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11.
累托石的开发利用   总被引:9,自引:1,他引:9  
介绍了累托石粘土矿物的物化性能和工艺性能 ,以及提纯工艺和开发利用现状  相似文献   
12.
本文报道了"碱融-酸浸"法对工业生产SiC的副产品石墨废料的提纯研究,通过研究焙烧温度、焙烧时间、酸浸浓度、酸浸时间等因素对提纯效果的影响,确定了该类石墨提纯工艺的最佳条件:实验中NaOH与石墨质量比为2∶1,焙烧温度为650℃,焙烧时间为60min;室温下酸浸过程的HCl浓度为10%,酸浸时间为180min,此条件下提纯后的石墨其固定碳含量提升到98%以上。  相似文献   
13.
通过大量实验,我们研究出一种提纯超细金刚石微粉的新方法:在专用试剂中利用超声波强力分散作用,打开金刚石制备过程形成的聚结体杂质,这样就增加试剂的接触面积,提高杂质成分的分解效果,最终得到提纯至99.95%以上的超细金刚石微粉.结果表明:在30 min之内提纯效果随着超声时间的增加而增加,超声时间超过30 min以后提纯效果反而会下降,在超声时间为30 min时提纯效果有一最佳值.并借助TG-DSC、XRD等测试方法对提纯前后的金刚石微粉进行对比分析.  相似文献   
14.
15.
APA-1型自动探针原子化器的研制   总被引:1,自引:0,他引:1  
简要介绍了探针等温原子化技术发展概况,研制APA-1型自动探针原子化器的思路。主要介绍了仪器各部分的结构、工作原理、功能和技术指标。对仪器的操作步骤和部分元素的探针原子化测定条件进行了说明。  相似文献   
16.
长余辉发光材料的硅溶胶表面包覆研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
韩丽  侯书恩  潘勇 《涂料工业》2007,37(7):18-21
采用正硅酸乙酯(TEOS)为原料,通过溶胶-凝胶法对铝酸锶型长余辉发光粉颗粒表面包覆氧化硅膜,防止发光粉的水解失效。试验以草酸作催化剂,分别讨论了乙醇、水、催化剂对包膜效果的影响,最终确定硅溶胶制备的工艺条件[n(TEOS):n(EtOH):n(H2O)为1:4:8]。经耐水性、激发光谱、发射光谱以及长余辉性能测试,发光粉与SiO2的比为10:4时就可以很好地防止水解,晶体结构不会发生变化,初始亮度为包膜前的95.9%,余辉时间长达12h。  相似文献   
17.
稻壳灰制水玻璃的正交试验研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
利用稻壳灰与NaOH溶液反应制备水玻璃.采用正交试验设计,研究NaOH溶液质量分数、物料比(NaOH溶液与稻壳灰的质量比)、反应时间和反应温度对siO2溶出率和水玻璃模数的影响.对正交试验结果进行了极差分析和方差分析,两种分析方法得出的结论一致.最优方案为为NaOH溶液质量分数为20%,物料比为3:1,反应时间4 h,反应温度100℃.经试验验证,最优方案的溶出率和模数分别达到95.74%和3.3,为最优试验结果.  相似文献   
18.
本研究以Ce(NO3)3.6H2O和Sm2O3为主要原料,采用共沉淀-喷雾干燥法制备出Sm2O3掺杂CeO2(SDC)的纳米粉末。通过对制得粉体进行DSC-TG、XRD、SEM等表征,研究了SDC纳米晶在煅烧过程中的晶体生长动力学。结果表明:400℃以下,煅烧时间对SDC晶粒尺寸的影响很小,随着温度的升高,其影响逐渐增大,800℃时,煅烧时间对晶粒尺寸的影响很大;但随着煅烧温度的提高,其影响又逐渐减小,在1000℃时,晶粒粒径随着煅烧时间的延长,不再发生变化。根据晶体生长动力学方程,SDC的晶体生长机制在不同温度条件下存在一定差异,在低温下(300-400℃),界面反应占主导;中温下(500℃左右),纳米效应、界面反应与扩散传质的共同作用;高温下(600-800℃),体现为扩散传质。  相似文献   
19.
对喷墨打印成型用纳米ZrO2 陶瓷墨水的分散制备法进行了研究。采用聚丙烯酸铵和聚乙二醇 20000作为分散剂,以水为介质,探索了聚丙烯酸铵、聚乙二醇 20000的含量,pH值及试液浓度对纳米ZrO2 陶瓷墨水的分散性和稳定性的影响,对不同百分含量的纳米ZrO2 陶瓷墨水进行了研究,获得了均匀分散、微粒尺寸<1μm的纳米ZrO2 陶瓷墨水,考察了它的理化性能,如粘度、电导率、稳定性等,并对性能改善进行了探讨,使所制墨水满足打印机的要求。  相似文献   
20.
纳米晶钇稳定氧化锆的制备及表征   总被引:2,自引:0,他引:2  
以草酸盐为沉淀剂,通过化学共沉淀-高温煅烧法制备了系列钇稳定氧化锆,采用XRD分析技术对样品进行表征。结果表明,不进行钇掺杂时,ZrO2在煅烧温度较低时,晶型以t-ZrO2为主,煅烧温度提高,t-ZrO2向m-ZrO2转变,900℃时晶型已完全转变为m-ZrO2。掺杂钇后低温煅烧产物晶型为四方相,当掺杂钇的含量低于6%(摩尔分数)时,随着煅烧温度提高,少部分四方相转变为单斜相,转变比例随着掺杂量的提高而降低;掺杂钇的含量达到6%(摩尔分数)时,低温煅烧产物的晶型为四方相,随着煅烧温度的提高,晶型保持稳定。Y3+取代Zr4+产生氧缺陷是ZrO2晶体结构稳定化的主要因素。通过该方法制备的钇稳定氧化锆均为纳米晶,晶粒尺寸随着煅烧温度的提高而长大。  相似文献   
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