空位缺陷对单层MoS_2电子结构的影响

为了研究单层Mo S2中的空位缺陷形成及其对电子结构的影响,基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法分别计算了单层Mo S2中Mo空位和S空位的形成能、空位附近的晶格畸变、Mo S2层中的电子分布以及态密度(DOS)和能带结构。计算结果显示,2种空位缺陷都具有点缺陷特征,其附近的电子分布呈现出明显的局域化特点,且S空位比Mo空位更容易形成。通过与本征态Mo S2电子结构的对比分析,发现2种空位缺陷的存在对单层Mo S2的电子结构、尤其是对导带高能量区域的能态密度会产生十分明显的影响,这些影响可能与空位缺陷引入的缺陷能级有关。     

噻虫嗪在苹果上的残留消解动态及膳食风险评估

[目的]研究噻虫嗪在苹果上的消解动态及膳食风险性。[方法]采用液相萃取法进行苹果中残留试验前处理,高效液相色谱检测噻虫嗪含量,利用风险商法对其进行膳食风险评估。[结果]在苹果中的平均添加回收率为90.07%~94.98%,相对标准偏差为2.82%~3.34%。消解半衰期为6.88~7.63 d,噻虫嗪在最终残留加倍剂量下的风险商值小于1。[结论]残留检测的方法准确度高,重复性好。苹果生产中使用噻虫嗪对人类产生的膳食风险小,可以接受。     

采用磁控溅射法在Si(100)生长InN薄膜及其禁带宽度与拉曼的测试

本文采用磁控溅射法在Si(100)衬底上生长出高取向性和多种微观形貌的InN薄膜,其中铟作为铟靶,氮气作为氮源。x射线衍射(XRD)法和x射线光电子能谱(XPS)表明所有衍射峰和标准的纤锌矿晶型的InN一致,并且在 (101), (100)和(002)方向具有极高的取向度。扫描电子显微镜(SEM)和能带衍射谱表明,可以生长出高质量的不同微观结构的InN晶体薄膜,尤其是溅射功率为60W,溅射压强为0.4Pa时表现为标准的正六边形结构。在室温下并且激发波长为λ= 633的拉曼测试表明,可以通过E₂(High)峰计算出InN薄膜的应力,由于微观结构的不同导致应力值也不同,A₁(LO)峰值比较低是由于迁移率较高导致。紫外吸收测试可以计算出的能带宽度分别为1.07 eV,1.13 eV,1.32 eV。XRD、SEM、XPS、霍尔效应,紫外吸收和拉曼光谱证明生长出的不同微观结构的薄膜可以适应各种需求的传感器和其他设备。     

高拉速水口结构对结晶器内钢液流动状态的影响

采用数值模拟的方法,研究了凹形、凸形及底部开孔3种水口底部结构对高拉速条件下结晶器内钢液流动状态的影响。结果表明,凹型水口较凸形水口有利于结晶器内钢液流场稳定;结晶器水口底部开孔,分担了两侧孔流股,上回流减弱,表面流速随底孔直径的增加而降低;采用底部凹形、开孔φ30 mm三孔水口的结晶器液面特征适用于高拉速板坯连铸。采用物理模拟的方法,基于PIV测量技术,验证了1∶1水模型三孔水口的适用性。     

自配消解液测定复杂水样COD方法改进

以回流法为基础自配消解液对复杂水样化学需氧量测定研究,对于含悬浮物较多复杂水样进行了预消解均化,通过增加硫酸汞与原水样的预反应环节,提高硫酸汞的利用效率,改进方法后达到了批量测定、取样均匀有代表性、测定结果与国标法一致的效果.     

转换层超大截面梁(1600×5000)技术总结

以珠海仁恒滨海中心B标段工程为例,论述该工程转换层1600×5000梁的施工工序、相关重难点及相应的应对措施,可作为类似工程借鉴.     

城市狭窄空间敏感环境下深基坑支护技术的应用与研究

正城市人口的快速增长加剧了城市建筑土地资源的稀缺程度。这种现象在经济发达城市更加严重。为了满足人们在居住、活动等方面的需求,城市中的高层建筑、超高层建筑数量变得越来越多。建筑高度及施工环境的特殊性对建筑基础的稳定性提出了较高的要求。对此,可将深基坑支护技术用于高层建筑及超高层建筑的实际施工中。     

核能谱信号放大器脉冲成形电路的设计

通过对核脉冲信号特性的分析,设计出一种基于Sallen - Key型滤波器的核脉冲成形电路,给出了成形电路的原理图,通过软件仿真确定最佳滤波参数,该电路成功应用于X荧光谱仪和能谱仪中,证明了该电路的可行性和通用性.     

可程控核能谱信号放大器设计

为了提高能谱测量系统中放大成形部分的灵活性,采用单片机控制DAC与一级放大结合的方法,研制一种放大倍数可程控的核能谱信号放大器,使其能同时适用于X荧光仪,伽玛谱仪等核能谱测量仪器,实现0～100倍程控放大。试验测试结果表明,设计电路完全达到设计指标要求。     

缺陷对石墨烯电子结构的影响

基于第一性原理计算方法,通过密度泛函理论（DFT）和广义梯度近似（GGA）对本征及含有缺陷的石墨烯超晶胞进行了电子结构的计算,研究了多种缺陷对石墨烯电子结构的影响。研究发现,多种缺陷均使石墨烯能带在费米能级附近出现缺陷态对应的能带,并导致其能隙有不同程度的增大,而且与之对应的态密度也随之发生相应的变化。其中,Stone...