基于CPLD的三维加速度存储测试方法研究

提出一种基于CPLD的三维加速度存储测试方法。硬件测试模块以EPM240T100C3为核心,详细介绍了其系统组成、电路设计原理,并根据测试对象的特殊性,从性能与体积上对整个测试系统进行了优化;软件设计模块控制程序使用VHDL语言编写,描述了其设计思想,并通过软件仿真进行了验证,给出了时序仿真图;数据通信模块,利用CPLD内部丰富的逻辑单元实现UART功能,通过RS232串口与上位机通信。结果证明所设计的存储测试系统能够满足高速采样与存储的要求,可以用于实际的弹载三维加速度测试。     

紫外可见双路分光光度计系统研究

本文完全不用两束单色光λ1、λ2（Δλ=1～2nm）快速交替通过检测器产生交流信号的双波长扫描模式而是采用一束光通过半反透镜结构对双路光电探测器输出信号同步采样的数据处理结构较好地抑制了温漂和器件特性分布误差进而降低了系统噪声;而直接片内电流积分、电荷采样有效地避免各级放大电路电压转换累计误差同时去掉中间放大环节减少干扰;调零、减法运算、对数转换等功能均在数字信号处理控制器内完成充分发挥了数字控制的优势从而有效地提高了光度计系统的综合性能指标。     

我国电动汽车充电市场发展初期各方责任探讨

电动汽车充电站建设是推动新能源汽车发展的重要力量,据此而发展起来的电动汽车充电市场将是一个符合国家产业政策的新兴的、巨大市场。在我国充电市场前景分析的基础上,对政府、充电服务提供商、技术提供商等市场各利益相关方市场责任进行了分析,提出其初期培育需要各利益相关方通力合作,精心培育,通过利益共同体这一形式,才能共同降低风险,促进这一市场健康发展。     

VRLA蓄电池的可靠性和主动维护

VRLA铅酸蓄电池是当前通信电源系统中采用的主要的储能装置。与传统的VLA蓄电池相比,VRLA铅酸蓄电池的主要优点是维护工作量较小,主要缺点是寿命短。而且,其实际的寿命比设计寿命低得多。因此,VRLA蓄电池的可靠性在一定程度上受到限制。为了确保VRLA蓄电池系统的安全可靠,必须积极主动地进行维护工作。本文分析VRLA蓄电池早期故障的原因,讨论延长VRLA蓄电池寿命,提高VRLA蓄电池供电系统的可靠性的途径,提出VRLA蓄电池主动维护和运行数据分析方法。     

Measurements and modelling of thermal step current in GaN/SiO2/Si structure

In this work, we report results of measurement of space charge in GaN/SiO₂/Si structure by means of thermal step method (TSM) and capacitance-voltage (C-V). TSM is a non destructive method for quantifying and localizing the electric charges in insulating materials. Its principle consists to apply a low thermal step to a short-circuited or dc-biased sample and to record a current response, which depends on the charge present in the device. The C-V characteristics show an almost metal-oxide-semiconductor (MOS) behaviour and retention of charges after forward bias sweeping. The space charge dynamics in the structure are followed under low applied dc voltages. Results show a significant inversion of the TSM currents above applied voltage of 200 mV. A theoretical model is then presented in order to estimate the amount of the trapped charges and to interpret the variation of the TS currents as a function of the applied gate voltages.     

基于可调电荷泵的双模式高压开关控制器

为了防止在液晶显示面板上发生闪烁和减小栅驱动器的馈通现象,设计了一种基于可调电荷泵的用于TFT-LCD液晶显示的片内双模式高压开关控制器,该控制器能减小液晶显示功耗,减少栅走线和液晶面板之间的耦合效应,其输出延时和下降斜率可调并输入到栅驱动器中,从而避免液晶显示设备错误的显示。该基于可调电荷泵的高压开关控制器的芯片已在UMC0.6μm-BCD工艺线投片,电荷泵输出可调电压范围为10～30V,测试结果证明,高压开关控制器电路工作良好,其面积为0.32mm2,静态电流小于3μA。     

施主能级分裂对SiC基p-MOSFET反型层电荷的影响

通过引进基态施主能级分裂因素,对SiC基p-MOSFET的反型层电荷模型进行了改进。经计算发现,在考虑到能级分裂后反型层电荷面密度降低,并且能级分裂的影响随栅电压绝对值的增加而减弱。在阈值电压处,能级分裂对反型层电荷的影响随掺杂浓度的增加而增强,随温度的提高而减弱,同时也与杂质能级深度相关。在能级分裂影响下阈值电压的绝对值增加,不过增量较小。     

一种快速捕获、带宽可调的锁相环电路

设计实现了一个快速捕获,带宽可调的电荷泵型锁相环电路。采用了一种利用状态机拓展鉴频鉴相器检测范围的方法,加快了环路的锁定;通过SPI总线实现电荷泵电流配置和调整VCO延时单元的延迟时间,优化了电路性能。芯片采用中芯国际0.18μmCMOS工艺,测试结果表明,锁相环锁定在100MHz时的抖动均方值为24ps,偏离中心频率1MHz处的相位噪声为-98.62dBc/Hz。     

采用电荷泵箝位调整器的BUCK型DC-DC驱动电路

为了提高驱动效率,设计了一种新颖的适用于BUCK型DC-DC的驱动电路,在芯片内部采用一个电荷泵和自适应死区时间控制逻辑的驱动电路。当芯片正常工作时,输出级低端LDNMOS管的驱动电平通过较大的电荷泵电容稳定在5.5V左右,输出级高端LDNMOS管的驱动电平通过自举电容高达29.93V,从而实现对DC-DC输出级高端和低端的驱动,这样既提高了驱动效率,又减少了对外部多个电源的需求。采用此电路的一款电流模BUCK型DC-DC已在UMC06μmBCD工艺线投片,芯片效率高达94%,输出级高端和低端LDNMOS的导通电阻为120mΩ,最大输出电流为5A,该驱动电路工作良好,芯片面积减小了15.4%。     

电荷泵技术在高压 MOS晶体管可靠性研究中的应用

主要阐述了电荷泵技术在14 V HV MOS晶体管可靠性研究中的应用.使用了一种改进的电荷泵技术分析了经过热载流子加压后的器件特性.使用这种方法,我们可以精确描述器件损伤的位置和程度,以及可以精确评估由于HCI效应引起的界面缺陷的变化,为器件优化与工艺改进提供重要参考信息.