斜坡补偿电路在峰值电流控制模式中的应用

介绍了电源驱动电路在峰值电流控制模式下的工作原理,分析了占空比D>50%时驱动电路产生振荡和不稳定的原因,从理论上论述了电感电流的斜率,占空比与系统稳定性之间的关系,运用斜坡补偿的方法实现电源驱动电路在峰值电流控制模式下的稳定,给出了斜坡补偿的基本原理,设计步骤以及补偿电路,最后给出以UC3842为控制芯片的反激式变化器斜坡补偿电路设计实例。仿真与实验结果表明,斜坡补偿电路能够实现峰值电流控制开关电源在占空比D>50%时稳定工作,保证了系统的稳定性和抗干扰能力。     

疏水型多孔陶瓷材料的研究

本研究通过多孔陶瓷材料的制备,并对其表面进行修饰,制备出了高气孔率、高机械强度、高疏水性能的疏水型多孔陶瓷材料。     

人工神经网络在陶瓷材料中的应用

综述了人工神经网络在陶瓷材料中的应用研究进展,分析了人工神经网络在古陶瓷分类和传统陶瓷配方设计、优化及性能预测方面的应用,此外,对人工神经网络在功能陶瓷材料、陶瓷基复合材料中的应用进行了详述,并指出在应用中存在的问题及未来发展趋势.     

摻杂Bi4Ti3O12铁电陶瓷的制备及其铁电性研究

为了提高Bi4Ti3O12材料的剩余极化强度,改善材料的铁电性,作者以Bi4Ti3O12为基础,采用固相法制备了Bi4Ti3O12铁电陶瓷,并通过摻入稀土离子Nb5 对其进行了改性,同时对试样的结构、形貌和铁电性能进行了测试.结果表明:Nb5 掺杂并不改变材料的相组成;当掺杂量为0.08 mol%时,材料的性能较好,晶粒大小均匀,平均晶粒尺寸为5 μm;适量的Nb5 掺杂能够显著提高材料的剩余极化强度,当掺杂量为0.08 mol%时,材料的剩余极化强度为14.2 μC/cm2,矫顽场为54 kV/cm.     

水热活化前驱物对制备Li4Ti5O12晶相的影响

采用溶胶-凝胶法制备出Li4Ti5O12前驱物,分别在温度为160℃、180℃、200℃的水热条件下活化前驱物,并进行煅烧。通过热分析、XRD、SEM测试手段对样品进行表征,结果表明：前驱物水热活化条件为180℃、10h,煅烧条件为800℃、8h,可以制备出纯度较高的Li4Ti5O12晶相,其纯度大于95％;制备的Li4Ti5O12粉体分散性好且为球形颗粒,颗粒尺寸分布比较均匀,平均粒径约为0．65μm．     

石墨烯的制备及研究现状

阐述了石墨烯的制备方法如机械剥离法、氧化石墨还原法、加热SiC法和化学气相沉积法等,分析了各种制备方法的优缺点。论述了石墨烯在纳米电子器件、取代硅芯片、制造最快的碳晶体管、减少噪声和潜在的储氢材料领域等方面的应用,同时简要分析了石墨烯的结构对其性质的影响,展望了其未来的发展前景。     

石墨烯的制备及表征研究进展

简述了石墨烯的力、热、电学特性;重点分析了制备石墨烯的几种不同方法,包括:机械剥离法、加热SiC法、石墨插层法、电弧放电法、化学气相沉积法、溶剂剥离法与溶剂热法等,并且评述了这几种方法的特点及存在的问题。介绍了石墨烯的几种表征方法,并阐述了其未来的发展前景。     

N掺杂介孔TiO_2纳米粉体的制备

以聚乙二醇400为表面活性剂、二乙醇胺为抑制剂,采用蒸发诱导自组装法(EISA)制备了介孔TiO2纳米粉体,并利用尿素为掺杂剂通过固相反应制备出高活性N掺杂介孔TiO2纳米粉体.利用XRD、FE-SEM、TG-DSC等方法对粉体的物相和形貌进行分析表征.结果表明,合成的粉体尺寸分布均匀、纯度高、具有均匀分布的介孔网状结构;N掺杂使介孔TiO2纳米粉体的UV-Vis光吸收曲线产生红移.     

溅射功率对AZO透明导电薄膜的影响

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积了AZO透明导电薄膜,并用原子力显微镜观测了薄膜表面形貌,XRD测试了薄膜相结构和单色仪测试了薄膜透射率。结果表明,制备的薄膜具有高度c轴择优取向性,其表面平整,晶粒均匀致密。当溅射功率为180W、溅射气体流量为15sccm、基片温度为200℃时制得的薄膜方阻为10Ω/□,在可见光区平均透射率大于85%。     

反相悬浮法制备交联阳离子型淀粉微球

以反相悬浮法制备了N，N’-亚甲基双丙烯酰胺交联淀粉微球，通过醚化剂GTA与淀粉微球反应制得了阳离子型淀粉微球．用FT—IR和XRD对阳离子型淀粉微球的结构进行了分析，以扫描电镜和粒度分析仪对微球形貌进行了表征．结果表明，所合成的交联阳离子型淀粉微球形态圆整，表面粗糙，微球中存在酰氨基结构，并接枝有季胺盐阳离子基团；与可溶性淀粉相比，阳离子淀粉微球的结晶度有所降低；引发剂、交联剂和油水比对微球的平均粒径有较大的影响．