硼源浓度对纳米金刚石薄膜掺硼的影响

目的研究纳米金刚石薄膜生长掺硼的内在机理,实现对该过程的精确控制。方法采用微波等离子体化学气相沉积法,以氢气稀释的乙硼烷为硼源,进行纳米金刚石薄膜的生长过程掺硼实验,研究硼源浓度对掺硼纳米金刚石薄膜晶粒尺寸、表面粗糙度、表面电阻和表面硼原子浓度的影响。结果随着硼源浓度的增加,纳米金刚石薄膜的表面粗糙度和晶粒尺寸增大,表面电阻则先下降,而后趋于平衡。结论纳米金刚石薄膜掺硼后,表面电导性能可获得改善,表面粗糙度和晶粒尺寸则会增大。在700℃条件下掺硼15 min,最佳的硼源浓度(以硼烷占总气体流量的百分比计)为0.02%。     

关于电子商务下的信任网络构造与优化的思考

信任是社会关系的建立基础,也是保障社会秩序的主要工具。在日常社会经济交易的过程中,信任作为润滑剂,不仅有助于降低经济交易的成本、为社会节约资本,还将促进交易双方的合作。在电子商务中也不例外,信任是交易发生的基础和前提。但是,随着电子商务的迅猛发展,出现了很多由于不信任导致的问题,对电子商务的发展产生了非常大的负面影响,极大地限制了电子商务的发展广度和深度。本文重点关注电子商务领域的信任网络构造及优化,主要探讨了电子商务领域中存在的信任问题、信任网络的构造及优化升级等内容。     

基于LabVIEW的工作面输送设备远程监测与诊断系统设计

针对现有工作面输送设备监测与诊断系统只能在井下现场使用的问题,设计了一种基于LabVIEW的安装于地面调度中心的输送设备远程监测与诊断系统;给出了由该系统与井下基于PLC的输送设备监测与诊断系统相结合构成的全矿井无人工作面输送设备监测与诊断系统的整体结构,分析了该系统与井下系统间的数据交换实现,介绍了在LabVIEW中运行BP神经网络故障识别的方法及SQL Server数据管理系统的设计。实际应用表明,该系统运行稳定,实现了在地面调度中心实时监测和综合诊断工作面刮板输送机、转载机和破碎机的工况。     

微波烧结氧化铝陶瓷的纳米增韧研究

高纯度氧化铝陶瓷具有极高的机械强度,在航空航天等国防尖端技术领域具有极好的应用前景．针对目前采用普通方法烧结的高纯度氧化铝陶瓷韧性较差的问题,利用圆柱形微波多模烧结腔进行了高纯度氧化铝陶瓷的纳米增韧研究．以氧化铝（质量分数99．9％）、氧化镁（质量分数0．05％）和氧化钇（质量分数0．05％）为基准原料配比,在其中添加不同比例的纳米氧化铝粉末,研究不同比例纳米氧化铝粉末对陶瓷性能的影响．结果表明,当纳米氧化铝粉末添加量达到30％时,高纯度氧化铝陶瓷试样的密度、维氏硬度和断裂韧性分别达到3．92g／cm^3、23．2GPa和4．21Pa·m^1/2;与未添加纳米氧化铝粉末烧结得到的陶瓷试样相比,密度降低0．5％,但其维氏硬度增加了2．2％,断裂韧性甚至增强了33．7％．     

基于回溯法环网助增系数计算方法的研究

随着高压电网结构的日益复杂,大小环网互相交错的情况屡见不鲜,这使得继电保护的整定计算越来越复杂,尤其是计算定值需要满足各种运行方式,而助增系数的计算结果受运行方式的影响极大,因而搜索极端运行方式是定值整定计算的重中之重。本文针对现有高压环网的特点,提出了一种基于回溯算法计算助增系数的方法,通过对保护支路的回溯搜索可得到不同级数的环网,全面考虑不同级数环网各种恶劣运行方式下的助增系数,并通过算例与传统助增系数计算方法的计算结果进行了对比,得出基于回溯算法能够快速准确地找到更为极端运行方式下的助增系数,最后通过实例电网验证了本文提出方法的有效性,并对本文提出方法的复杂度进行了分析,验证了本文提出方法的快速性。     

尿素分解水热合成Ni-Al类水滑石的研究

采用尿素分解水热合成Ni-Al类水滑石,其中使Ni2 /Al3 /尿素的摩尔比为2:1:10和3:1:10.用XRD、SEM、TG检测,结果表明,合成出的类水滑石结晶度高,具有规整的片状晶体形貌,延长反应时间和提高反应温度有利于提高类水滑石的结晶度和颗粒的分散性.     

对建筑设计中节能建筑设计的分析

随着经济的快速发展,世界资源环境问题也变得越来越严峻,所以世界各国都开始重视节能措施的开发和使用。作为能源消耗大户,建筑行业的发展无疑对我国资源环境造成了极大的破坏,所以我们必须要重视在建筑设计中进行节能设计,这样才能促进我国经济的可持续发展。     

He-Ne激光对玉米幼苗POD和CAT活性的影响

功率7mW及9.5mW的He-Ne激光辐射玉米干种子和湿种子,发现玉米幼苗中过氧化物酶(POD)和过氧化氢酶(CAT)活性增高。对POD的效应,辐射湿种子优于辐射干种子,而辐射干种子则比辐射湿种子更有利于CAT活性的增高。不同辐射时间之间无规律性差异。     

PECVD法制备掺硼纳米金刚石薄膜的工艺研究进展

首先详细介绍了金刚石作为半导体材料的优异性能,然后从应用角度阐述了NCD薄膜掺B后形成半导体材料的优势,接着探讨了影响NCD薄膜性能(电性能、光学性能、生物性能等)的主要工艺条件(包括硼源种类、掺硼浓度、衬底温度、后处理)。研究发现,大多数研究者都采用液态和气态硼源,而固态硼源由于很难液化且浓度不易控制而不常被采用,掺B后NCD薄膜的电阻率急剧下降,紫外波段下透过率可达51%,磁阻效应变好。另外衬底温度对BD-NCD薄膜的质量以及性能都有影响,衬底温度太高,非晶碳含量增加,金刚石质量下降;衬底温度太低,能够进入NCD晶界或晶粒的有效硼原子减少,影响其电学性能、光学性能,在最佳衬底温度工艺下的电导率可达22.3 S/cm,而在电化学性能方面,其电化学窗口可达3.3 V。而选择合适的硼源浓度对BD-NCD的电性能、光学性能、生物性能也非常关键,硼源浓度过大,BD-NCD表面粗糙度和晶粒尺寸增大;硼源浓度过小,产生空穴进行导电的B原子就少,在合适硼源浓度工艺条件下其载流子浓度可达1021 cm-3,折射率可达2.45。还有研究者对BD-NCD薄膜进行后处理工艺(退火、等离子体处理等),发现后处理对其电性能也有一定的影响。因此,选择合适的工艺对生长质量高、性能优异的NCD薄膜尤为重要。最后对BD-NCD薄膜的发展以及后续研究方向进行了展望和期待。     

斜置往复炉排片温度场的测试与分析

通过某SHW6 - 1 2 5 -H(A)往复炉排炉的实测 ,得出了不同运行工况下炉排片上的温度分布及最高温度 ;指出了不同因素对炉排片温度的影响 ,为在炉排片结构一定、燃料特性一定的情况下 ,在炉排不同高温度区域合理地分区布置不同耐热材质的炉排片 ,提供了可靠的保证。