基于IGZO薄膜晶体管的高可靠性时分驱动GOA电路

本文提出一种新颖的基于IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)薄膜晶体管的双向扫描集成栅极驱动（Gate Driver on Array,GOA）电路,特别适用于in-cell触控显示.本文提出的GOA电路采用时分驱动方式（Time-Division Driving Method,TDDM）实现高报点率的in-cell触控,并防止触控信号失真.该GOA电路支持扫描-暂停-重启模式,即输出几十个连续的显示寻址扫描脉冲后,栅极驱动输出暂停以执行触控侦测.在触控侦测期间,GOA电路中的Touch控制单元开始工作,使所有栅极输出低电位以消除显示驱动信号对触控的干扰.此外,本文提出的GOA电路采用双低电平维持（Low Level Maintaining,LLM）模块,能有效抑制LLM晶体管的阈值电压漂移.电学模拟结果表明,本文提出的GOA电路无论工作于正向还是反向扫描,均能产生均匀的输出波形,并且停坑级的输出波形与正常级波形一致.采用IGZO晶体管制作了10.4英寸in-cell触控显示面板以验证本文提出的GOA电路,支持90 Hz显示刷新率与180 Hz触控报点率.此外,...     

SOINMOSFET沟道热载流子的应力损伤

研究了沟道热载流子应力所引起的SOI NMOSFET的损伤,发现在中栅压应力（Vg≈Vd/2）和高栅压应力（Vg≈Vd）条件下,器件损伤表面出单一的幂律规律;而在低栅压应力（Vgs≈Vth)下,多特性的退化规律便会表现出来。同时,应力漏电压的升高、应力时间的延续都会导致退化特性的改变。这使预测SOI器件的寿命变得非常困难。     

新型矢量控制逆变器THYFREC—VT310

为了满足不断发展的市场需求,明电舍公司最近开发了功能全、性能好的矢量控制型逆变器ＴＨＹＦＲＥＣ—ＶＴ３１０（以下简称ＶＴ３１０）单元。其主要特点如下。（１）噪音低、响应快其主回路元件应用了新一代低损耗ＩＧＢＴ,因此,降低了电磁噪音,并实现了小型化。另外,与开关频率成正比,速度响应与电流控制响应均有了明显提高。（２）速度稳定性好一改以往旋转编码器式的速度检测方法,采用由速度观测器组成的速度推算系统,避免了以前因低速区域产生的脉冲间隔大,致使速度检测误差随之增多,进而出现不稳定的现象。即使在极低速度…     

会唱歌的三极管

<正> 本文介绍适合于初级电子爱好者使用的三种音乐三极管及其应用电路。这三种音乐三极管VT66型和VT66A型单音音乐三极管以及VT66D型双音音乐三极管的共同特点是音色纯正优美,性能稳定可靠,使用简单方便,体积小巧,省电,防潮,寿命特长。因此,它们已被广泛应用于音乐盒、音乐玩具、电话、门铃、汽车倒车告警器等方面。 1.单音音乐三极管电路 VT66和VT66A都是单音音乐三极管,但两者有所区别,即VT66是普通音乐三极管,VT66A是内部带     

N-IGBT 正偏压温度不稳定性阈值电压综合退化模型

N型绝缘栅双极型晶体管(N-IGBT)凭借其优良性能广泛应用于现代工业各个领域,预测特定条件下器件退化情况对提高N-IGBT可靠性具有重要意义。然而,随着N-IGBT制程的降低,因正偏压温度不稳定性(PBTI)造成的栅氧化层退化进一步加剧,退化宏观表现为器件剩余有用寿命(RUL)的降低和阈值电压的改变。基于经典Power Law模型和Arrhenius模型,以退化时间为切入点,提出了相对精度更高的三阶段Power Law-Arrhenius综合退化模型;通过加速退化实验模拟了正偏压温度不稳定性对N-IGBT的退化作用,并在退化后对反映功率器件剩余有用寿命的特征参数阈值电压进行测量;基于遗传优化算法和加速退化实验数据对综合退化模型参数进行优化拟合,确定了N-IGBT综合退化模型的一般数学表达形式,得出其精度在85%以上,并高于传统的Power Law模型精度。     

星用典型CMOS器件54HC0460Co源辐射效应研究

给出了加固和非加固 5 4HC0 4电路在不同辐射偏置下的低剂量率辐射实验结果 ,探讨了电流转移曲线、辐射感生漏电流、阈值电压、转换电压随辐射剂量的变化关系。     

星用典型CMOS器件54HC04^60Co源辐射效应研究

给出了加固和非加固５４ＨＣ０４电路在不同辐射偏置下的低剂量率辐射实验结果,探讨了电流转移曲线,辐射感生漏电流、阈值电压,转换电压随辐射剂量的变化关系。     

考虑弛豫效应的SiC MOSFET阈值电压测量方法研究

碳化硅(SiC) MOSFET栅极氧化层中的陷阱造就了其独特的阈值电压弛豫效应的特性，使得SiC MOSFET的阈值电压定义和测量成为一个棘手的问题。首先基于弛豫效应的饱和现象，提出了“预偏置+测量”组合的测量方法，一共需要测量两次阈值电压，以确定阈值电压漂移的上下限，并以其平均值定义为阈值电压。然后设计实验测量电路，对某型号SiC MOSFET器件在不同预偏置条件下进行实验测量，分析预偏置电压和脉冲持续时间对测量结果的影响，结果表明合理选择预偏置阶段的实验条件可以确保弛豫效应达到饱和，并可得到重复性的阈值电压测量结果。     

GaN HEMT器件60Co-γ辐照效应研究

研究了总剂量4 Mrad(Si) ⁶⁰Co-γ辐照对AlGaN/GaN HEMT器件的影响，器件在辐照过程中采用不同的加电方式。辐照过程会增加器件的栅泄漏电流，但辐照终止后电流快速恢复至初始状态。对比辐照前后的直流性能，器件的肖特基势垒高度、阈值电压、漏电流、跨导等未出现退化问题。实验结果表明，基于自主开发的GaN标准工艺平台所制备AlGaN/GaN HEMT器件，具有稳定可靠的⁶⁰Co-γ抗辐照能力。     

栅氧化层及界面电荷对SiC MOSFET阈值电压稳定性的影响

阈值电压不稳定是SiC MOSFET的一个主要问题，而栅氧化层及界面电荷是引起器件阈值电压不稳定的关键因素。结合三角波电压扫描法和中带电压法提取了SiC MOSFET中的栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度随应力时间的变化量，总结了三种电荷面密度变化量在不同应力时间下的变化规律，分析了其对器件阈值电压不稳定性的影响，同时推测了长时间偏压作用下SiC MOSFET阈值电压稳定性的劣化机制。测试结果表明，栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度在不同偏压温度下随应力时间的变化规律不同，常温应力下器件阈值电压稳定性劣化主要与栅氧化层陷阱电荷有关，而高温下，则主要与界面陷阱电荷有关。