LED光电参数测试仪法向发光强度示值校准的测量不确定度探讨

发光二极管（LED）由于自身的许多优点,如接近单色光、寿命长、使用方便等,目前在社会上用途十分广泛。它既是一种光源,又是一种半导体器件,因此有关它的质量必须从光和电两个方面去进行检测。LED光电参数测试仪（以下简称为仪器）就是主要用来测量LED在可见波段范围的光、电参数的仪器。本文主要就LED光电参数测试仪法向发光强度示值校准方法及不确定度作一探讨。     

LED灯主要电参数的测试方法及其应用

随着高亮度、大功率LED灯的研发不断取得突破,LED灯的应用也日趋广泛。针对LED灯的工作电流在具体应用中的设计,该文对高亮度、小功率LED灯的发光强度、正向工作电流等参数进行了具体测试。根据实验数据,提出了一些应用时的建议,供同行应用时参考。     

驱动LED串的DCM升压转换器简化分析之实际考虑

LED调光控制系统电路图高亮度白光LED的模拟调光会产生色偏。PWM数字调光控制是预防色偏的首选调光方法,因为发光强度将是平均流明强度。PWM导通周期期间的LED电流幅值与调光比为独立互不影响。     

交叉弛豫过程对碲酸盐玻璃中Tm3 离子1.8 μm发光的影响

研究了碲酸盐玻璃中不同浓度Tm3 离子掺杂的发光特性,探讨了不同Tm3 离子浓度对发光强度的影响以及交叉弛豫的机理.通过测量不同浓度Tm2O3的3H4能级寿命,计算了Tm3 离子的交叉弛豫速率.结果表明,交叉弛豫速率随着Tm3 离子浓度的增加而迅速增大.Tm3 离子之间的交叉弛豫过程能有效地提高1.8 μm发光强度.     

影响SiO2薄膜中银粒子发光强度的因素分析

用sol-gel法在玻璃表面制备了含银纳米粒子的二氧化硅薄膜。拍摄了银粒子的TEM照片。在室温下有拉曼光谱仪测定了样品的光致发光谱。研究了样品的光致光强度与纳米银的掺杂量、镀膜时的提拉速度和热处理之间的关系。     

PbF_2:Gd晶体的发光强度与发光均匀性研究

以Ｘ射线荧光光谱分析为手段,测试了用Ｂｒｉｄｇｍａｎ方法生长的ＰｂＦ２：Ｇｄ晶体中Ｇｄ离子沿生长方向的分布．发现该晶体在Ｘ射线激发下的发光强度与Ｇｄ在ＰｂＦ２晶体中的含量变化均从结晶开始端至结晶结束端逐渐降低,表明ＰｂＦ２：Ｇｄ晶体的发光是不均匀的,这种不均匀性源于Ｇｄ离子在ＰｂＦ２晶体中的分布不均匀性．通过在ＰｂＦ２：Ｇｄ晶体中掺入一定量的碱金属离子,可以比较有效地改善Ｇｄ离子在ＰｂＦ２晶体中的不均匀分布,使晶体的发光均匀性和透光率得到明显提高,其中以Ｎａ离子的均匀化效果为最好．推测Ｎａ离子的作用是消除了ＰｂＦ２：Ｇｄ晶体中因Ｇｄ离子的掺杂而造成的间隙Ｆ离子,从而使晶体中的缺陷浓度大大降低．     

助熔剂种类对绿色荧光粉（Ce0.67,Tb0.33）MgAl11O19晶体结构、形貌及发光强度的影响

采用高温固相法制备了三基色荧光灯用（Ce0.67,Tb0.33）MgAl11O19（CMAT）绿色荧光粉,研究了MgF2、AlF3、Li2CO3和H3BO34种助熔剂对CMAT绿粉物相纯度、粉体颗粒形貌和发光强度的影响。结果表明,用H3BO3做助熔剂制备的CMAT绿粉在物相纯度、粉体颗粒形貌和发光强度方面都优于其它三者。     

光电材料多孔硅的多孔度理论计算方程

在制备多孔硅材料时 ,多孔硅的多孔度和厚度与电解电流强度、电解时间以及氢氟酸的浓度有关 .如果氢氟酸的浓度保持不变 ,通过改变电解时间和电解电流强度就可以得到所需多孔硅的多孔度及厚度 .但现在一般都通过测量设备来重复测量多孔硅的多孔度及厚度 ,特别是多层多孔硅 ,很难严格控制其厚度 .为此 ,通过对多孔硅中载流子运动的研究 ,结合 BET方程中的 SBET定义 ,推导出多孔硅的多孔度、电解速度和电解电流强度之间的关系表达式 .通过该理论公式 ,就可以保证精确得到多孔硅的多孔度及厚度 .该理论公式得到了实验的验证     

光电材料多孔硅的多孔度理论计算方程

在制备多孔硅材料时,多孔硅的多孔度和厚度与电解电流强度、电解时间以及氢氟酸的浓度有关.如果氢氟酸的浓度保持不变,通过改变电解时间和电解电流强度就可以得到所需多孔硅的多孔度及厚度.但现在一般都通过测量设备来重复测量多孔硅的多孔度及厚度,特别是多层多孔硅,很难严格控制其厚度.为此,通过对多孔硅中载流子运动的研究,结合BET方程中的SBET定义,推导出多孔硅的多孔度、电解速度和电解电流强度之间的关系表达式.通过该理论公式,就可以保证精确得到多孔硅的多孔度及厚度.该理论公式得到了实验的验证.     

聚合物蓝色发光器件的结构分析

报道了用荧光染料掺杂母体聚合物作有源层，制备了单层和三层聚合物蓝光ＬＥＤ。通过对这两种结构的器件在开启电压和发光强度上的比较，分析三层器件的结构优势，得出异质结构对电子的限域作用有利于提高器件性能，给出理想的器件结构模型。