纳米光电子器件的最新进展及发展趋势

主要介绍了纳米光电子学的基本概念、发展模式以及纳米光电子器件的最新进展和发展趋势。     

LiNbO3电光调制器制作技术

光凋制器是光通信关键器件之一。国内外已对LiNbO3电光凋制器开展了基础理论，结构设计、工艺制作、性能测试等方面的研究和开发。本文介绍了LiNbO3调制器关键制作技术与工艺。     

集成式可调谐半导体激光器及其封装

为适应于光通信网络发展的需要,业界已开发出可调谐半导体激光器,光功能的高效率集成封装可提高耦合效率,还可减少成本。文章介绍了几种集成式可调谐半导体激光器及其封装技术。指出可调谐激光器的发展趋势是集成化和模块化。     

光通信有源器件技术发展与市场趋势

引言 光有源器件在光通信领域具有十分重要的地位.随着全球光通信长途网络日趋饱和,光通信的建设重点转向城域网和接入网,光有源器件及其技术也在向模块化、集成化、多功能、灵活性、低成本方向发展.目前,光有源器件的热点技术是1 0G收发模块、131 0nm VCSEL、无致冷直接调制10Gb/s半导体激光器、小模块化的光转发器、可调谐多波长半导体激光器、40G光调制器技术.     

立方相SiC MEMS器件研究进展

主要介绍了近年来国内外出现的有市场推广潜力的立方相碳化硅(3C-SiC)MEMS器件,详细描述了其中一些典型器件的基本结构、加工工艺及初步测试结果,并指出了要想提高器件的可靠性,需要获得低残余应力、低应力梯度的薄膜材料,应当采用合适的刻蚀方法,还需保证金属与碳化硅欧姆接触的稳定性,同时高温引线键合与封装工艺亦不能忽视。随着材料生长和加工成本的不断降低,3C-SiC基MEMS器件将会逐步走向商品化。     

集成光学器件的无源光纤集成芯片耦合及组装

本文介绍和比较了两种集成光学器件的无源光纤集成芯片耦合及组装方法。一种是双芯片法,另一种是单芯片法,文中还介绍了这两种方法的制作工艺。     

光子晶体与光子晶体无源器件

光子晶体是一门正在蓬勃发展的、很有前途的新学科。近年来,光子晶体及其技术受到世界各国的重视,并已取得很大进展。本文介绍了光子晶体及根据其原理开发的多种光子晶体无源器件,这些光子晶体无源器件将在光通信和光电子领域获得重要和广泛的应用。     

一种新颖的Foveon X3 CCD图像传感器

概述Foveon X3 CCD图像传感器的工作原理、特性及其在数码相机中的应用。     

MOEMS器件技术与封装

微光电子机械系统(MOEMS)已经在业界受到研究人员和相关人士的极大关注。文章介绍了MOEMS器件,主要就其制作工艺和封装技术做了讨论。其中,文章着重详细介绍了微光电子机械系统器件的封装工艺和相关技术。