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21.
超深冲IF钢退火过程中织构变化的ODF分析 总被引:5,自引:0,他引:5
采用ODF分析方法对IF钢冷轧板在退火过程中织构变化进行了分析。结果表明,随退火时间的延长,冷轧IF钢板在呔α,γ取向线上的{100}〈110〉,{112}〈110〉,{111}〈110〉,{111}〈112〉织构有所增减,其中{111}〈112〉织构明显增加。最终形成以{111}〈110〉,{111}〈112〉为主的退火织构。这正是使IF钢获得优良深冲性能必要条件。 相似文献
22.
用二次离子质谱对As+注入Si1-xGex的快速退火行为进行了研究,Si1-xGex样品中Ge组分分别为x=0.09,0.27和0.43,As注入剂量为2×10^16cm^-2,注放能量为100keV,快速退火温度分别为950℃和1050℃,时间均为18秒,实验结果表明,Si2-xGex样品,As浓度分布呈组分密切相关,Ge组分越大,As扩散越快,对于Ge组分较大的Si1-xGex样吕,Asdispla 相似文献
23.
194 9年Shannon和Weaver在《通信的数学理论》一书中明确给出了信息熵的概念[1] ,195 7年Jaynes指出 ,最大熵原理可以作为衡量可能分布的一种尺度[2 ] 。目前最大熵方法已经被广泛应用于信息处理和图像恢复等不同领域。最大熵原理在电子显微学领域中同样得到了很好的应用 ,主要工作集中在消除像的噪声和改善像的质量。 1991年胡建军和李方华等成功地将最大熵原理应用于高分辨电子显微像的解卷处理[3 ] 。随后报导了最大熵解卷中出现形式上的“多解”现象[4] ,并指出“多解”源于傅里叶像效应[5] ,讨论了确定真解的办法。… 相似文献
24.
冷轧形变量对钛板材再结晶织构形成的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用三维晶体学取向分布函数(CODF)分析法研究了工业纯钛板材不同冷轧形变量对织构形成的影响。结果表明,冷轧形变量为50-70%时,再结晶退火后形成了(2118)(0110)和(1018)(1210)的部分纤维织构,而在30%较低或86%较高的形变量冷轧时,形成典型的轧制织构(2115)(0110)和再结晶织构(1013)(1210)型式。 相似文献
25.
26.
27.
高质量ZnO薄膜的退火性质研究 总被引:3,自引:0,他引:3
在LP-MOCVD中,我们利用Zn(C2H5)2作Zn源,CO2作氧源,在(0002)蓝宝石衬底上成功制备出皮c轴取向高度一致的ZnO薄膜,并对其进行500℃-800℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后,(0002)ZnO的XRD衍射峰强度显著增强,c轴晶格常数变小,同时(0002)ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大,这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小,PL谱的带边发射则加强,并出现红移,蓝带发光被有效抑制,表明ZnO薄膜的质量得到提高。 相似文献
28.
Si衬底上Ta-N/Cu薄膜性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析,结果发现500℃以下薄膜电随几乎不变,600-690℃下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电阻的热氧化和Cu熔化扩散引起的,而690℃以上的电阻率增加是由于Cu引线传输能力减弱所致,为0.18μm以下的超大规模集成电路中的Cu引线和电阻薄膜的制作提供了有益的借鉴。 相似文献
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