Al_2O_3高k栅介质的可靠性

利用反应溅射方法制备了等效氧化层厚度为3 45nm的Al2 O3栅介质MOS电容,研究了Al2 O3作为栅介质的瞬时击穿和恒压应力下的时变击穿等可靠性特征.击穿实验显示,样品的Al2 O3栅介质的等效击穿场强大小为1 2 8MV/cm .在时变击穿的实验中,Al2 O3栅介质表现出类似于SiO2 的软击穿现象.不同栅压应力作用的测试结果表明,介质中注入电荷的积累效应是引起软击穿的主要因素,其对应的介质击穿电荷QBD约为30～60C/cm2 .     

亚100nm多栅MOSFET的三维模拟

使用三维模拟软件对具有FINFET的多栅结构(主要是双栅和三栅)进行了模拟.对比了双栅和三栅的I-V特性.发现三栅的特性要优于双栅;减小FIN宽度(即两个侧栅之间的距离),双栅和三栅结构特性之间的差距变小.     

亚100nm多栅MOSFET的三维模拟

使用三维模拟软件对具有FINFET的多栅结构(主要是双栅和三栅)进行了模拟.对比了双栅和三栅的I-V特性.发现三栅的特性要优于双栅;减小FIN宽度(即两个侧栅之间的距离),双栅和三栅结构特性之间的差距变小.     

Al2O3高k栅介质的可靠性

利用反应溅射方法制备了等效氧化层厚度为3．45nm的Al2O3栅介质MOS电容，研究了Al2O3作为栅介质的瞬时击穿和恒压应力下的时变击穿等可靠性特征．击穿实验显示，样品的Al2O3栅介质的等效击穿场强大小为12.8MV／cm.在时变击穿的实验中，Al2O3栅介质表现出类似于SiO2的软击穿现象．不同栅压应力作用的测试结果表明，介质中注入电荷的积累效应是引起软击穿的主要因素，其对应的介质击穿电荷QBD约为30～60C／cm^2．     

纳米级MOSFET的模拟

利用从量子波尔兹曼方程简化得到的双量子修正和计入载流子动量的全流体动力学模型，编制了流体动力学半导体器件模拟程序，并对栅长25nm的体硅MOSFET和栅长30nm的FinFET结构进行了模拟。模拟结果表明，改进后的流体动力学模型在工程应用中能够适应模拟纳米级MOSFET的要求，用于纳米级MOSFET的特性研究和优化设计。     

煤矿机械产品的人性化设计研究

阐述人性化设计的相关理论,并且系统论述煤矿机械设备如何进行人性化的设计开发.从人机界面、人机工程学、机械产品美学等几个方面进行了研究,使"以人为本"的设计思想得到了充分的体现,在注重人使用机械设备的舒适性,操作方式、生理、心理、产品语意上赋予产品的人性化关怀,使煤矿机械设备更宜人、悦人,从而表明了煤矿机械设备的发展方向.     

简单实用的汽车防盗报警器

这种防盗报警器制作简单,成本低廉,性能可靠,使用方便。在车上试用一年多效果甚好,现介绍给广大电子爱好者。     

纳米级MOSFET的模拟

利用从量子波尔兹曼方程简化得到的双量子修正和计入载流子动量的全流体动力学模型,编制了流体动力学半导体器件模拟程序,并对栅长25nm的体硅MOSFET和栅长30nm的FinFET结构进行了模拟.模拟结果表明,改进后的流体动力学模型在工程应用中能够适应模拟纳米级MOSFET的要求,用于纳米级MOSFET的特性研究和优化设计.     

纳米级MOSFET的模拟

利用从量子波尔兹曼方程简化得到的双量子修正和计入载流子动量的全流体动力学模型,编制了流体动力学半导体器件模拟程序,并对栅长25nm的体硅MOSFET和栅长30nm的FinFET结构进行了模拟.模拟结果表明,改进后的流体动力学模型在工程应用中能够适应模拟纳米级MOSFET的要求,用于纳米级MOSFET的特性研究和优化设计.     

亚100nm多栅MOSFET的三维模拟

使用三维模拟软件对具有FINFET的多栅结构(主要是双栅和三栅)进行了模拟，对比了双栅和三栅的I-V特性，发现三栅的特性要优于双栅；减小FIN宽度(即两个侧栅之间的距离)，双栅和三栅结构特性之间的差距变小。