类金刚石薄膜的摩擦性能及其应用

首先从成键结构的角度分析了DLC薄膜摩擦性能的由来,然后分别从DLC薄膜的沉积工艺(包括制备方法、气源种类和掺杂元素)、摩擦环境条件和基底材料选择等三方面入手,讨论了影响DLC薄膜摩擦性能的主要因素及其影响规律。经过总结发现,通过调节DLC薄膜的沉积工艺可以改变DLC薄膜中sp~2杂化碳的含量以及氢的含量,进而影响DLC薄膜的摩擦性能;真空、惰性气体和低湿环境有利于获得更好的摩擦效果;过渡层和偏压有利于提高DLC薄膜与基底之间的附着力,其摩擦性能也会得到提升。最后对DLC薄膜在机械加工及耐磨器件、光学和电子保护以及生物医学领域的应用进行了综述,并对应用过程中存在的两大问题——DLC薄膜的内应力和热稳定性进行了分析,归纳了一些具体的解决方案,并对DLC薄膜的发展趋势进行了展望。     

改进的差别矩阵启发式属性约简算法

为在决策表中获得更好的属性约简组合,从信息论角度分析,在基于区分矩阵的基础上,提出一种改进的以条件熵作启发信息的约简算法。同时考虑条件属性相对于决策属性的条件信息熵以及属性值的分布情况,用它们的比作为启发因子,重新给出一种度量属性重要度的依据,得到属性约简集。实验结果表明,该算法能够有效约简属性集,使约简结果获得最简决策规则组合。     

纳米金刚石薄膜的应用及其研究进展

以纳米金刚石薄膜的应用为主线,讨论了它在机械、光学、声学、电学等应用领域的优势,以实例分析、证明了其在各领域中所展现出的优异性能。综述了纳米金刚石薄膜在上述应用领域的研究进展,同时从不同方向阐释了其研究应用过程中所存在的不足,并对其今后的主要发展方向进行了展望。     

单晶硅表面磁控溅射铜栅极

晶硅太阳能电池表面的导电栅极主要用于输出电能,若其与基体间的附着力较差,将会极大地降低电池元件的稳定性和使用寿命,而与其他制备方法相比,物理气相沉积法具有可控性好、成本低等优势. 为了继承物理气相沉积法的相关优势,同时能够使铜栅极与基片之间具有良好的附着力,利用磁控溅射法在单晶硅上进行铜栅极的制备实验,研究了磁控溅射过程中溅射功率和工作气压等参数对最终制得的铜栅极附着力的影响. 采用超声震荡加强实验检测铜栅极的附着力,使用金相显微镜观察铜栅极的整体形貌及断线率,通过扫描电子显微镜观察铜膜的表面形貌. 结果表明在溅射功率为180 W,工作气压为0.8 Pa的条件下制备的铜栅极线宽更为均匀,且进行加强实验后断线率为0.     

Effect of Argon Addition on Morphology and Structure of Diamond Films(from Microcrystalline to Nanocrystalline)

Micro-/nanocrystalline diamond films deposited in Ar/H_2/CE_4 microwave plasmas have been studied,with argon flow rates in the range of 70-100 seem.The effects of argon addition on morphology,surface roughness,quality and structure were investigated by scanning electron microscopy,surface profiler,Raman spectrometer and X-ray diffraction(XRD).It is demonstrated that when the argon flow rate is 70 sccm or 75 sccm,well-faceted polycrystalline diamond films can be grown at a low substrate temperature less than 610 ℃.With the increase in the argon flow rate,the smooth crystallographic planes disappear gradually.Instead,rough crystallographic planes made up of small aggregates begin to take shape,resulting from the increase in the secondary nucleation rate.Nanocrystalline diamond films were obtained at a flow rate of 100 sccm,and all of the prepared diamond films were smooth,with a surface roughness(Ra) less than 20 nm.Raman analyses reveal that the amount of amorphous carbon increases significantly with the increase in argon flow.The results of XRD show that crystalline size and preferential orientation of diamond films depend on the argon content in the plasmas.     

矿用高压电缆局部放电测量传感器的研究及应用

监测矿用高压电缆中局部放电信号对于在线评估电缆寿命和分析绝缘状况意义重大。对比了电缆绝缘监测的常用方法,其中采用高频电流传感器监测局部放电是一种有效手段。运用无损耗传输线理论建立了少匝数分裂式高频电流传感器的模型,分析了不同材料制作的传感器频率响应差异,测试了NiZn铁氧体高频电流传感器的幅频特性,并在不同匝数NiZn传感器和耦合电容情况下,分别测量和比较了基于针板电极下电树枝化试样的局部放电。实验结果表明：所研制的传感器能够测量放电量大于10 pC,频率范围在0.3～20 MHz的局部放电脉冲,具有在线测量矿用高压电缆局部放电的能力。     

基于回溯法环网助增系数计算方法的研究

随着高压电网结构的日益复杂,大小环网互相交错的情况屡见不鲜,这使得继电保护的整定计算越来越复杂,尤其是计算定值需要满足各种运行方式,而助增系数的计算结果受运行方式的影响极大,因而搜索极端运行方式是定值整定计算的重中之重。针对现有高压环网的特点,提出了一种基于回溯算法计算助增系数的方法,通过对保护支路的回溯搜索可得到不同级数的环网,全面考虑不同级数环网各种恶劣运行方式下的助增系数,并通过算例与传统助增系数计算方法的计算结果进行了对比,得出基于回溯算法能够快速准确地找到更为极端运行方式下的助增系数,最后通过实例电网验证了该算法的有效性,并对该算法的复杂度进行了分析,验证了其快速性。     

甲烷体积分数对纳米金刚石薄膜形貌的影响

目的研究不同甲烷体积分数对纳米金刚石(NCD)薄膜生长的影响,实现较小晶粒尺寸、高平整度的NCD薄膜的制备。方法采用微波等离子体增强化学气相沉积的方法制备NCD薄膜,以CH4/H2为气源,在生长阶段控制其他条件不变的前提下,探讨不同甲烷体积分数对NCD晶粒尺寸、表面形貌以及表面粗糙度的影响。采用SEM、XRD等观测NCD薄膜的表面形貌和晶粒尺寸大小,并利用Raman对NCD薄膜的不同散射峰进行分析。结果随着甲烷体积分数的增加,薄膜晶粒尺寸有减小的趋势。甲烷体积分数较低时,晶形比较完整,但致密度较小;甲烷体积分数较高时,晶形杂乱无章,但致密度较好。当甲烷体积分数为9%时NCD薄膜平均粒径达到最小,为21.3 nm,表面粗糙度较好,但非晶金刚石成分开始大量生成,NCD薄膜质量开始变差;当甲烷体积分数为8%时其形貌最好,且此时最小表面粗糙度小于20 nm。通过Raman分析可知NCD薄膜中出现了硅峰和石墨烯特征峰。结论甲烷体积分数对NCD薄膜形貌有较大影响,甲烷体积分数为8%时是表面平整度由较差变好再逐渐变差的分界点,且平均晶粒尺寸为23.6 nm,薄膜表面具有较好的平整度。     

浅析膛线的电解加工

阐述和分析影响电解加工质量的几点因素.