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931.
采用Cr_(25)Al_5合金进行煤渣/种子条件下静态腐蚀试验(温度1373-1573k,时间50-150hr),试验后得出三种温度下腐蚀重量变化与腐蚀时间的关系,并借助金相显微镜、扫描电镜和俄歇分析进行有关形貌及成份分析,试验表明,温度是材料腐蚀的主要因素,在1473k条件下材料的抗蚀性最好,Al、Si元素在腐蚀过渡层中富集,Cr元素变化不大,但有从基体向外扩散的趋势。由此,这一材料若能进一步改进,可望在控制壁面温度的半热壁型通道中进行试验研究。  相似文献   
932.
本文推导出了自由衰减系统线性内耗准确计算公式,并讨论了原有了自由衰减系统线性内耗近似计算公式应用范围,最后文章用准确公式和近似公式分别对有关实验结果进行了计算,并对计算结果进行了比较、分析与讨论。  相似文献   
933.
934.
江建明 《合成纤维》1996,25(4):14-18
在成功地合成了PPCI—PPy导电薄膜的基础上,本文通过应力一应变试验、动态力学分析(DDV)等测试手段对其力学性能作了较为详细的探讨.实验结果表明,随着PPCI—PPy导电薄膜中聚吡咯含量的升高,其断裂强度、初始模量增大,而断裂伸长略有降低,玻璃化转变温度也随聚吡咯含量的增大而升高,并在聚昆咯含量达到6%后趋于一稳定值.另外,本文在Mooney模型中引入了一个更为广义的校正因子,提出了一个新的力学模型以描述PPCI—PPy二相体系的力学性能,计算结果表明,本文模型的理论值与实验结果具有很好的一致性.  相似文献   
935.
化学气相沉积金刚石薄膜是近年来发展很快的一种新材料,着重描述了在减少薄膜的散射从而改善其光学性质方面的工作与成果,并介绍了它作为红外光学增透保护膜在上海宝山钢铁厂的应用。  相似文献   
936.
对磁控溅射PZT铁电多层薄膜进行了分析。结果表明:通过多层薄膜合理的设计和厚度控制,可以改善薄膜进一步的器件应用提供了可能性。通过研究发现,制备多层较理想的溅射条件是衬底温度T=650℃,薄膜子层厚度约为300nm,衬底则以MgO(100)单晶、Si2(100)单晶为佳。结构分析的结果显示出:PZT以铁电膜中的晶粒排列整齐,颗粒大小均匀,基本上和衬底成定向织构,膜的角度对多层膜的绝缘性能影响不大,  相似文献   
937.
在电容式耦合等离子体化学气相沉积系统中,用高氢稀释硅烷和氮气为反应气氛制备纳米硅氮(nc-SiNx:H)薄膜结果表明:当N_2/SiH_4气体流量比(Xn)从1增加为4时,薄膜的晶态年从58%降至14%,晶粒尺寸从10nm降至5um,N/Si含量比从0.03增至0.12.当Xn≥5,则生成非晶硅氮(a-SiNx:H)薄膜.当Xn从1增加为10时,薄膜暗电导率从10 ̄(-5)(Ωcm) ̄(-1)降至10 ̄(-11)(Ωcm) ̄(-1),具有逾渗行为,这与薄膜的晶态率紧密相关.  相似文献   
938.
从材料,器件结构,特性及其应用等方面介绍了蓝色发光二极管的发展过程,并展望了InGaN超高亮度蓝色二极管的应用前景。同时指出了目前急待解决的问题及 发展方向。  相似文献   
939.
940.
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