500kV伊敏─冯屯串联补偿站设计原则的研究──特高压线路用串联补偿站的典型单元

本文结合东北地区伊敏－齐齐哈尔冯屯变电站５００ｋＶ输电工程提出了５００ｋＶ等级串联电容补偿站的通用设计。设计中的主要技术为“积木式”构思，即用典型单元装配成不同参数的串补站，便于通用、制造与维护。本设计中采用的扩大的典型单元使辅助设备减少了几乎一半。新一代的ＺｎＯ保护装置，提高了串补站的性能。双回线中串补站的新型主结线方式，可以使串补站的电容器容量减少一半，就伊敏－冯屯串补站而言，可节省基建投资近５０００万元。本文所述的典型单元除对地绝缘外也可用于任何电压等级（７５０～１２００ｋＶ）。     

微分算子及梯度算子的逆算子在Hilbert空间的一种展开

微分算子及梯度算子的逆算子作为闭线性算子可以在 Hilbert 空间进行展开,这样就推出了级数的逐项积分公式,而级数收敛是指按 L~2空间的范数收敛。     

串补线路故障点位置的模型识别方法

文中提出了一种判断串补线路单相接地故障时故障点相对于串联补偿电容位置的模型识别方法，该方法通过比较不同模型计算出线路电感值的离散度来识别故障位置。将该方法和传统的距离保护相配合，可以解决传统距离保护在串补线路中超越的问题，使得距离Ⅰ段可以按全线阻抗整定，而不必考虑电容的容抗，很大程度地提高了距离Ⅰ段的灵敏度。判别过程仅利用MOV导通前一段时间的暂态量数据，不受MOV非线性特性的影响，避开了MOV导通后串补电容上电压准确值难以获得的问题。该方法仅利用单端电气量，无需通讯通道；数字仿真结果表明：该方法具有很好的适应性，适合于各种电压等级、各种频率的系统，线路各处故障。     

新型串联混合有源电力滤波器控制技术的研究

将串联型电力有源滤波器(APF)自身控制的稳定性与供电系统运行的稳定性分别加以研究，并对影响传统串联有源滤波器(SAPF)和传统串联混合有源滤波器(SHAPF)滤波性能的基本因数进行深入分析，以此为基础，提出一种新的超前补偿控制策略，使得SAPF或者SHAPF的滤波性能得到极大的提高，有效减少了有源部分的容量。10kVA的样机实验证实了控制的可行性。     

电抗器品质因数对TCSC特性的影响及阻抗特性的双解现象

可控串联电容器(Tcsc)装置的晶闸管控制支路电抗器(TCR)品质因数只能是有限值，该文通过时域数字仿真分析了这一参数对TCSC稳态阻抗特性的影响。仿真分析结果表明在电抗器品质因数有限的情况下，TCSC等效阻抗特性的谐振点相对理想情况会出现偏移；同时，在容性运行区间，对于同样的触发角指令，Q值越小，TCSC的等效基频电抗也越小，而在感性运行区间，情况则刚好相反。这种影响在感性和容性运行区间还因TCSC同步触发控制方式不同而存在较大的差异。当以电容电压过零点为同步触发参考时标时，触发角指令与等效阻抗之间是单值对应关系，而以线路电流为同步触发参考时标时，触发角指令与等效阻抗之间是双值对应关系，即所谓的双解阻抗特性。文章进一步研究了线电流同步方式下TCSC等效基频阻抗呈现双解的现象，指出产生该现象的根本原因是采用了不同的触发参考时标。TCSC等效基频阻抗特性的双解现象实际上是在以线路电流过零点为触发参考时标时TCSC表现出的一种特殊运行特性。它与以电容电压同步触发参考时标的阻抗特性之间具有确定的对应关系。在两种不同的触发时标下，通过详细时域仿真验证了上述结论。     

一种可配置的FACTS实验系统的研究

为了能够全面地了解FACTS系统的特性，本文建立了一台可配置的FACTS实验系统。根据不同的要求可以实现STATCOM、SSSC、DVR以及UPFC的功能。通过建立FACTS系统的状态空间模型，结合对不同FACTS系统工作的矢量图分析，设计了相应的控制系统。最后分别对上述四种FACTS系统进行了相应的实验，实验结果表明这种可配置的FACTS实验系统能够较好的实现上述四种FACTS系统的功能，它为研究设计、改进和验证FACTS控制系统提供了一个实验平台。     

鄂西渝东区上古生界构造型式及对石炭系勘探认识

鄂西渝东区海相地层经历了多期构造运动 ,受到过多种应力场作用 ,因应力条件、介质条件和边界条件差异 ,形成了现今比较复杂的构造面貌。纵向上 ,因上、下构造变形层抗应变能力的不同 ,在挤压应力作用下发生差异形变 ,产生纵向变异 ;横向上 ,形成了隆凹相间的区域构造面貌。本文根据鄂西渝东区区域和局部构造特征、构造型式、展布规律 ,论述了古、今构造对本区油气运移和聚集的控制作用 ,指出本区石炭系勘探的有利区带及目标。     

YB系列电机更新换代产品—YB2系列隔爆型三相异步电动机

就新一代YB2系列隔爆电机的结构、性能、特点和防爆安全性等进行了论述，并对其综合水平进行了分析。     

串联调谐装置的调谐分析

介绍了变压器工频耐压试验的串联调谐装置，对其性能和特性进行了分析，给出了结论。     

The determination of interface state energy distribution of the H-terminated Zn/p-type Si Schottky diodes with high series resistance by the admittance spectroscopy

Analysis of Zn/p-Si Schottky diodes (SDs) with high resistivity has been given by admittance spectroscopy. The importance of the series resistance in the determination of energy distribution of interface states and especially their relaxation time in the SDs with high resistivity has been considered. The effect of the series resistance on capacitance-conductance/frequency characteristics has been given by comparing experimental data with theoretical data. The interface state density N_ss from the admittance spectroscopy ranges from 1.0×10¹² cm⁻² eV⁻¹ in 0.720-E_v eV to 2.03×10¹² cm⁻² eV⁻¹ in 0.420-E_v eV. Furthermore, the relaxation time ranges from 4.20×10⁻⁵ s in (0.420-E_v) eV to 3.20×10⁻⁴ s in (0.720-E_v) eV. It has been seen that the interface state density has a very small distribution range (1.0-2.03×10¹² cm⁻² eV⁻¹) that is ascribed to the predominant termination with hydrogen of the silicon surface after HF treatment.