒径约为40nm的SnO_2超微粒子薄膜.研究了不同氧分压下所得SnO_2超微粒膜的形貌、结构和组成等特性,以及不同样品对各种易燃气体的气敏特性,得出了灵敏度随氧分压及灵敏度随工作温度的变化曲线.     

高速应用的薄膜MCM材料评述

信号频率在１００ＭＨｚ以上时，材料性质对薄膜多芯片组件（ＭＣＭ－Ｄ）的性能变得越来越重要。本文讨论高频下材料性质对ＭＣＭ－Ｄ的电性能的影响。着重讨论介电常数、介质损耗角正切、互连金属电阻和互连金属趋肤深度等对系统性能的影响。对常用的ＭＣＭ－Ｄ材料的这些性质作了比较。     

压差式漏率测试仪的实验研究

将薄膜电容真空计的测量室接于被测密闭容器，静态真空室接于一个比较容器，即组成一台压差式漏率测试仪。首先使两容器压力平衡，真空计读数为零。当被测容器存在漏孔时，真空计薄膜两侧形成压差，真空计指示读数，继而计算出该容器的漏率。应用商品真空计在抽真空测试时，检测的最小可测漏率达10－4～10-5Pa·L／s；而在充压测试时，因受气体温度变化的影响，灵敏度会降低几个量级。该仪器有可能具备寻找漏孔位置和确定漏孔漏率的功能。