从宏观经济学的角度分析金融危机的必然性

进入2009年全球将面临着严重的经济衰退,直接原因是由美国次级贷款危机引起的世界金融危机已影响到实体经济。本文从宏观经济学的角度,特别是通过对信贷货币的扩张及康德拉捷夫周期的分析来说明此次金融危机形成的必然性。     

MC2--一个基于多聚类中心的图像检索系统

介绍了一个基于多聚类中心的图像检索系统MC2(Multiple Cluster Centroids based CBIRS)的设计与实现,该系统采用一种基于多聚类中心的相关反馈框架,利用模糊聚类的方法对反馈图像集进行聚类分析,从而能更好地描述目标图像集的复杂分布.实验显示,比较寻求全局最优检索点的传统的图像检索系统,MC2能明显改善图像检索的效果且具有较强的稳定性.     

动态网络最短路问题的复杂性与近似算法

有向网络的最短路问题在交通、通信系统的最优路径计算以及多阶段决策过程的最优轨线设计等实际问题中有着重要应用.经典模型及算法解决固定弧权条件下的最短路问题,而实际中,网络往往是动态的,即弧权依赖于时间变化,例如在交通拥堵时运行时间会变长,这时经典的最短路算法不再适用.文中证明了动态网络的最短路问题是NP-困难的;给出了最短路稳定性的充要条件,并在此基础上提出一种基于稳定区间的近似算法,通过模拟实验验证了该算法的有效性.     

中性银粒子和银离子在Si(111)上沉积过程的AES研究

无论是蒸发沉积、离子溅射沉积、离子束沉积还是其它类型的沉积,所沉积的薄膜的微观结构、薄膜与衬底间的界面性质与沉积粒子的性质、能量等因素密切相关。本工作利用俄歇电子能谱仪(AES)所测得的俄歇信号时间曲线(AST),俄歇的价带电子跃迁(AVV)图以及俄歇信号相对强度与沉积厚度的相互关系曲线研究和分析银蒸发束(原子、分子、原子团束)、低能(22eV)和较高能(320eV)Ag~+束在室温Si(111)衬底表面上的沉积过程和可能发生的界面反应。实验结果表明:(1) 蒸发沉积时,银在衬底表面上首先是形成均匀的原子层,接着聚集成为小岛,随后才形成为完整的薄膜;(2) 低能(22eV)Ag~+束沉积时,薄膜为均匀的层状结构,也就是说,薄膜的生长方式是以层层生长方式进行的,衬底与薄膜间的界面在所讨论的1nm范围内是未反应的;(3) 高能(320eV)Ag~+束沉积时,在沉积的初始阶段,界面上会发生严重的混杂效应,以致于形成一种银和硅的混合相结构,在此之后,界面混杂才慢慢停止,形成完整的Ag薄膜。     

“产学研结合”培养工科类研究生人才

根据企业对高层次人才提出的客观要求及工科类专业应用性强的特点，对工科类研究生层次的应用型人才培养模式进行定位，提出“产学研结合”培养工科类研究生人才的模式。通过“产学研”的结合，注重联系生产实际，进一步增强研究生学习的目的性和主动性，提高研究生的实践能力和综合素质，从而达到培养高层次应用型人才的目的。     

基于ARM&FPGA的玻璃刻花机控制器的设计

在分析玻璃刻花工艺的基础上,研究了以嵌入式微处理器ARM和FPGA为核心架构的玻璃刻花机控制器硬件平台,以及以Linux和Xenomai构建的实时操作系统为软件框架的软件平台。针对玻璃刻花加工对同步控制、误差补偿和加工工艺的要求,研究了相关的功能模块,完成玻璃刻花机控制器的设计开发。     

涤棉针织物抗起毛起球整理剂的合成及应用

以异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)与聚丙二醇(PPG)为原料,二羟甲基丙酸(DMPA)为扩链剂,在二月桂酸二丁基锡(DBTDL)的催化作用下合成聚氨酯预聚体;再用端氨基硅油对预聚体进行改性、三乙胺中和,在高速搅拌下加入去离子水乳化,制得用于涤棉针织物抗起毛起球整理剂乳液。通过单因素实验确定的优化合成工艺:异佛尔酮二异氰酸酯与聚丙二醇物质的量比2.2∶1,二羟甲基丙酸用量9%(对异佛尔酮二异氰酸酯与聚丙二醇总质量),端氨基硅油用量30%(对聚氨酯预聚体质量)。在整理剂用量60g/L、整理液pH=6、焙烘温度160℃、焙烘时间2 min工艺条件下整理的织物,表面经向和纬向动摩擦系数分别由0.238、0.351降低至0.201、0.311,经向和纬向弯曲刚度分别由1.030、0.229 mN·cm降低至0.920、0.190 mN·cm,抗起毛起球性能提升了2～3级,提升效果显著。     

一种多电极阵列腐蚀微电流检测方法

针对多电极阵列腐蚀电流十分微小很难准确测量的问题,文中结合STM32单片机技术,设计了一种基于多路电子开关切换实时比对测量的方法,获取较高精度的测量。在选用偏置电流极小的运算放大器的基础上,通过DAC自动调压、开关悬空与接地的切换方式,消除运放失调电压的影响;运用开关分别接地与腐蚀电极的切换方式,消除低频电流噪声的干扰,提高各阵列微电流的测量精度。实验表明:该方法能够完成腐蚀电极0.1μA级精度的测量。