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91.
针对雷达目标一维像识别问题,提出了一种基于组织协同进化分类算法的识别方法.该方法与现有进化分类方法的不同之处在于它的进化操作直接作用于样本而不是规则,采用了一种自下而上的搜索机制,即先使若干样本的集合得到进化,再从进化结果中提取规则.这样有利于避免在进化过程中产生无意义的规则.该方法不需要进行特征提取;对于高维数据,不需要预先进行降维处理;没有复杂的运算,训练和识别的速度都很快.对3种飞机微波暗室实测数据的识别实验表明,该方法性能稳定,优于基于支撑矢量机与子波核函数的方法,识别率均达到了96%以上.实验中还对算法的抗噪能力进行了测试,获得了良好的效果. 相似文献
92.
利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象。通过分析拍频节点位置,得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为4meV。此外,通过迁移率谱方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关系。 相似文献
93.
鄂尔多斯盆地姬塬-堡子湾地区长4+5油层成岩作用与储层评价 总被引:4,自引:4,他引:0
利用岩石铸体薄片鉴定、X射线衍射分析、扫描电镜分析等测试手段,对鄂尔多斯盆地姬塬一堡子湾地区延长组长4+5油层储集岩的岩石学特征、成岩作用和物性特征进行了分析。结果表明,该储集岩为细粒的长石砂岩和岩屑长石砂岩,颗粒呈次棱角状,成分成熟度普遍较低,结构成熟度中等一较好;经历了压实、胶结、压溶和溶解等一系列成岩作用;储集岩具有低孔、低渗的特点。在以上研究基础上,结合压汞分析、孔隙组合分析,对储层进行综合评价认为,长4+5储层可分为4类,研究区以Ⅱ、Ⅲ类(中等一差)储层为主。 相似文献
94.
量子阱红外探测器能带结构的计算 总被引:1,自引:1,他引:0
利用电子波在阱与垒的界面上的反射及干涉效应,计算了量子阱红外探测器(QWIP)的能带结构,并对其适用性进行了分析和讨论。通过与K-P模型比较发现,本方法对计算较宽势阱(阱宽大于4nm)的量子阱结构的电子态适合。在垒宽和阱宽不变条件下,用两种方法计算得到的AlGaAs/GaAs量子阱材料中Al组分x与吸收峰值波长λp的关系曲线基本相同。结果说明,在较宽的范围内,本方法对QWIP能带结构的计算是适用且简便的。 相似文献
95.
96.
R. Meyer Hilde Hardtdegen R. Carius D. Grützmacher M. Stollenwerk P. Balk A. Kux B. Meyer 《Journal of Electronic Materials》1992,21(3):293-298
This paper presents a study of the structural and optical properties of strained GaInAs/ InP multiple quantum well (MQW) structures
fabricated by LP-MOVPE. The composition of the Ga
x
In1−x
As films ranged fromx = 0.17 tox = 1.0 and was determined by sputtered neutral mass spectrometry (SNMS) on thick layers. The structures of the MQW samples
with well widths from 1.5 to 5 nm were investigated by high resolution x-ray diffraction (HR-XRD). Simulations of the diffraction
patterns showed that transition layers of approximately 2 monolayer (ML) thickness with high lattice mismatch exist at the
interfaces. Photoluminescence (PL) measurements indicate well widths of a multiple of a monolayer with local variations of
one monolayer. The PL peak energies vary smoothly with the Ga concentration. These results were confirmed by optical absorption
measurements. 相似文献
97.
Numerical Modeling of Silicon Photodiodes for High-Accuracy Applications Part I. Simulation Programs
Jon Geist Deane Chandler-Horowitz A. M. Robinson C. R. James 《Journal of research of the National Institute of Standards and Technology》1991,96(4):463-469
The suitability of the semiconductor-device modeling program PC-1D for high-accuracy simulation of silicon photodiodes is discussed. A set of user interface programs optimized to support high-accuracy batch-mode operation of PC-1D for modeling the internal quantum efficiency of photodiodes is also described. The optimization includes correction for the dark current under reverse- and forward-bias conditions before calculating the quantum efficiency, and easy access to the highest numerical accuracy available from PC-1D, neither of which is conveniently available with PC-1D’s standard user interface. 相似文献
98.
本文制备了四种不同粒度的超微粒AgBr照相乳剂,用X射线衍射技术对其粒子的大小进行了测定;观察到乳剂的紫外吸收峰随晶体颗粒的减小表现出逐渐蓝移;本文提出晶体表面的悬键的存在使得纳米晶体的平均键能升高,并对纳米AgBr乳剂的量子尺寸效应进行了解释。 相似文献
99.
对In(0.2)Ga(0.8)As/GaAs应变多量子阱在77K下的光调制反射谱(PR)和热调制反射谱(TR)进行了实验研究.对PR结果的线形拟合指认了应变多量子阱中子能级的跃迁,并与理论计算结果作了比较.实验对比确认PR中11H、13H等跃迁结构为非耦合态、具有电场调制机构的一阶微商性质.而11L、31H、22H等跃迁结构为阶间耦合态,对这些隧穿耦合的低场调制产生三阶微商特性. 相似文献
100.