高效率降压式DC/DC变换器VT103

<正> VT103是VOLTERRA公司推出的一种高效率、低电压输出的降压式DC/DC变换器。该器件主要特点有:输出电压可设定,在输出1.8V时转换效率保证大于90％,输出电压降到1.23V时转换效率仍可保证大于88％;输入电压为2.7～6V;输出电压范围为1.23～5.9V(压差约100mV);最大输出电流为1.2A:内部振荡器频率为1MHz,也可用外部时钟,以减少噪声干扰:有PWM或PFM模式选择,以保证不同负载时都有高的效率;采用PFM模式时,工作电流典型值为125μA;有关闭控制端,在关闭模式时耗电仅为5.5μA(典型值);在低压差     

凌特公司推出引脚阈值可选的监视器IC

凌特( Linear Tech)公司日前推出LTC2 90 4/LTC2 90 5和LTC2 90 6/LTC2 90 7小型双电源监视器IC。LTC2 90 4和LTC2 90 5具有九种输入阈值电压组合,而LTC2 90 6和LTC2 90 7则提供了可在0 .5 V以上调节的输入和三种可选的电压输入。所有这些IC的电源电压容限均有5 %、7.5 %和1 0 %三种可供选择,以便提供可能的冗余电压。电压阈值和容限可通过三态引脚进行选择,无需任何外部元件。这种简单的三态选择方法提供了电压阈值和容限的多种选择,从而无需再为各种输入电源组合检验、外购和储备各种元件。这些器件具有±1 .5 %的电压阈值精…     

09MnVTiN微合金钢的SH-CCT曲线

用膨胀法测绘了高温再结晶控轧控冷09MAVTiN钢的模拟焊接热影响区(HAZ)连续冷却转变图(SH-CCT曲线)．对各种冷却速度所获显微组织进行了分析，并与15Mn和16Mn钢的相应情况进行了对比分析。采用SEM-WDS分析了沉淀相的类型及其对先共析铁素体形核的影响。     

GaAs基单片集成InGaP／AIGaAs／InGaAs增强／耗尽型PHEMTs

提出了一种新结构单片集成增强/耗尽型(E/D)InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).外延层材料通过分子束外延技术生长,在室温下,其电子迁移率和二维电子气浓度分别为5410cm2/(V·s)和1.34×1012cm-2.首次提出了普通光学接触曝光分步制作增强与耗尽型的栅技术方法.研制出了单片集成E/D型PHEMTs,获得良好的直流和交流特性,最大饱和漏电流密度分别为300和340mA/mm,跨导为350和300mS/mm,阈值电压为0.2和-0.4V,增强型的fT和fmax为10.3和12.4GHz,耗尽型的fT和fmax为12.8和14.7GHz.增强/耗尽型PHEMTs的栅漏反向击穿电压都为-14V.     

Monolithic Integration of InGaP/AlGaAs/InGaAs Enhancement/Depletion-Mode PHEMTs

提出了一种新结构单片集成增强/耗尽型(E/D)InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).外延层材料通过分子束外延技术生长,在室温下,其电子迁移率和二维电子气浓度分别为5410cm2/(V·s)和1.34×1012cm-2.首次提出了普通光学接触曝光分步制作增强与耗尽型的栅技术方法.研制出了单片集成E/D型PHEMTs,获得良好的直流和交流特性,最大饱和漏电流密度分别为300和340mA/mm,跨导为350和300mS/mm,阈值电压为0.2和-0.4V,增强型的fT和fmax为10.3和12.4GHz,耗尽型的fT和fmax为12.8和14.7GHz.增强/耗尽型PHEMTs的栅漏反向击穿电压都为-14V.     

VT－52推挽单声道放大器的制作

本文介绍的VT52推挽单声道放大器，巧妙地使用了真空管、变压器等元器件，使其分析能力十分高超并兼具强大的驱动能力，适应DVD音频及SACD的重放。     

亚100nm多栅MOSFET的三维模拟

使用三维模拟软件对具有FINFET的多栅结构(主要是双栅和三栅)进行了模拟.对比了双栅和三栅的I-V特性.发现三栅的特性要优于双栅;减小FIN宽度(即两个侧栅之间的距离),双栅和三栅结构特性之间的差距变小.     

亚100nm多栅MOSFET的三维模拟

使用三维模拟软件对具有FINFET的多栅结构(主要是双栅和三栅)进行了模拟.对比了双栅和三栅的I-V特性.发现三栅的特性要优于双栅;减小FIN宽度(即两个侧栅之间的距离),双栅和三栅结构特性之间的差距变小.