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991.
992.
双馈电机风电场等裕度无功分配策略 总被引:1,自引:0,他引:1
双馈式异步发电机可实现P-Q解耦控制,能够为电网提供无功支持,但其输出功率受变流器容量限制。为充分发挥双馈机无功调节能力,提出等裕度无功分配策略:根据各台风机无功极限的大小,以各机组具有相同的无功裕度作为无功分配的标准。该策略能够使风电厂在满足电网功率因数要求的同时,有效防止有功出力较大的双馈机由于变流器电流越限而发生跳机的现象,提高风电场运行可靠性。采用PSCAD/EMTDC软件进行仿真研究,通过与等功率因数无功分配策略进行比较,验证了等裕度无功分配策略的有效性。 相似文献
993.
994.
Dheeman ChatterjeeArindam Ghosh 《International Journal of Electrical Power & Energy Systems》2011,33(3):531-539
This paper discusses the use of trajectory sensitivity analysis (TSA) in determining the transient stability margin of a power system compensated by a shunt FACTS device. The shunt device used is static synchronous compensator (STATCOM). It is shown that TSA can be used for the design of controller for the STATCOM. The preferable locations for the placement of the STATCOM for different fault conditions are also identified. The effects of STATCOM in maintaining different bus voltages in the post-fault condition are studied. The STATCOM is modeled by a voltage source connected to the system through a transformer. The systems used for the study are the WSCC 3-machine 9-bus system and the IEEE 16-machine 68-bus system. 相似文献
995.
针对高压交联聚乙烯电力电缆中间接头绝缘缺陷的辨识问题,提出一种局部放电灰度图像特征提取的双向二维最大间距准则方法,对获取的局部放电灰度图像从水平和垂直2个方向进行投影,得到了不同类别灰度图的鉴别矢量,选用最近邻分类器进行局部放电分类,以辨识电缆中间接头出现的不同绝缘缺陷。该方法解决了局部放电灰度图像特征提取维数大、识别样本少的难题。在对实验室4种典型电缆接头绝缘缺陷产生的PD信号进行对比辨识表明,其局部放电特征提取的速度和绝缘缺陷的识别率优于常用的主成分分析或Fisher鉴别分析方法。 相似文献
996.
风电系统距离Ⅲ段保护动作特性分析 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了异步发电机对输电线路距离Ⅲ段保护动作特性的影响.基于设定的定子电压,给出异步发电机理论阻抗.建立区分定、转子回路的风电系统潮流算法,计算异步发电机实际阻抗.根据风电系统节点电压对输入机械功率的灵敏度,以及保护动作裕度对节点电压的灵敏度,建立保护动作裕度对输入功率的线性关系.计算结果表明:异步发电机呈现负电阻、正电抗特性,使得线路远风电场节点测量阻抗类似反向故障;输入机械功率增加和定子电压降低,将减小异步发电机阻抗模值,降低保护动作裕度;风电场附近负荷增长,可能大幅降低线路远风电场节点距离Ⅲ段保护动作裕度. 相似文献
997.
砌体防倒塌钢桁架加固方法研究 总被引:1,自引:0,他引:1
上世纪后30年,我国建造了大量砌体结构,而现用中小学校舍占有其中相当的比例.对于砌体结构的改造与加固在现时代仍具有十分重要的意义.本文提出了一种利用钢桁架对砌体结构进行防倒塌加固的方法,包括计算假定以及设计理论,并且给出了该加固方法的设计流程.分析表明,防倒塌钢桁架加固方法,在提高结构系统的安全储备方面可以发挥重要作用... 相似文献
998.
999.
Yeonbae Chung 《International Journal of Electronics》2013,100(6):831-848
The stability and leakage power of SRAMs have become an important issue with scaling of CMOS technology. This article reports a novel 8-transistor (8T) SRAM cell improving the read and write stability of data storage elements and reducing the leakage current in idle mode. In read operation, the bit-cell keeps the noise-vulnerable data ‘low’ node voltage close to the ground level and thus producing near-ideal voltage transfer characteristics essential for robust read functionality. In write operation, a negative bias on the cell facilitates to change contents of the bit. Unlike the conventional 6T cell, there is no conflicting read and write requirement on sizing the transistors. In standby mode, the built-in stacked device in the 8T cell reduces the leakage current significantly. The 8T SRAM cell implemented in a 130 nm CMOS technology demonstrates 2× higher read stability while bearing 20% better write-ability at 1.2 V typical condition and a reduction by 45% in leakage power consumption compared to the standard 6T cell. Results of the bit-cell architecture were also compared to the dual-port 8T SRAM cell. The stability enhancement and leakage power reduction provided with the proposed cell are confirmed under process, voltage and temperature variations. 相似文献
1000.
《China Nonferrous Metals Monthly》2014,(11)
正"Currently China’s mining industry is at the stage of downturn deep adjustment period,and the key factor affecting the recovery is the downward margin and adjustment duration.The only way out is to deepen reform,speed up structural adjustment,kick off a new round of technological innovation,improve labor 相似文献