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一种具有高电源抑制比的低功耗CMOS带隙基准电压源 总被引:12,自引:5,他引:7
文章设计了一种适用于CMOS工艺的带隙基准电压源电路,该电路采用工作在亚阈值区的电路结构,并采用高增益反馈回路,使其具有低功耗、低电压、高电源电压抑制比和较低温度系数等特点。 相似文献
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光通信技术经过不断的创新,特别是在市场需求的驱动下,取得了空前发展,使信息传输距离大为延展、通信容量成倍增加、通信速率不断提升以及通信成本大幅下降,并促进了信息消费的普及,使广大用户能以比较合理的价格享受到通信技术所带来的便利。 相似文献
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随着集成电路加工工艺技术向0.18微米或更小尺寸的继续发展,设计高性能的SOC芯片面对越来越大的挑战。几何尺寸越来越小,时钟频率越来越高,电压越来越低,上市时间越来越紧迫,因此设计复杂性迅速增加,互连线和信号完整性问题已成为影响设计成功的主要因素。现有的设计方法遇到了许多新的挑战。为了应对这些挑战,人们展开了深入的研究,提出了许多方法。本文将分析物理设计的挑战,回顾物理设计的方法,比较它们的优缺点,指出它们的适用范围,最后展望深亚微米物理设计的发展方向。 相似文献