磁电雾化电晕放电低温等离子体及其应用

本文讨论了磁电雾化电晕放电低温等离子体技术的基本原理,以及它在静电除尘、烟气脱硫等环保生物工程等领域中的应用前景.     

新型的芯片间互连用CMOS/BiCMOS驱动器

从改善不同类型 IC芯片之间的电平匹配和驱动能力出发 ,设计了几例芯片间接口 (互连 )用 CMOS/Bi CMOS驱动电路 ,并提出了采用 0 .5 μm Bi CMOS工艺 ,制备所设计驱动器的技术要点和元器件参数。实验结果表明所设计驱动器既具有双极型电路快速、大电流驱动能力的特点 ,又具备 CMOS电路低压、低功耗的长处 ,因而它们特别适用于低电源电压、低功耗高速数字通信电路和信息处理系统。     

微流控分析芯片制作中的低温键合技术

微流控分析芯片制作方法的研究是微流控分析的基础。制作性能良好的微流控分析芯片时,基片与盖片的键合技术十分重要。本文针对近年来发展迅速的低温键合技术,对各种方法进行了评价,并对其发展前景进行了展望。     

小井距开发现河油田低渗油藏可行性研究

认为注采井网井距大,水驱控制程度差,采收率偏低是影响胜利油田现河低渗透油藏开发的关键,通过井间密度与水驱控制程度和采收率的关系等分析,提出了现河低渗透油藏开发的合理的井网密度。     

粉煤灰超细玻珠复配轻集料在固井低密度水泥浆中的作用

阐述了粉煤灰超细玻珠复配轻集料在固井低密度水泥浆中对其流变性能、强度、质量均匀性以及密度的影响和作用机理。表明该复配轻集料可以明显改善水泥浆的流动性、保水性以及水泥与高效外加剂的相容性,水泥石抗压和抗折强度有显著改善,水泥浆具有良好的质量均匀性,用该集料配制的超低密度水泥浆能满足固井要求,并由此提高固井的经济性。     

新场气田致密低渗透气藏重复压裂工艺技术

新场气田蓬莱镇组气藏由于储层致密、渗流条件差，单井自然产能低，所以多数气井必须进行压裂改造才能投产，但由于受储层致密和其它多种因素的影响，压裂增产有效期较短，针对这种情况，进行了气井重复压裂工艺技术的理论计算和现场应用研究，初步形成了一套包括储层评估、重复压裂潜力井优选、重复压裂造缝机理研究、优化重复压裂施工及配套工艺和压后评估的气井重复压裂技术。现场试验表明，对具有潜力的压裂失效气井采取重复压裂措施，能取得较好的增产效果。气井重复压裂技术的形成和推广，将有效提高川西地区各气藏的开发水平，同时也为类似致密碎屑岩气藏的开发提供有益的指导和借鉴。     

宝浪油田宝北区块低渗透油藏层系优化研究

针对宝浪油田宝北区块低孔低渗油藏地质特征以及油层层数多、分布井段长、部分零散层动用难度大等问题 ,研究了宝北区有效厚度、油层层数、单井产能及单井控制地质储量等层系划分与组合的技术经济界限 ,并在此基础上进行了宝北区层系划分与组合优化论证 ,最终优选出宝北区开发层系     

低温低渗透砂岩油藏窜流大孔道深部封堵技术研究

所用堵剂为高强度的淀粉接枝聚丙烯酰胺交联凝胶SAMG-1,由<6%淀粉、4.5%-5.5%丙烯酰胺、0.003%-0.006%交联剂组成,35℃成胶时间受淀粉和交联剂用量控制,为18-20小时以上,成胶前黏度-100 mPa.s。该堵剂具有长期稳定性,在储层岩心中注入深度15 cm的堵剂,在35℃候凝48小时后及老化90天后,封堵强度分别为0.61和0.59 MPa/cm,封堵率分别为98.6%和98.1%。该堵剂优先进入高渗层,注入0.5 PV并成胶后,2组双填砂管组成的模型低、高渗管渗透率保留率分别为68.4%、0.7%和69.4%、0.0%。吉林扶余油田西一区+15-8.2区块有水井6口,油井13口,含水率达91.5%,注入水最快在5天内到达油井。报道了该区块整体深部调剖封堵窜流通道的情况,详细叙述了+15-9.2井施工中通过注入压力和井底回压控制注入流量,使堵剂陆续进入原生和次生孔道的工艺作业,该井设计注入堵剂92 m3。6口水井整体调剖后,油井产液量差别减小,产油量增加,有效期已超过了9个月,共增油843 t,含水平均下降3.87%。图7表1参8。     

低密度微泡沫压井液的研究与应用

吐哈油田部分区块地层压力系数小于0.9,常规水基压井液对储层伤害大,若使用油基压井液成本高,环境污染严重。通过实验优选出了一种低密度水基微泡沫压井液。该压井液具有密度低、泡沫强度高、稳定性好、携砂能力强等优点。现场应用表明,低密度微泡沫压井液稳定时间大于48 h,密度在0.70~0.99 g/cm3之间可调,抗油污染能力强,抗油大于8%,抗温在100℃以上,岩心污染后渗透率恢复值大于80%;并且施工方便,成本低,具有储层保护能力,使用微泡沫压井液的井表皮系数在0.20~2.34之间。     

低光照和抗晕CCD的设计和制作

针对帧转移可见光CCD低光照响应、抗电晕能力和动态范围，较详细讨论了CCD光响应灵敏度、动态范围和抗电晕的设计与计算。设计的具有抗晕功能CCD，采用2μm工艺制作，达到了设计技术指标要求，满足了工程应用需求。