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ZnTexSe1—x外延层的室温发光特性 总被引：1，自引：1，他引：0
用低压－金属有机化学气相沉积方法在ＧａＡｓ衬底上生长了ＺｎＴｅｘＳｅ１－ｘ单晶薄膜。在Ｎ２分子激光器激发下，首镒在室温，ＺｎＴｅ０．００５Ｓｅ０．９９５单晶层中观测到它的蓝带发光。随Ｘ值增加，ＺｎＴｅｘＳｅ１－ｘ中Ｓ１带消失，发光主要由一个绿 相似文献
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Mn掺杂浓度对ZnO纳米薄膜的结构和光致发光的影响 总被引：1，自引：1，他引：1
Mn掺杂的ZnO基稀磁半导体材料由于具有独特的特性而受到人们广泛的关注。ZnO的激子束缚能高达60meV,具有优良的光学性质。因此,Mn掺杂的ZnO材料研究在磁性半导体领域广泛开展起来。文章采用溶胶-凝胶法制备了Mn掺杂的ZnO纳米晶,讨论了不同Mn含量对材料结构和光致发光的影响。XRD结果表明,所有的样品均具有六角纤锌矿结构,并且随着引入Mn含量的增加,样品的晶格常数增大。光致发光结果显示,随Mn含量的增加,样品的紫外发光峰先红移后蓝移。光致发光谱也显示,适量的Mn掺杂可以钝化样品的可见区发射,提高样品的光学质量。 相似文献
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农村饮水安全工程是一种公益性基础设施。通过自来水工程，国家把对农村群众的关心和关怀送到了农民家，体现了党和国家对农民的关爱。吃上了达标、合格的自来水群众的身体健康状况得到提高，同时生活条件得到改善，生活水平得到提高。 相似文献
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退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响 总被引：4，自引：3，他引：4
采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD)，在低衬底温度下制备了富硅氮化硅薄膜。利用红外吸收谱(IR)、XPS光电子能谱和光致发光谱(PL)，研究了不同的退火温度对薄膜结构和发光的影响。研究发现，薄膜经退火后，在发光谱中出现一强的发光峰。当经过900℃退火后，随着与硅悬键有关的发光峰的消失．该强的主发光峰发生了明显的蓝移，并且有所宽化。蓝移现象源于高温退火后，在薄膜中有小尺寸的Si团簇形成。通过实验结果分析，提出薄膜的发光起因于包埋在氮化硅中的Si团簇。 相似文献
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一引言半导体发光二极管(LED)是一种新颖的固态光源,是目前广泛使用的一种发光器件。它主要用于家用电器,仪器仪表,录像机,计算机及其外围设备等的显示;传真机,印刷机,影印机和局部网络的光源;户外设备指示器,光通信系统,背景发光系统 相似文献
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采用溶胶凝胶方法成功地制备了掺杂烯土铽离子的ZnO和Mg0.15Zn0.85薄膜。通过对X射线衍射结果的分析表明，稀土离子替代了Zn^2 的格位，进入了半导体基质的晶格中。从阴极射线发光结果可以发现，在Mg0.15Zn0.85O基质中，可以观察到来源于稀土铽离子各能级的发射，而ZnO:Tb的薄膜只能观察到较强的铽离子^5D4-^7F5能级的跃廷。这可能是由于Mg0.15Zn0.85O基质的能隙（3.65eV)比ZnO更宽（3.3eV），其对铽离子的能量传递更有效的缘故。 相似文献
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通过光致发光 (PL)和拉曼 (Raman)光谱研究了分子束外延 (MBE)生长的 Zn Mg Se/ Zn Cd Se多量子阱的光学性质。在 80 K到 3 0 0 K温度范围内 ,观测到了 PL光谱中来自量子阱的自由激子发光 ,通过发光强度与温度的变化关系 ,计算了激子束缚能。结果表明在 Zn Mg Se/ Zn Cd Se多量子阱 (MQWs)势垒层中 ,Mg的引进增强了量子阱的限制效应 ,导致激子具有较好的二维特性。在室温下的 Raman光谱中观测到了多级纵光学声子(LO)和横光学声子 (TO)的限制模 ,表明多层结构具有较高的质量 相似文献