氧化钇稳定立方氧化锆掺杂晶体的吸收光谱和发光光谱

用“壳熔”冷坩埚技术生长了氧化钇稳定的立方氧化锆(YSCZ)掺杂晶体,它们的杂质浓度为 CeO_2(0.01、0.3、0.5wt%)、Fe_2O_3(?)0.03wt%+CeO_2 0.01wt%、Fe_2O_3 0.03wt%+(?)CeO_2 0.03wt%、CoO(0.1、0.3wt%)、Cr_2O_3 1wt%,一个为未掺杂的 YSCZ 晶体。在 Beckman UV 5270型光谱仪上测量了室温下300～800nm 波长范围的吸收光谱,记录了空气中生长和~(60)Co 射线辐照后晶体的吸收光谱。实验结果表明掺 Ce 和 Co 晶体出现新带,这是由于 γ 射线辐照过程中 Ce~(4+)变为 Ce~(3+)、Co~(3+)变为 Co~(2+)的原因。但掺Cr 的晶体经辐照后无新带出现。本工作还测量和讨论了掺 Cr、Er 等晶体的发光光谱。     

在Ce-SBN单晶中双光束耦合、放大的研究

给出同一激光器(氩或氦-氖激光器,连续、mW量级)的两束光在掺铈铌酸锶钡(Ce-SBN)单晶中相交耦合后一波被另一波放大的实验和理论。从耦合强度对角度的关系算出Ce-SBN中载流子浓度约为2.486×10~(16)/cm~3(室温下);从光耦合能量流动方向确定载流子带电的符号为正。同时也报道了观察到在Ce-SBN中光耦合的饱和现象。定性地比较了不同掺杂量对     

铌酸钡钠声光/倍频复合功能器件的研究

在一块单畴铌酸钡钠晶体上同时实现对Nd:YAG1.06μm激光的声光调制和腔内倍频.介绍这种复合功能器件的结构和制作工艺.器件中心频率129MHz,总衍射效率大于50%(6328(?),驱动电压3V).     

高功率Nd:YAP BNN连续倍频激光器

我们研制了Nd:YAP BNN连续倍频激光器。9.9×5.0×3.6毫米~3的BNN晶体置于加热炉中,加热炉用DWT702精密温度自动控制仪控温,控温精度接近±0.5℃。加热炉放在Nd:YAP连续激光器中,它靠近凸面腔镜处,平凸镜对1.0795微米的反射率～99.5％,对0.5397微米透射率～85％。φ4.8×104毫米的Nd:YAP棒放在双椭圆镀金聚光腔中,用格兰-汤姆逊棱镜将Nd:YAP激光偏振方向调至水平方向,以便通过BNN晶体改变晶轴与基波偏振方向间的相对方位。     

Ce-Ba_xSr_(1-x)Nb_2O_6全息照相性能与应用研究

本文报导 Ce-Ba_xSr_(1-x)Nb_2O_6单晶的全息照相性能及某些应用试验的结果。晶体组分配比、Ce 杂质含量、曝光功率及晶面取向等因素都对全患照相性能有影响。Ce-Ba_xSr_(1-x)Nb_2O_6的最高衍射效率可大于90%;当衍射效率为10%时,曝光量为14毫焦耳/厘米~2。用 Ar~+激光记录时,光存储灵敏度较高,用 He-Ne 激光亦可记录、读出和擦除。     

SBN:Ce光致折变晶体及其应用的实验研究

本文对SBN:Ce晶体特性进行了实验研究,该晶体可在低功率激光下使用.并给出SBN:Ce在单根多模光纤中实现传输图像的实验结果.     

掺铈(Ce)铌酸锶钡(Ba_xSr_(1-x)Nb_2O_6)单晶中双光束耦合、放大的研究

报道从同一激光器出射的两束光在Ce-SBN单晶中相交耦合后一波被另一波放大的实验,并进行了初步的理论分析。从耦合强度对光束在晶体中交角的关系算出Ce-SBN单晶中截流子浓度为4.5×10~(16)/cm~3(室温下);从光耦合时能量的流动方向确定载流子带电的符号为正。比较了不同偏振态、不同波长、不同掺杂量及不同光强比时的耦合情况。     

宝石单晶生长取向与脆性关系的研究

用X射线背射劳厄法研究了焰熔法生长的宝石梨晶的生长取向与脆性的关系。按X射线结构研究测定的晶胞参数给出了红宝石的标准极射赤平投影图及面间夹角数据。确定了梨晶开裂面为光面{1010}的晶种的最佳取向:ρ=61±3°;φ=0～5°,即最佳生长层为{1123};梨晶开裂面为粗面{1120}的晶种的最佳取向:ρ=57±3°;φ=25～30°,即最佳生长层为{0112}。将原生产中使用的开裂而为{1010}的晶种,改用开裂面为{1120}的晶种,提高了生长合格率,降低了加工过程中切片的破碎率。