全文获取类型
收费全文 | 28644篇 |
免费 | 1929篇 |
国内免费 | 2155篇 |
专业分类
电工技术 | 855篇 |
综合类 | 1608篇 |
化学工业 | 5671篇 |
金属工艺 | 3244篇 |
机械仪表 | 1938篇 |
建筑科学 | 809篇 |
矿业工程 | 214篇 |
能源动力 | 1264篇 |
轻工业 | 2964篇 |
水利工程 | 125篇 |
石油天然气 | 562篇 |
武器工业 | 125篇 |
无线电 | 4295篇 |
一般工业技术 | 6799篇 |
冶金工业 | 680篇 |
原子能技术 | 411篇 |
自动化技术 | 1164篇 |
出版年
2024年 | 121篇 |
2023年 | 380篇 |
2022年 | 560篇 |
2021年 | 727篇 |
2020年 | 764篇 |
2019年 | 679篇 |
2018年 | 654篇 |
2017年 | 893篇 |
2016年 | 867篇 |
2015年 | 891篇 |
2014年 | 1267篇 |
2013年 | 1554篇 |
2012年 | 1758篇 |
2011年 | 2263篇 |
2010年 | 1594篇 |
2009年 | 1725篇 |
2008年 | 1538篇 |
2007年 | 1966篇 |
2006年 | 1834篇 |
2005年 | 1559篇 |
2004年 | 1416篇 |
2003年 | 1183篇 |
2002年 | 1007篇 |
2001年 | 919篇 |
2000年 | 802篇 |
1999年 | 671篇 |
1998年 | 598篇 |
1997年 | 485篇 |
1996年 | 407篇 |
1995年 | 355篇 |
1994年 | 327篇 |
1993年 | 260篇 |
1992年 | 184篇 |
1991年 | 129篇 |
1990年 | 87篇 |
1989年 | 89篇 |
1988年 | 57篇 |
1987年 | 40篇 |
1986年 | 16篇 |
1985年 | 17篇 |
1984年 | 15篇 |
1983年 | 12篇 |
1982年 | 10篇 |
1981年 | 7篇 |
1980年 | 9篇 |
1979年 | 6篇 |
1976年 | 3篇 |
1975年 | 3篇 |
1963年 | 3篇 |
1959年 | 6篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
51.
ZnLiFeO3(ZLF)高温NTC热敏厚膜材料,是以尖晶石结构的ZnLiFeO3导电陶瓷作厚膜浆料的导电相,以Al2O3瓷为基体,用厚膜工艺制成的。实验表明,在氮气中烧结的ZLF厚膜材料,室温方阻103Ω/□级,B值约1000K。在高温500~700℃范围内,方阻降为102Ω/□级,B值仍小于1000K。是一种很有前途的高温热敏材料。 相似文献
52.
用离子束溅射法制备了具有反常光吸收特性的纳米颗粒CU/SiO2复合薄膜。获得了在离子来参数一定时,基片温度、膜料的沉积时间和镀膜后的保温时间等工艺参数对这种薄膜结构和光学特性的影响规律,并对纳米颗粒Cu/SiO2复合薄膜的反常光吸收特性作了计算和解释。 相似文献
53.
本文用计算机数字模拟方法研究了电活性分子多层Z型L-B膜修饰电极的循环伏安行为。计算了电极与修饰L-B膜分子第一层之间的电荷转移速度常数K_o,L-B膜分子层间的电荷转移速度常数k_i;对峰电位差△E_p及阳极峰面积Q的影响,以及在不同条件下各层分子的氧化态分数随扫描时间的变化。为研究和设计电活性分子修饰电极的实际体系提供了大量数据和信息。 相似文献
54.
微型真空力敏器件的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文首次用电荷模拟法计算了真空微电子力敏传感器的场致发射阴极与阳极间的电场分布,同时计算了<100>晶向的方形硅薄膜受压形变与压力的关系,进而得出了这种传感器的电流-压力曲线.还做了水槽模拟电场分布的实验,理论与实验符合的很好. 相似文献
55.
水溶性防氧化剂在SMT用印制板上的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
水溶性的防氧化剂是一种有机可焊性保护剂。其方法是在印制板完全阻焊、字符层的印刷,并经电检之后,通过表面浸渍在裸铜的贴片位或通孔内形成一种耐热性的有机可焊性膜层。这种有机、可焊、耐热的膜层,膜厚可达0.3-0.5mm,其分解的温度可达约300℃,传统的印制板的热风整平法亦无法满足QFP愈来愈密集的需求,同时也无法满足SMD表面平整度的要求,更无法适应PCB薄型化生产。烷基苯并咪唑的OSP法能弥补这项缺陷,因而在PCB业乃至SMT产业中得到了广泛的应用。 相似文献
56.
预处理工艺对硬质合金与金刚石膜间粘结力的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
在两种经不同预处理的硬质合金YG8基底上,采用微波等离子体化学气相沉积法,在微波功率2kW,压强4.0kPa和6.5kPa,CH4和H2流量分别为1.6cm/s和100.0cm/s的条件下生长金刚石薄膜。利用X射线衍射检测了金刚石薄膜是否存在,用拉曼光谱分析了薄膜的质量,用金相显微镜观察了薄膜的洛氏硬度压痕,标定并比较了不同预处理工艺膜与基底的结合力。实验结果表明,不同的预处理方法对于粘结力的影响不大,最主要的因素是钴含量的多少。 相似文献
57.
高质量ZnO薄膜的退火性质研究 总被引:3,自引:0,他引:3
在LP-MOCVD中,我们利用Zn(C2H5)2作Zn源,CO2作氧源,在(0002)蓝宝石衬底上成功制备出皮c轴取向高度一致的ZnO薄膜,并对其进行500℃-800℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后,(0002)ZnO的XRD衍射峰强度显著增强,c轴晶格常数变小,同时(0002)ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大,这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小,PL谱的带边发射则加强,并出现红移,蓝带发光被有效抑制,表明ZnO薄膜的质量得到提高。 相似文献
58.
多层薄膜结构气敏效应研究 总被引:4,自引:0,他引:4
在SnO2气敏薄膜层上覆盖一层或多层钝化材料(SiO2,Al2O3) 薄膜,制成的多层膜气敏元件,可很好地排除大分子气体如乙醇等对小分子H2检测的干扰,使其具有单独检测H2的功能。本文还通过测量元件的升温曲线,推导出敏感体表面的氧吸附活化能;找出活化能与灵敏度、选择性的关系。根据实验现象和物性分析结果,试着探讨了元件的敏感机理。 相似文献
59.
Si衬底上Ta-N/Cu薄膜性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析,结果发现500℃以下薄膜电随几乎不变,600-690℃下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电阻的热氧化和Cu熔化扩散引起的,而690℃以上的电阻率增加是由于Cu引线传输能力减弱所致,为0.18μm以下的超大规模集成电路中的Cu引线和电阻薄膜的制作提供了有益的借鉴。 相似文献
60.