4，4’－硫代双［2－（1，1－二甲基乙基）－5－甲基苯酚］的合成及鉴定

报道了４，４′－硫代双［２－（１，１－二甲基乙基）－５一甲基苯酚］的合成方法及结构鉴定。     

PVDF中空纤维滤膜的形态结构

用Ｌ－Ｓ相转换法制备了聚偏氟乙烯（ＰＶＤＦ）中空纤维不对称滤膜。铸膜液由聚合物、溶剂和添加剂组成。用电子显微镜（ＳＥＭ）考察了聚合物浓度、添加剂用量及种类对膜形态结构的影响。实验结果表明，聚合物浓度对膜形态结构有显著影响，当铸膜液中聚合物浓度较低时，无论用什么种类添加剂，都能形成大、且多的孔，但孔的形状随添加剂不同而异。当恒定聚合物浓度时，添加剂的用量对膜形态结构有很大的影响，但孔的大小及多少与添加剂含量的多少不成正比。     

NH_4Cl水溶液在成膜过程中的致孔作用

本文以ＮＨ４Ｃｌ饱和水溶液做添加剂，对ＰＶＤＦ／ＮＭＰ体系在成膜过程中的致孔作用做了研究。铸膜液中随ＮＨ４Ｃｌ水溶液加入量的改变，膜孔径也发生变化，并出现最大值。通过Ｘ－射线衍射扫描发现制膜液中存在无机盐时膜中无定形态结构增加，表明无机盐的加入有助于膜孔形成     

NTT DoCoMo第三代移动通信服务FOMA

FOMA作为世界上第一个3G商用服务备受关注，主要介绍FOMA的业务、终端、费用及发展概况，并简要分析其发展中存在的问题。     

DF3、D4共聚合反应的研究

研究了D3^F,D4共聚合反应的特性，该反应是平衡开环共聚反应，当反应达到平衡以后，共聚物[η]与高聚物收率基本恒定，对碱催化剂的研究发现，强碱性催化剂有利于合成高分子量的D3^F,D4共聚物，反应温度升高，反应速率加快，其聚物分子量降低，而且ln[η]-1/T成线性关系，聚合反应初期采用高温反应，后期降低反应温度，可以达到缩短反应时间，增加共聚物分子量的目的。     

碘标记表皮生长因子的代谢特性

用^125I、^131I标记表皮生长因子（EGF），并采用Sephadex G25柱对标记物进行纯化，标记率达75.4%，放化纯度达95.2%，用昆明种小鼠作^125I-EGF体内分布实验及药代动力学试验；用新西兰大白兔做^131I-EGF体外显像研究。结果显示，小鼠体内注入^125I-EGF后1h，肾肝组织中的药物浓度很快下降；肺组织摄取一定量的^125I-EGF且保留时间长达3h；脾脏的放射性在15min达到高峰后开始缓慢下降；脑组织放射性明显低于血本底。^125I-EGF的体内分布、代谢消除过程等工代动力学符合二室模型，分布半衰期T1／2α为0.3min，消除半衰期T1／2β为80.8min。新西兰大白兔体外^131I-EGF显像清晰，碘标记EGF的体内、外稳定性较好。     

第三代移动通信系统带来的挑战

ＩＭＦ－２０００是国际电联提出的一个全球覆盖的，具有高度智能和个人服务特色的移动通信网。它容纳了不同的系统和终端，具有世界统一的频率并提供比第二代系统更加先进的分组数据和多媒体业务，ＩＭＦ－２０００基于ＩＴＵ－ＴＱ．１２００建议和ＩＴＵ－ＴＭ．３００建议，在不同网络间提供最大程度的互通。利用自适应软件可下载终端来支持频段，多环境能力；关键参数可按需要选择，再加上更高的频谱利用率，该系统特别适合于发     

静电氟粉末的制作工艺研究

主要研究静电氟粉末的制作工艺，影响因素及其影响因素间的关系，试验表明，ＳＰ添加剂的影响最大。     

第三代电子器件—真空FET的现状

概述了真空FET的基本原理、特性及现状.为拓宽器件的电路功能,近年来研制了各种结构,以便用一个器件完成除放大和开关以外的更多的电路功能,如倍增、倍频、信号分离器等.此外,为简化器件的制造工艺 ,突破传统真空FET的频率限制,还论述了平面结构的薄膜真空FET的现状以及用GaAs InP等单晶半绝缘材料取代SiO_2.作阴-栅介质层,以此降低器件的寄生电容,提高器件的输入阻抗,这就显著提高了器件的工作频率.最后,论述了真空微电子器件作为平板显示器的应用概况.现已研制出用于Laptop计算机、导航终端及便携式电视用的<4″的平板显示器.大面积彩色平板显示屏正在研制中.