电子设备用电源供应器安全认证

文章介绍了美国UL认证、德国VDE认证、加拿大CSA认证和我国CQC认证。包括认证标志、认证步骤、跟踪检验服务。     

国际电工委员会(IEC)简介

文章介绍了国际电工委员会(IEC)成立过程、宗旨、目标、成员。详细介绍了IEC组织机构,IEC与国际标准化组织(ISO)的关系,以及我国参加IEC活动、采标转化情况。     

标准的分级和分类（续）

本文介绍了标准的三维空间概念，综述了标准的分级和分类。按标准化对象分为技术标准、管理标准、工作标准、服务标准，对技术标准作了详细的叙述。     

电涌保护器(SPD)中ZnO压敏电阻器的组合性能

本文综述了电涌保护器(SPD)中Zn O压敏电阻器的并联性能和并联实验结果,借用文献[1]的研究成果,利用压敏电压U1m A这一参数进行选片,综合提出了有效的选片方法。在低压电气系统中安装两个或两个以上SPD,综述介绍了SPD之间的能量配合。     

微波烧结氧化锌压敏电阻的致密化和晶粒生长

研究了微波烧结的ZnO压敏电阻的致密化和生长动力学, 微波烧结温度从900～1200℃, 保温时间从20min～2h. 研究表明, 微波烧结ZnO压敏电阻的物相组成和传统烧结的样品没有区别; 微波烧结有助于样品的致密化, 并降低致密化温度. 随着烧结温度的升高, 致密化和反致密化作用共同影响样品的密度, 其中Bi的挥发是主要影响因素. 微波烧结ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为2.9～3.4, 生长激活能为225kJ/mol, 传统烧结的ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为3.6～4.2, 生长激活能为363kJ/mol. 液相Bi₂O₃、尖晶石相和微波的“非热效应”是影响微波烧结ZnO压敏电阻陶瓷晶粒生长的主要因素.     

添加TiO2的ZnO压敏电阻的晶粒生长研究

电子产品对低压压敏电阻的需求日益增长;添加TiO2可以使ZnO压敏电阻的晶粒长大,能有效地对压敏电阻进行低压化;实验证明了TiO2晶粒助长的作用,并对新发现的突起物现象进行了分析.     

电路浪涌保护器件(续)

本文分析了压敏电阻、瞬态抑制二极管、静电保护元件、陶瓷气体放电管、玻璃放电管、半导体放电管等电路浪涌保护器件的特性、特点和选用方法,并汇总作了性能比较。     

压敏电阻过流保护技术

本文综合分析了压敏电阻的过电流保护技术的典型电路和改进电路;对压敏电阻与电流保险丝的浪涌电流承受能力作对比,指出了电路设计的现状及矛盾。让电流保险丝的作用专注于电路中精准的过流保护,以确保用户的安全。     

钾元素对氧化锌压敏电阻电性能的影响

采用溶液添加法在中压压敏电阻中引入金属K+离子,研究不同含量的K+对ZnO压敏电阻电性能的影响及其机理,结果表明:K+能增强ZnO压敏电阻的稳定性,富集在晶界处的K+因补充了晶界处正点中心的数量,使耐受8/20μs峰值电流冲击性能提高;K2O的高温液相烧结促使瓷体的气泡等烧结缺陷减少,使其2ms方波脉冲冲击性能提高;随着K掺入量的增加和烧结时间的延长,晶粒尺寸增大,压敏电压梯度减小。     

静电放电保护和片式压敏电阻器（续）

静电是由于处住不同带电序列位置的物体之间接触分离,使物体上的正负电荷失去平衡而发生的现象。随着电子设备功能的增加．输入／输出连接器也随之增多,这为静电放电（ESD）提供了进入电路的路径。因此,有必要采用静电放电保护元件,在静电放电进入电路板之前有效抑制静电放电事件的发生。本文详细分析了静电的产生及其危害,以及对静电产生的控制和埘静电放电采取的防护措施。