ИЗУЧЕНИЕ ТЕРМОСТОИКИХ МАГНЕЗИТОВЫХ КИРПИЧЕЙ

参考实验室的研究结果,经过半工业试验,试制了标准型热稳定性镁砖,制成品的气孔率为18％;荷重软化点为1570°—1620℃;耐急冷急热性(水冷却)平均为107次,质量优于耐崩裂性铬镁砖;提供了继续改进的意见:应当采用粗颗粒的预先合成的尖晶石,其加入量为10—30％。 添加氧化铝改善了镁砖热稳定性,认为是由于尖晶石与方镁石的膨胀系数不同,在制品烧成的冷却过程中,彼此的收缩不一样,因而产生了内应力,在一定的装填结构下,这种应力借助于不同组成的颗粒界面的开脱或基质部分的断裂而消除,制品内部产生了缝隙;缝隙的形成,缓冲了制品受急冷急热时所产生的另一种应力的作用,从而提高了制品的热稳定性。     

SiC单晶的性质、生长及应用

本文综述了 Ｓｉ Ｃ 单晶的物理性质、晶体结构、制备过程以及应用等详细地介绍了大尺寸 Ｓｉ Ｃ 单晶的 Ｐ Ｖ Ｔ 法制备和该过程中的关键要素, 分析了 Ｐ Ｖ Ｔ 法制备的 Ｓｉ Ｃ单晶中所存在的缺陷及其成因     

射频溅射Bi12SiO20薄膜生长

与其它方法比较，射频溅射方法具有较低温度下生长表面光洁薄膜的优点。本文报道射频溅射生长Ｂｉ１２ＳｉＯ２０薄膜。以化学计量Ｂｉ１２ＳｉＯ２０作为靶材，先在玻璃和硅衬底上生长，它们的结晶结构依赖于衬底温度：低于１００℃为非晶态的ＢＳＯ；１００－３５０℃为ｆｃｃ多晶相；高于４００℃为ｂｃｃ多晶相。     

Ce-Ba_xSr_(1-x)Nb_2O_6全息照相性能与应用研究

本文报导 Ce-Ba_xSr_(1-x)Nb_2O_6单晶的全息照相性能及某些应用试验的结果。晶体组分配比、Ce 杂质含量、曝光功率及晶面取向等因素都对全患照相性能有影响。Ce-Ba_xSr_(1-x)Nb_2O_6的最高衍射效率可大于90%;当衍射效率为10%时,曝光量为14毫焦耳/厘米~2。用 Ar~+激光记录时,光存储灵敏度较高,用 He-Ne 激光亦可记录、读出和擦除。     

Fe∶LiNbO_3晶体在实时双曝光全息干涉计量中的应用

本文介绍用Fe:LiNbO_3晶体作为记录介质的实时双曝光全息干涉法,给出了一些位相型透明体的实验结果。     

用两种照明方法在LiNbO3:Cu:Ce晶体中实现非挥发全息存储

报道了用两种照明方法在LiNbO3:Cu:Ce晶体中实现非挥发全息存储,一种是用紫外光敏化和红光同时记录的方法,另一种是用氩离子的458nm蓝光敏化和红光同时记录的方法.结果表明第二种方法可以获得更高的光固定(非挥发)衍射效率和光固定效率,但引起弱光致散射.优化的蓝光光强为700W/m2左右时,获得最大光固定折射率变化为5×10-5.     

SiC单晶的性质、生长及应用

本文综述了 Ｓｉ Ｃ 单晶的物理性质、晶体结构、制备过程以及应用等详细地介绍了大尺寸 Ｓｉ Ｃ 单晶的 Ｐ Ｖ Ｔ 法制备和该过程中的关键要素, 分析了 Ｐ Ｖ Ｔ 法制备的 Ｓｉ Ｃ单晶中所存在的缺陷及其成因     

铁电Pb_5Ge_3O_(11):Nd~(3+)或Er~(3+)晶体及其光谱性质

用提拉法在化学计量的熔料里生长了掺钕的Pb_(5-2x)Nd_xK_xGe_3O_(11)(x=0.025)和掺饵的Pb_((1-3x)/2)5)Er_(5x)_Ge_3O_(11)(x=0.005)单晶,测定了晶体的吸收光谱和荧光光谱。     

光折变晶体的进展

评论光折变铁电氧化物ＬｉＮｂＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＫＮｂＯ３、钨青铜族晶体和软铋矿Ｂｉ１２ＳｉＯ２０、Ｂｉ１２ＧｅＯ２０、Ｂｉ１２ＴｉＯ２０晶体的生长、光折变性能和应用的现状，并着重于Ｂｉ１２ＳｉＯ２０和Ｂｉ１２ＴｉＯ２０系列的研究结果，讨论光折变响应时间、近红外敏感的光折变晶体和晶体质量等目前存在的问题，以利于进一步发展。     

双掺杂和三掺杂铌酸锂晶体稳定全息存储的实验研究

对两种不同氧化 还原处理下的四种不同掺杂Cu∶Ce ,Mn∶Cu∶Ce ,Mn∶Fe和Mn∶Fe∶Mg的铌酸锂晶体进行了红光和紫光光色效应稳定全息存储的实验研究 ,实现了LiNbO3∶Cu∶Ce和LiNbO3∶Mn∶Cu∶Ce晶体中的稳定全息存储。实验结果表明只有高氧化的晶体才能实现稳定全息存储。在高信噪比前提下 ,LiNbO3∶Cu∶Ce晶体稳定衍射效率最高。