GaP纳米晶对溶剂热合成氮化硼的物相和微观形貌的影响

研究了溶剂热方法合成氮化硼纳米晶过程中异种晶粒对氮化硼微现形貌和物相的影响,结果表明：在不改变反应原料种类的情况下,当体系内加入GaP纳米颗粒时．制备的氮化硼纳米晶呈现“树枝”状形貌．且样品中立方氮化硼为主要物相。文中对这种微观形貌的成因进行了简单讨论。     

Crystal Perfection in GaP Films Heteroepitaxially Grown on GaAs by Low-pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition

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掺杂Fe_2O_3对ZnO多孔纳米固体厚膜气敏传感器性能的影响

以ZnO纳米粉(平均粒径30 nm)和Fe2O3,纳米粉(平均粒径90 nm)为原料,利用传统的厚膜气敏传感器制备工艺,制备了纯ZnO多孔纳米固体厚膜气敏传感器和掺杂Fe2O3(掺杂量为1wt%,2wt%和5wt%)的ZnO厚膜气敏传感器.分别测试了这四种厚膜气敏传感器的本征电阻(传感器在空气中的电阻值)及其对乙醇,汽油,丙酮,对二甲苯,氢气,甲烷和CO敏感特性.结果表明:当工作温度在较低时,Fe2O13,的掺杂可明显降低ZnO多孔纳米固体厚膜气敏传感器的本征电阻,并提高其工作稳定性,而适量Fe2O3的掺杂可以提高ZnO多孔纳米固体厚膜气敏传感器对乙醇蒸气和汽油的灵敏度.结合对传感器厚膜的显微结构分析结果,我们对出现上述差异的原因进行了初步讨论.     

水热条件下氮化硼枝蔓晶的形成

利用水热方法合成了氮化硼枝蔓晶,根据X射线衍射(XRD),傅立叶红外吸收(FTIR)测试确定了产物的物相组成,X射线能谱仪(XPS)也证明了枝蔓晶的立方氮化硼成分,同时,利用透射电镜(TEM)和选取电子衍射(SAED)的测试结果分析了枝蔓晶的形貌和表面特征,另外,本文结合负离子配位多面体理论探讨了枝蔓晶的形成机理.     

利用苯热合成方法制备氮化硼纳米环

利用苯热合成方法,以BCl3和NaN3为原料制备了氮化硼纳米晶,研究了影响氮化硼微观形貌的关键因素(例如,反应温度、原料的混合速度等).在此基础上,通过调整两种原料的混合反应速度制备了BN纳米环,并利用涡旋诱导作用对BN纳米环的生成机理进行了初步讨论.     

纳米GaP材料的介电特性

对在450℃条件下进行1h普通烧结制得的纳米GaP块体(～51nm)的相对介电常数(εr)、介电损耗(tgδ与频率(f)、温度(T)的关系进行了研究。测量结果表明：烧结温度对纳米GaP块体的相对介电常数和介电损耗具有显著的影响；几种介电特性和测量频率、温度关系曲线的特征符合由德拜介电极化理论进行分析得出的结论。在介电特性温度谱图上出现极值，表明在外电场作用下纳米GaP块体存在界面极化、转向极化和松弛极化等几种主要极化机制；同时，介电特性温度谱图上附加峰的出现预示着纳米GaP块体存在某种复合缺陷。     

用水热方法合成氮化硼过程中反应原料种类的影响

利用选相原位合成方法制备了立方氮化硼(cBN),研究了硼源和氮源种类对产物物相的影响.利用X射线衍射(XRD)、红外吸收光谱(FTIR)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)以及高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对样品进行了表征.结果表明:如果利用硼酸作为反应原料,可以在优化的条件下得到纯相cBN;当硼酸被硼酸铵取代时,制备的样品变成了六方氮化硼(hBN)和cBN的混合物.另一方面,用三聚氰胺取代部分NaN3作为氮源时,样品几乎是纯相的hBN.对上述结果进行了简要分析,并在此基础上给出了水热合成氮化硼过程中反应原料的选择原则.     

ZnO多孔纳米固体厚膜气敏传感器的制备和性质表征

以ZnO纳米粉(平均粒径30nm)为原料,利用水热热压方法制备了多孔的ZnO体块纳米固体,测试了以多孔纳米固体为原料制成的厚膜气敏传感器对挥发性有机化合物(VOCs)乙醇、丙酮、苯、甲苯和二甲苯蒸气的气敏特性,并与用ZnO纳米粉制备的厚膜传感器进行了比较.结果发现,与ZnO纳米粉相比,用ZnO多孔纳米固体制备的厚膜传感器在空气中的电阻大大减小,最佳敏感温度降低、响应时间和恢复时间大大缩短.通过综合分析ZnO纳米粉和ZnO多孔纳米固体的XRD、TEM及厚膜传感器的SEM测试结果研究了厚膜传感器气敏特性的差异.     

利用纳米ZnO粉制备厚膜气敏传感器的研究

以ZnO纳米粉(平均粒径30nm)为原料,利用水热热压方法制备了ZnO多孔纳米固体,同时用通常的水热法对ZnO纳米粉进行了预处理(预处理ZnO纳米粉)。然后,分别以ZnO多孔纳米固体和预处理ZnO纳米粉为原料,制备了厚膜气敏传感器。本征电阻的测试结果表明,这两种厚膜气敏传感器的本征电阻比用未经处理的ZnO纳米粉(以下简称“原料ZnO纳米粉”)制备的厚膜气敏传感器大大降低并很快达到稳定状态。有效地改善了器件工作的稳定性。结合对三种传感器的显微结构分析,对出现上述差异的原因进行了讨论。     

GaP纳米复合发光材料的制备和性质

用微波水热方法制备了GaP纳米晶／桑色素复合发充材料，研究了粒度对复合材料发光波长及发光效率的影响。结果表明：在微波水热条件下，GaP纳米晶的晶体结构不发生变化，只是在复合反应后粒度有所长大；与纯CaP纳米晶的发光光谱相比，复合后材料的发光峰变窄，发光强度显著增加，而且发光峰峰位向短波方向移动；另外，复合材料的发光波长和效率与GaP纳米晶的粒度有密切关系，粒度减小时相应的复合材料发光波段蓝移且发光效率提高。