向列相液晶盒中液晶指向矢的分布及其显示特性的计算机模拟

本文描述了应用液晶连续体弹性理论和光学4×4矩阵方法模拟计算液晶盒中的液晶指向矢的分布状态以及液晶盒电光特性,并对所得到结果进行了一些分析和讨论。     

电镀法制作活动微结构的牺牲层工艺

报道了一种采用电镀方法制作活动微结构的牺牲层工艺，该牺牲层技术可用于微电子机械装置中活动部件的制作。利用电镀形成Ｚｎ牺牲层，结合微细加工技术中的ＬＩＧＡ工艺对该工艺进行了验证，制作出可活动的微齿轮结构，齿轮直径为２５０μｍ。     

240°超扭曲液晶盒偏振片参数的最佳化及其显示特性

本文用液晶连续体弹性理论和4×4矩阵方法通过计算光通过液晶盒及偏振片的透过率及时比度得到了偏振片的最佳角度,并对具有最佳角度偏振片的液晶盒的电光特性曲线及色度变化进行了计算。在计算中实际地考虑了前照明光源光谱、人眼视觉函数及液晶材料的折射率的色散对液晶盒的影响。     

Ga_(1-x)Al_xAs Raman散射的共振和反共振

本文着重研究了Ⅲ—Ⅴ族混晶半导体Ga_(1-x)AlAs Raman谱在不同温度下的多级共振行为。分析了二级及多级声子谱增强及产生的物理原因,从一个新的侧面证实了激子-LO声子复合体作为Raman散射中间态存在的可能性。同时,还从Raman散射张量出发,对近共振条件下TO声子的消失进行了讨论。     

MOCVD—InP的低温光致发光光谱

包括深中心发光在内的MOCVD-InP的低温光致发光光谱,表明了非故意掺杂外延层较高的纯度,初步判別了可能引入的杂质,并证明了电学测量与光学测量的一致性。     

ZnS∶Mn~(2 ),Sm~(3 )中Mn~(2 )中心高激发态与Sm~(3 )中心的相互作用

用Ar~ 离子激光器的4880线和He-Ne激光器的6328线同时激发ZnS:Mn~(2 ),Sm~(3 )粉末材料时,我们发现Sm~(3 )中心的发光强度比只用4880线激发明显增长。增长的程度随6328线功率的增加而变强。若用短于4880的激光线(如4658,4727)与6328线同时激发ZnS:Mn~(2 ),Sm~(3 ),Sm~(3 )中心发光强度I_(Sm)明显增长,Mn~(2 )中心发光强度I_(Mn)则稍有下降,当增大     

SU—8的紫外深度光刻模拟

在微电子机械系统（MEMS）中，大高宽比微结构被广泛应用，由于紫外光衍射效应比较大，通过紫外光刻获得高精度的大高度微结构并不容量，本主要研究了衍射效应对深紫外光刻精度的影响，并与实验结果进行了比较，理论模拟结果和实验比较吻合，因此，通过模拟结果得到不同厚度光刻胶的最佳曝光剂量，以便得到更好的微结构图形。     

细胞膜通道与同步辐射

长期以来很多科学家致力于研究物质,如水和离子是如何穿过细胞膜从而完成细胞内外物质交换的。1988年Peter Agre第一次发现并描述了细胞膜水通道蛋白质的特性,Roderic MacKinnon则在1998年阐明了离子通道的结构和机理,使我们可以从原子水平了解这些精美的蛋白质结构和运行机理。由于这两位科学家在细胞膜通道研究方面的卓越贡献,他们分享了2003年诺贝尔化学奖。在他们的研究中,基于同步辐射的蛋白质结构测定发挥了很关键的作用。     

O.92PZN-0.08PT晶体的缺陷与畴结构研究

应用环境扫描电子显微术(ESEM)、原子力扫描显微术(AFM)、同步辐射白光形貌术(SRWBT)等形貌成像技术研究了0.92PZN-0.08PT晶体的表面缺陷形态与铁电畴结构.通过对畴结构动态演化的同步辐射形貌观察,可揭示出该晶体的结构相变过程.     

GaP(100)表面硫钝化与稀土金属Gd界面形成的同步辐射光电子能谱研究

利用同步辐射光电子能谱研究了ＣＨ３ＣＳＮＨ２钝化的ＧａＰ（１００）表面和稀土金属Ｇｄ淀积到Ｓ－ＧａＰ（１００）表面的界面形成,结果表明ＣＨ３ＣＳＮＨ２溶液对ＧａＰ（１００）表面具有钝化作用,形成了Ｇａ和Ｐ的硫化物钝化层,对钝化表面退火,Ｐ－Ｓ键逐渐消失,而仅仅留下了Ｇａ－Ｓ键．Ｇｄ淀积到硫钝化退火的ＧａＰ表面,Ｐ的扩散被有效地阻止,而Ｓ仍保持在界面处,Ｇｄ与表面的元素态Ｐ和二聚体Ｇａ反应,形成金属Ｇａ向淀积的Ｇｄ金属层扩散,导致金属Ｇａ在表面偏析．