自由衰减法测量线内耗的准确公式

本文推导出了自由衰减系统线性内耗准确计算公式，并讨论了原有了自由衰减系统线性内耗近似计算公式应用范围，最后文章用准确公式和近似公式分别对有关实验结果进行了计算，并对计算结果进行了比较、分析与讨论。     

制备几种典型复合纳米线的相关实验及其分析

近年来,复合纳米线的制备成为低维纳米结构研究的一个热点.综述了几种典型复合纳米线的生长方法,分析了它们的生长机制,以及影响它们生长的各种因素.希望通过这几个制备复合纳米线的实验的分析与研究能对相关实验研究工作提供一些参考.     

自由衰减法测量线性内耗的准确公式

本文推导出了自由衰减系统线性内耗准确计算公式，并讨论了原有的自由衰减系统线性内耗近似计算公式应用范围。最后文章用准确公式和近似公式分别对有关实验结果进行了计算，并对计算结果进行了比较、分析与讨论。     

均匀电子束辐照诱导多壁碳纳米管非晶化

室温下利用已经发展成熟的透射电镜原位观察技术,在均匀电子束辐照下对多壁碳纳米管(MWCNT)的非晶化过程进行研究。实验结果表明,在均匀电子束辐照下MWCNT内、外壁完整的石墨结构开始出现断裂或塌陷,即内层和外层优先开始非晶化,但是内层非晶化的速度明显更快。随着辐照时间的延长,非晶化逐渐由内、外表面向中间推进。同时,内壁断裂或塌陷形成的无定形碳开始向管的内部中空部分填充,而外壁非晶化的碳原子部分被融蒸到真空中。最终,无定形碳填满整个管的内部空间,导致MWCNT完全非晶化。另外,在整个过程中由于非晶化体积膨胀补偿,MWCNT的外径基本保持不变。利用在碳纳米管纳米曲率效应和能量束诱导非热激活效应基础上新发展的碳原子"融蒸"机制,对上述MWCNT的非晶化过程进行了全新、合理的解释。     

退火处理对离子束溅射WO3-x薄膜结构和特性的影响

利用离子束溅射结合后退火处理的方法制备了WO_3-x(0≤x≤1)薄膜,系统研究了不同退火气氛、退火温度和退火时间等条件对WO_3-x薄膜的晶体结构以及电学、光学和电致变色特性的影响。研究发现,当退火温度超过WO3结晶温度后,特别是在湿氧气氛下,退火温度越高、退火时间越长,WO_3-x薄膜的结晶度越好,除WO3主晶相显著增强以外,还会陆续出现O29W10、O49W18和WO₂等缺氧相;在干氧条件下,更高的退火温度和更长的退火时间都有助于降低WO_3-x薄膜的电阻值,也都有助于WO_3-x薄膜可见光透过率的提升;WO_3-x薄膜电致变色器件在632.8 nm波长处的光学调制值达到了70%左右,表现出良好的电致变色特性。     

用MOCVD法生长GaN基自组装量子点的相关实验及其分析

GaN基相关材料的量子点生长是半导体材料研究的一个热点，尤其是用MOCVD方法生长GaN基自组装量子点占了相当的比例，因此相关的文献较多，但综述性文章却不多见。鉴于此，本文综述了用MOCVD法制备GaN基量子点的不同实验方法，并对影响量子点牛长的实验条件和参数做了简要的分析。希望能够对相关的实验研究工作提供一些参考。     

电子束辐照下单壁碳纳米管的结构不稳定性

利用透射电镜(TEM)原位观察了一端固定一端自由和两端固定的单壁碳纳米管(SWNT(s))在电子束辐照下的结构不稳定性.研究发现,一端固定一端自由的SWNT优先轴向和径向收缩后颈缩,最后形成一个个碳笼紧密相连的收缩结构("碳笼-碳笼"结构);两端固定的SWNT仅径向收缩后颈缩,最后形成许多碳笼相连的类似结构.此外,后者在电子束辐照下断开后又会重新粘合起来,表现出很强的表面塑性流变或湿润效应.这些电子束辐照诱导SWNTs非热激活结构不稳定性现象可以用我们最近提出的表面纳米曲率效应和能量束超快诱导软模和点阵失稳进行全新、全面、正确的解释.     

Al—Zn合金复相界面非线性稳态阻尼

揭示了Al-Zn共析合金复相界面稳态阻尼的特征:(1)整个非线性阻尼Q~(-1)对测量频率有相同依赖关系,即Q~(-1)∝f~(-n),n是一个与温度无关的参数。(2)在中间区域(包括一个低T、高A_ε区,一个中T、中A_ε区及一个高T、低A_ε区)仍然有关系Q~(-1)=(c/f~n)exp(-nH/kT),其中c是一个参数,T是绝对温度。阻尼具有正常振幅效应,其中参数c、n和H均随A_ε改变,阻尼来自于相界面间一种非线性驰豫。(3)在高T、高A_ε区,阻尼与温度之问不再有线性关系lnQ~(-1)_1∝T,但阻尼仍然满足关系Q~(-1)∝f~(-n),参数n随A_ε增大而增加,阻尼具有正常振幅效应,但比情况(2)要弱,这时阻尼可能归属于相界面间另外一种非线性驰豫。