壁挂式电视用平板显示器

日本佳能公司最近开发了壁挂式电视用的薄型显示器件。其结构与阴极射线管相同，将电子射向荧光屏而发光，并可实现与阴极射线管相同的高质显示。这次试制的是7．8cm小型彩色显示器，厚度为1．5cm。纵80行，横80行排列的器件在真空中释放电子，距荧光板2mm左右发光。构成画面的各个器件，其核心部分由两块氧化铝的超微粒子薄膜构成。当电流在相隔10nm的两块薄板间流通时，电子便由一方薄膜撞击另一方薄膜的表面而射入荧光板。由于发光原理与阴极射线管几乎相同，从画面亮度、画质上看与阴极射线管无异。该器件的功耗，以1m显示器为例为100W…     

塑料衬底开发的低温多晶硅TFT阵列和驱动电路

据报道，英国Philips研究实验室在塑料衬底上使用低温多晶硅工艺，开发了108×96象素的TFT阵列和驱动电路，EEPROM，光电二极管以及指纹传感器。这次开发虽然仅完成了其基本电路的制作，但计划用于液晶平板显示器件。使用塑料衬底使液晶板很轻，采用集成式驱动电路符合小型化的要求。其衬底为聚酸胺和聚乙烯类材料，用等离子体CVD形成非晶硅膜，再用激光退火法做成多晶硅膜。最高工艺温度，聚酸胺为275℃，聚乙烯类材料为200℃。为了抑制漏电流，采用晶体管栅漏重合的LDD（lihtdopeddrain）结构。迁移率在160cm2／V·s时的漏电流在6…     

AlGaN/GaN HEMT器件可靠性测评技术

据《信学技报》(日)2009年109(25)期报道,日本北海道大学量子集成电子研究中心针对双栅结构AlGaN/GaN HEMT器件异质结构的AlGaN表面电流     

三菱电机开发的宽带移相器(APAA)

据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,日本三菱电机开发了All-Pass/BPF切换型MMIC移相器。该MMIC移相器工作于C波段,具有45°移相量,芯片尺寸为0.8 mm×0.6 mm。在4～8 GHz的带宽状态下,获得了插损在1.9 dB以下,反射损耗在14.8 dB以上,移相量47°±3.8°的良好特性。     

多台面型栅结构AlGaN/GaN HEMT的开发

据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,北海道大学量子集成电子研究中心采用周期性台面结构的多台面型沟道(MMC,Multi Mesa Channel)技术开发了AlGaN/GaN HMET,与一般的平面型HEMT相比,获得了低Knee电压和浅阈值电压。提高了栅控制性,线宽50 nm的MMC HEMT在线性方面获得高的电流驱动能力,在饱和方面具有优异的电流稳定性。     

采用InP HBT技术开发32 GS/s 6 bit D/A转换器

据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,日本NTT光电研究所为了开发双脉冲调制技术的D/A转换器而制作了InP HBT器件,该器件的特征频率为175 GHz,最大振荡频率为260 GHz。双脉冲调制型D/A转换器的芯片尺寸为3mm×3 mm,包含了大约2000个器件。该D/A转换器成功实现了32 GS/s的世界最高速性能,将应用于未来相干光通信系统。