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发光二极管(LED:Light Emitting Diode)是一种以化合物半导体为材料、采用微电子工艺制成PN结发光的光电器件。它具有如下特点:(1)低工作电压(2—4V),(2)高效率,(3)长寿命(可连连续工作几万小时),(4)响应速快(零点几微秒),(5)驱动电路简单等。经过30多年的发展,它的应用已从电脑、家电的电源指示灯发展到大面积显示屏、手机按键/屏幕背光源、汽车尾灯/刹车灯、交通信号灯、建筑物户外景观灯等,正在朝替代普通照明的荧光灯和白炽灯过渡。 相似文献
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有机电致发光技术被认为是可能替代液晶的新一代显示技术,白光有机发光器件由于可应用于液晶显示的背光源、普通照明、特殊光源以及实现全彩色有机发光显示而倍受瞩目。本文对白光有机电致发光器件的结构、工作原理等进行了简单的概述并总结了白光有机发光器件的最新进展。 相似文献
994.
详细介绍了工程测试分析方法———白光散斑法的原理、应用领域和测试方法。通过与传统电测法的比较说明该种方法的优越性,并论述了该种方法的实用性和可实施性。 相似文献
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997.
加速器驱动洁净能源系统(ADS)是核能可持续发展的一种创新的技术路线。散裂中子源是ADS的三个主要组成部分之一,产生强度约为10^18s^-1的中子,驱动临界堆。作为ADS系统的窗和靶材料,受高剂量的质子和中子辐照,其累积剂量率每年可以达到约200dpa。如此高的剂量,会产生严重的辐照损伤,导致ADS系统的故障或造成不堪设想的事故。钨用作ADS系统散裂中子源的窗和靶材料,需要对辐照损伤效应进行研究。本工作研究钨辐照损伤随辐照剂量的变化。现有中子和质子源强度低,不能直接用于ADS所遇到的高剂量的辐照效应研究,采用重离子辐照模拟方法研究高剂量中子或质子辐照在钨中产生的辐照损伤。 相似文献
998.
999.
1000.
白光LED技术及进展 总被引:3,自引:0,他引:3
半导体照明是本世纪最具发展前景的高技术领域之一,白光LED将成为21世纪的新一代光源——第四代电光源,可以替代白炽灯、荧光灯和高压气体放电灯等传统光源,白光LED孕育着巨大的商机。本文简介白光LED的基本原理、特点、发展和应用前景。 相似文献