锂铁氧体纳米晶的磁性能研究

我们用ＰＥＧ凝胶法合成出的ＬｉＦｅ＿５Ｏ＿３纳米晶，用ＸＲＤ和ＴＥＭ观测其粒径和形貌。用振动样品磁强计考察其比饱和磁化强度σ＿ｓ，随粒径口变化，得到样品的σ＿ｓ随Ｄ的减小而下降。     

NaY晶化母液制备硅铝胶的技术探讨

在导向剂法合成Y型分子筛的工艺下，晶化母液中SiO₂的含量为50～55g/l,Na₂O含量为20～25g/l，相当于模数为1.65～2.58的稀水玻璃，将晶化母液分离处理后，在晶化母液中加入一定量的硫酸铝溶液使硅沉淀,经过滤和水洗后即可制备出合格的硅铝胶，以便进行重新利用。     

工艺因素对金属封装外引线弯曲疲劳的影响

考察了金属封装外壳制造工艺对外引线弯曲疲劳的影响,发现电镀镍是导致外引线弯曲次数明显减少的最主要工艺步骤,且随镀镍层厚度的增加,弯曲次数减少。此外还讨论了外引线的氢含量和晶粒度对引线抗疲劳能力的影响。     

Ti-2.5Cu在293和77K下的力学性能和变形机制

Ti-2.5Cu合金经过固溶-时效处理后,纳米级Ti2Cu颗粒呈均匀分布,合金具有良好的综合力学性能.温度从293 K降到77 K时,合金的强度和塑性随着温度的降低而增加,77 K下低周疲劳寿命比293 K下的高.微观组织的分析表明,Ti2Cu颗粒对位错运动有阻碍作用,而对孪生切变影响较小.在293和77 K下循环变形后观察到孪晶,低温下孪晶数量增多并相互交叉.表明孪生和滑移在293和77 K下的循环变形中同时起作用.Ti-2.5Cu合金在77 K下较高的塑性和低周疲劳寿命可以用孪生诱发塑性予以解释.     

用晶种技术解决低品位石灰石配料中存在的问题

采用晶种技术，能有效地改善熟料的煅烧过程和熟料的质量。晶种和复合矿化剂的作用机理不同，在某些方面具有互补性。     

激光晶体Nd:YVO4的形貌及生长缺陷

本文报道了应用环境扫描电镜（ESEM）和同步辐射X射线白光形貌术对采用提拉法生长出的Nd:YVO4晶体进行的形貌及生长缺陷的分析,获得了该晶体的开裂表面的ESEM形貌像以及取自晶体肩部和中间部位的（001）面的同步辐射白光形貌像,观察到了位错、包裹物等缺陷,可为生长高质量的Nd:YVO4晶体提供重要的启示.     

热氧化法制备SnO2纳米晶的HREM研究

二氧化锡半导体材料,因其高电导率、在可见光区的高透明度、以及较好的热稳定性和化学稳定性,使其具有广泛的用途.它可以用作太阳能电池、光电感应器件等,而最重要的应用就是用作气敏传感器的原材料[1].在气相沉积法制备的SnO2薄膜中,混合相(SnO-SnO2)比SnO2单相表现出更好的气敏性[2].     

基片温度对TiB2薄膜生长形貌及力学性能的影响

TiB2是一种超硬材料,块体TiB2的硬度高达HV30Gpa,而且耐腐蚀、抗氧化,还具有优良的导电性能,是一种受到广泛重视的导电耐磨涂层材料[1].     

ZnGa2O4纳米晶的制备和结构表征

采用喷射共沉淀法制备了ZnGa2O4 纳米晶，XRD、SEM和TEM结构分析结果表明，喷射共沉淀法制备的ZnGa2O4的纳米晶颗粒细小均匀，形状完整，与化学共沉淀法相比，粒子尺寸明显减小，小于10nm，同时ZnO杂相峰消失，分析了喷射共沉淀法的机理，并对实验结果进行了解释。