应变Si_（1－x）Ge_x层本征载流子浓度和有效态密度的解析计算

计算了应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层的本征载流子浓度及导带和价带有效态密度。用解析方法研究了它们与Ｇｅ组分ｘ和温度Ｔ的依赖关系。发现随Ｇｅ组分ｘ的增加，导带和价带有效态密度随之快速减小，而本征载流于浓度却随之而近乎指数式地增加。而且，温度Ｔ越低，导带和价带有效态密度随Ｇｅ组分ｘ的增加而减小得越快，而本征载流于浓度上升得越快。同时还发现，具有大Ｇｅ组分ｘ的应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层，其用Ｓｉ相应参数归一化的导带和价带有效态密度及它们的积对温度Ｔ的依赖关系弱，而具有小Ｇｅ组分ｘ的应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层，上述归一化参数对温度Ｔ的依赖关系强，这和目前仅有的文献［８］中，它们与温度依赖关系的定性研究结果相一致。     

应变致能带分裂对Si_（1－x）Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的影响

针对应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ的应变致能带分裂及重掺杂对裂值的影响，提出了多子双带结构的等价有效简并度模型和有关算法。模型中考虑了非抛物线能带结构。应用该模型，计算了赝形生长在（１００）Ｓｉ衬底上的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层的重掺杂禁带窄变，发现当掺杂超过一定浓度（对于ｐ型和ｎ型合金，该浓度分别约为１．９×１０１９ｃｍ－３和３．５×１０１９ｃｍ－３）后，它在某一Ｇｅ组分下得到极大值，而当掺杂低于这个浓度时，它则随Ｇｅ组分的增加单调下降。文中还将计算结果与其它未细致考虑应变致能带分裂因素的理论工作进行了比较。     

中山市从善坊历史文化街区保护更新规划

历史文化街区保护更新规划是历史文化名城保护规划中的重要组成部分,文章以中山市从善坊历史文化街区保护更新规划项目为例,介绍了保护规划编制过程中的方法与内容,并对编制过程中的问题进行了总结和思考,希望对同类型历史文化街区的保护更新规划有所借鉴。     

基区非均匀掺杂对 AlGaAs／GaAs HBT 电学特性影响的数值分析

基于异质结漂移－扩散模型，考虑Ｆｅｒｍｉ－Ｄｉｒａｃ统计和重掺杂能带窄变（ＢＧＮ）效应，对具有非均匀掺杂基区的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ进行了数值模拟．结果表明，当基区非均匀程度较大时，非均匀掺杂引起的基区自建场远大于ＢＧＮ效应产生的反向场．基区非均匀掺杂能提高电流增益，但提高的幅度随非均匀程度的增加而减慢．基区非均匀掺杂可明显改善截止频率ｆＴ，但同时也增加了集电结空间电荷区渡越时间τｃ，ｓｃＲ，使得ｆＴ在非均匀程度较大时开始下降．发射极－集电极ｏｆｆｓｅｔ电压在一定的非均匀程度下达到最佳值．     

异形柱框架设计

本文介绍了异形柱框架结构的特点、结构计算、结构构造所取得的实践经验，供设计时参考。     

中山市全通现代教育服务科技产业园规划选址探析

当前,各种新兴高科技产业层出不穷,它们以信息技术为基础,有着区别于传统产业生产模式的特点,其产业模式特点直接影响其产业园区的规划选址.研究借鉴了相关产业园区的选址经验,结合中山市全通现代教育服务科技产业园规划选址实践,探讨新兴高科技产业园在规划选址和用地规模上的特点,希望对其他新兴高科技产业园的规划选址起到借鉴作用.     

AlxGa1—xAsl和GaAs材料的物理参数模型

本文较系统和全面地总结了ＧａＡｓ和ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ材料的物理参数模型，包括介电常数、能带参数、载流子迁移率以及复合机制和寿命等，给出了易于应用的数学公式，其中ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ重掺杂能带窄变公式为本文首次推导。这些物理参数模型对于ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结器件的研究有着十分重要的意义。     

糖尿病周围神经病变患者的营养状况调查

目的 调查糖尿病周围神经病变患者的营养状况.方法 收集糖尿病周围神经病变患者入院时体质指数(BMI)、血红蛋白(Hb)、总淋巴细胞计数(TLC)、血清白蛋白(ALB)4项营养指标并进行分析评定.结果 糖尿病周围神经病变患者营养不良的发生率为38.9%～53.3%.结论 糖尿病周围神经病变患者营养不良的发生率较高,对此提出了饮食护理的原则和建议.     

三维建模技术在垃圾吊抓料自动控制的应用研究

生活垃圾焚烧发电已成为我国当前垃圾处理的主要方式。垃圾吊的全自动控制正成为业界的研究重点。利用激光扫描系统，建立了垃圾库和投料区的三维模型，利用网格法分析可选取料点与取料范围区间的坡度，确定平坦安全取料点及最优取料点，同时监测垃圾吊抓斗抓料时倾斜角度，确保垃圾吊抓取料安全，成为垃圾吊全自动控制的关键技术之一。