In-situ birefringence microscopy of uniaxially stretched metal-polymer laminate

This paper concentrates on revealing the local deformation as a function of applied strain in a polymer coating supported by a plastically deforming and roughening metal substrate. To this end in-situ birefringence microscopy measurements have been executed. The measurements are performed in reflection and an alternative unwrapping scheme for the optical path difference is proposed. From the characterization of PET (polyethylene terephthalate) coated stainless steel it is concluded that strain localization appears below the macroscopic strain at yield and that the surface roughness of the substrate is the driving force of the localization.     

一种带接口的CMOS10位电流型乘法D／A转换器

介绍了一种带接口的单片ＣＭＯＳ１０位电流型乘法Ｄ／Ａ转换器的设计及工作方式。着重阐述逻辑电平转换、控制逻辑的结构设计及其工作方式。在不修调电阻网络的情况下，该Ｄ／Ａ转换器在５Ｖ、１５Ｖ下，其线性误差、微分误差、满刻度误差均能达到１０位精度     

OPC 技术与应用

OPC规范是应用软件与数据源的通用接口标准，实现了应用软件与现场设备的开放的、无缝隙的联接。OPC作为新技术，在工业自动化中占重要的地位。分析了OPC技术及其在工控中的应用。     

浅析展示空间界面的导向设计

文章基于视知觉及环境心理学的理论平台,从参观者对空间的形状、色彩、光照等方面的知觉体验入手,进而对空间界面的各个元素可产生的导向性加以逐步论述,得出了展示空间界面导向设计的原理和方法,表明空间层面导向系统的建立,将有效的促进整个展示空间中参观者路线的条理化,完善现今展示空间中标牌加文字来表现导向的单一形式,提高人们对展示内容的接受度。     

智能建筑中空调监控系统的交互界面设计

智能建筑是根据用户需求将建筑物的结构、设备、服务和管理进行最优组合以提供高效、舒适、便利的人性化建筑环境。文章以交互界面为切入点,用户需求为核心,对某智能建筑中空调监控系统的交互界面设计进行了探讨,以期为其它工业控制系统的交互界面设计提供参考。     

VisualC＋＋在《微机原理与接口》课程中的应用

利用工程应用实践,对《微机原理与接口》课程进行改革。使用流行的VisualC＋＋编程工具编写及制作USB接口系统,并将其扩展成图像采集系统。通过对一个完整的计算机软件与硬件系统的设计制作,使学生掌握实际开发能力,实现与日后工作的无缝连接。     

人机界面可用性测试与评估研究综述

介绍并评述人机界面可用性的定义、可用性测试与评估的指标及方法。学术界对于可用性的内涵已基本达成共识,但大多针对不同界面选取不同的测试与评估指标及权重,测试与评估方法也大都停留于主观评价,还未能深入探讨用户与系统交互过程中的内在心理机制。     

基于智能终端的移动MIS基础平台设计与研究

在综述目前广泛研究的智能终端模式的基础上,提出了一种新的基于智能终端和面向服务体系结构的移动MIS基础平台。该平台基于智能客户端技术和元数据业务模型,可以实现移动公办与后台管理信息系统的结合。详细阐述了移动MIS基础平台的设计、实现及其优点。     

基于SAP接口技术的移动终端解决方案

越来越多的企业正在或者即将用SAP作为ERP的应用载体。企业在得益于ERP精细化管理的同时,往往也为ERP与其他子系统整合集成所烦恼。介绍了几种应用于SAP的接口技术,其中包括RFC、ALE-IDOC、BAPI、SAP-DCOM以及Web Service接口技术。并且在此基础上,列举了企业内部的一个实例,展现了SAP通过接口技术与外部的PDA移动终端系统整合,从而解决了维修服务行业从接收工单、记录维修、备件管理等在移动环境下的应用需求。     

用于VLSI的SiO_xN_y薄膜的界面陷阱

采用雪崩热电子注入技术研究了用于VLSI的快速热氮化的SiO_xN_y薄膜界面陷阱。给出这种薄介质膜禁带中央界面陷阱密度随氮化时间的变化关系,观察到这种薄膜存在着不同类型的密度悬殊很大的电子陷阱。指出雪崩热电子注入过程中在Si/SiO_xN_y界面上产生两类性质不同的快界面态陷阱,并给出这两种陷阱在禁带中能级位置及密度大小关系;同时还给出禁带中央界面陷阱密度随雪崩注入剂量呈现弱“N”形变化关系,并对实验结果进行了讨论。