自旋电子学及其器件应用

介绍了近年来自旋电子学研究概况及器件应用，并展望了半导体自旋新器件的研究和发展。     

光助MOCVD生长p—ZnSe及ZnSep—n结室温蓝色电致发光

用光助低压ＭＯＣＶＤ进行ＺｎＳｅ及ＺｎＳｅ：Ｎ外延层生长，由发光光谱表明，在光助下生长的本征ＺｎＳｅ外延膜具有高质量：ＺｎＳｅ：Ｎ外延层中与Ｎ有关的深中心发射得到有效抑止，其ｐ－ＺｎＳｅ受主载流子深度达３×１０＾１７ｃｍ＾－３。在制备ｎ－ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ－ＺｎＳｅＱＷ／ｐ－ＺｎＳｅ结构中，在室温下观测到该二极管电脉冲下的蓝色电致发光（ＥＬ）。     

利用P-MBE在Si（111）衬底上生长氧化锌薄膜及其光学性质的研究

在Si(111)衬底上利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)生长氧化锌(ZnO)薄膜，研究了在不同衬底生长温度下(350～750℃)制备的ZnO薄膜的结构和光学性质．随着衬底温度的升高，样品的X射线及光致发光的半高宽度都是先变小后变大，衬底温度为550℃样品的结构及光学性质都比较好，这表明550℃为在Si(111)衬底上生长ZnO薄膜的最佳衬底温度；同时，我们还通过550℃样品的变温光致发光谱(81～300K)研究了ZnO薄膜室温紫外发光峰的来源，证明其来源于自由激子发射．     

Si衬底的氮化处理对ZnO薄膜质量的影响

用氮化处理的方法对Si衬底的表面进行钝化,外延生长出高质量的ZnO薄膜。ZnO薄膜的质量通过X 射线(XRD)、阴极射线(CL)谱和光致发光(PL)谱来表征。氮化的作用主要表现在生长ZnO薄膜的XRD的半高宽由未经氮化的0.25°;减小为经氮化后的0.20°,CL谱的紫外发光增强,深缺陷发光变弱。这说明,在ZnO外延生长前,对Si表面的氮化是一种提高其质量的有效方法。并对氮化处理提高ZnO薄膜质量的机理进行了探索。     

电脉冲下ZnSe LD受激发射

用光助,低压MOCVD方法获得p-ZnSe,p-ZnSSe受主浓度为3×10     

辽阳市城市郊区供水现状调查分析

推进城乡供水一体化工程,不仅可以有效解决郊区农村饮水困难问题,也解决了城区供水能力闲置问题,更是积极响应李国英部长在全国农村供水保障会议上指出要按照“建大、并中、减小”的方式积极推进农村供水规模化发展的会议精神。     

基于ARIMA模型的沈阳市月降水量时间序列分析

介绍了自回归移动平均模型ARIMA(p,d,q)的原理和建模方法。根据沈阳市2005～2016年降雨量特征,建立了ARIMA(1,1,1)预测模型进行分析预测,为工农业生产和生态活动的适当调整提供了一定的科学依据。     

热氧化制备钠米氧化锌薄膜的光致发光特性研究

报道了热氧化制备钠米ZnO薄膜的光致发光.首先利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)工艺,在硅(100)衬底上制备了高质量的ZnS薄膜,然后在氧气环境下,在不同的温度下进行热氧化.X射线衍射(XRD)测量表明:在500℃退火的样品ZnS开始向ZnO转变.当退火温度为700℃时,ZnS衍射峰消失,说明ZnS完全地转变成ZnO.制备的ZnO薄膜具有六角纤锌矿型结构,但没有择优取向.在光致发光实验中,随着退火温度升高,紫外发光峰位明显地出现蓝移,而半高宽度(FWHM)逐渐变窄,直到900℃,而1000℃退火的样品出现相反的实验现象.我们认为束缚激子发射在紫外光致发光(PL)中起着重要作用,光致发光的强度与退火温度关系表现为较强的非线性.紫外发光强度与深能级发射之比是20,表明ZnO薄膜的高质量结晶.(OH18)     

浅析捻回传递与分布

对纺纱过程的捻回传递作以分析,特别是阻捻与捻陷的区别。对生产和教学具有一定的指导意义。     

ZnCdSe量子点的MOCVD生长及其演变

利用应力释放模型计算了 Zn Cd Se/Ga As间的临界厚度 ,并以该临界厚度为基础 ,用 MOVCD设备在Stranski-Krastanow (S-K)生长模式下 ,外延生长了 Zn Cd Se量子点。用原子力显微镜和光谱测量的方法研究了量子点的演化过程。随着时间的推移 ,量子点发生了两种变化 ,即 Ostwald熟化过程和量子点的生成过程。另外 ,量子点由尖塔状逐渐演化为圆顶状。这种形状的变化可以用晶体生长模型进行解释。通过分析量子点样品的发光光谱 ,发现了两种发光机制 ,一种是零维量子点激子的发光 ,另一种是二维激子的发光。随着量子点生长完毕与加盖层之间间隔时间的增加 ,零维激子对二维激子发光的比值增加 ,且发光峰位明显红移。这从另一方面验证了由原子力显微镜直接观测到的量子点的演化过程