梅州香樟挥发油成分及其脂质体凝胶的制备

目的:探究梅州香樟挥发油成分及其脂质体凝胶的制备。方法:采用气相色谱-质谱(GC-MS)联用技术分析梅州香樟挥发油中的成分,通过薄膜分散法制备其脂质体,以羧甲基纤维素钠为基质制备脂质体凝胶。结果:GC-MS结果显示梅州香樟挥发油主要以右旋龙脑(78.56%)、樟脑油(21.07%)为主要成分;该挥发油脂质体凝胶包封率为84.6%(n=3),平均粒径为135.1nm。结论:梅州香樟挥发油中主要成分为右旋龙脑,制得其脂质体凝胶质量良好,该实验为梅州香樟的综合利用及进一步药用开发提供科学的参考依据。     

药剂学实验教学改革之我见

药剂学实验是药学本科的必修课程。为提高药剂学实验教学质量,培养学生岗位胜任力,弥补传统教学的不足,在教学改革中应用药学实验虚拟仿真平台-药品生产GMP虚拟实训仿真平台构建多个生产仿真场景,实现了在真实的工作环境中的模拟互动,弥补传统实验教学脱离实际生产的弊端,提高学生对药品实际生产的认识和理解。     

单片集成锁模量子点激光器

首先简要回顾了超短脉冲激光器(LD)的发展史,以及以半导体量子点为有源区的锁模量子点LD的提出及其潜在的、重要应用前景。随后介绍了锁模量子点LD的工作原理、各种锁模方式及其器件结构,进而讨论了量子点作为锁模LD有源区材料所具有的独特优势。最后在介绍锁模量子点激光器已取得的主要研究成果和发展趋势的同时,指出要获得高重复频率、高功率的锁模量子点激光飞秒脉冲,还须进一步对量子点有源区、器件结构和锁模偏置条件等要素进行优化。     

感应耦合等离子刻蚀二维低纳米级GaAs基光子晶体的过程优化研究

本文主要描述了用感应耦合等离子刻蚀系统（ICP）制作具有低纳米级空气孔阵列二维GaAs基光子晶体的过程。通过改变ICP功率,RF功率以及腔压三个参数,对光子晶体空气孔的侧壁和表面特性进行了系统的研究。结果表明,ICP功率的变化对空气孔侧壁和表面光滑度没有明显的影响,相反,RF功率和腔压对其起着重要的作用。最后通过优化各种过程参数,成功地获得了具有垂直平滑,直径约为130nm空气孔的光子晶体。本文ICP系统参数对光子晶体特性的影响主要通过扫描电镜进行分析,另外这种制作方法不局限于GaAs 基光子晶体,也可以应用于其它材料光子晶体的制作.     

Optical bistability in a two-section InAs quantum-dot laser

Room temperature,continuous-wave bistable operation is achieved in two-section 1.24μm InAs quantum-dot (QD) lasers with integrated intracavity QD saturable absorbers(SA).It is found that the hysteresis width is narrowed with increasing reverse bias voltage,and broadened with increasing length of saturable absorber.This can be explained by the competition between QD absorption and electroabsorption in the SA section.In addition,a larger hysteresis width is realized than other reports so far,which can be a...     

梅州香樟挥发油抗炎活性试验

目的:探究梅州香樟挥发油的抗炎活性。方法:采用角叉菜胶致大鼠足跖炎症模型评价梅州香樟挥发油及其脂质体凝胶的抗炎活性。结果:梅州香樟挥发油及其脂质体凝胶对大鼠足肿胀抑制率分别为26.92%和33.75%,而其脂质体凝胶肿胀抑制率高于市售红花油(32.03%)。结论:梅州香樟挥发油制成脂质体凝胶具有明显的抗炎活性,该实验为梅州香樟的综合利用及进一步药用开发提供科学的参考依据。     

(Ga,Mn,As)/GaAs的发光谱

利用低能双离子束外延技术 ,在 4 0 0℃条件下生长样品 (Ga,Mn,As) / Ga As.样品光致发光谱出现三个峰 ,即1.5 0 4 2 e V处的 Ga As激子峰、1.4 875 e V处的弱碳峰和低能侧的一宽发光带 .宽发光带的中心位置在 1.35 e V附近 ,半宽约 0 .1e V.在 84 0℃条件下对样品进行退火处理 ,退火后的谱结构类似退火前 ,但激子峰和碳杂质峰的峰位分别移至 1.5 0 6 5 e V和 1.4 894 e V,同时低能侧的宽发光带的强度大大增加 .这一宽发射带的来源还不清楚 ,原因可能是体内杂质和缺陷形成杂质带 ,生成 Mn2 As新相 ,Mn占 Ga位或形成 Ga Mn As合金     

离子注入法Mn掺杂InAs/GaAs量子点的光磁性质

用离子注入法对InAs/GaAs量子点掺杂Mn离子,量子点样品经过快速退火处理后同时具有低温铁磁性和发光性能.注Mn量子点发光峰在退火后蓝移,在较高注入剂量的样品中这种由于互扩散带来的蓝移受到抑制,认为这与样品中的缺陷以及Mn聚集在量子点周围减小量子点所受的应力,同时形成的团簇阻碍了界面上原子的互扩散作用有关.Mn在盖层中形成了GaMnAs和小的Mn颗粒,表现出较好的低温铁磁性.     

GaAs基上的InAs量子环制备

在分子束外延系统中,利用3nmGaAs薄盖层将InAs自组装量子点部分覆盖,然后在500°C以及As2气氛中退火一分钟,制成纳米尺度的InAs量子环。这一形成敏感地依赖于退火时的生长条件和生长InAs自组装量子点时的淀积量。InAs在GaAs表面的扩散以及同时发生的In-Ga互混控制着InAs量子环的形成。     

选择区域生长高质量InGaAsP多量子阱材料

采用 L P- MOVPE在 Si O2 掩膜的 In P衬底上实现了高质量的 In Ga As P多量子阱 (MQW)的选择区域生长(SAG) .通过改变生长温度和生长压力 ,MQW的适用范围由 C波段扩展至 L 波段 ,即 MQW的光致发光波长从15 46 nm延展至 16 2 1nm.光致发光 (PL)测试表明 :在宽达 75 nm的波长范围内 ,MQW的质量与非选择生长的MQW质量相当 ,并成功制作出电吸收调制 DFB激光器 (EML) .