实践论对技术类专业知行的适用——以建筑学专业为例

《实践论》是被极其成功的实践反复证实的哲学，其基本思想广泛适用于实践活动过程。技术类专业有着各种实践教学过程，是学生认知中常见的基本活动，学生通过实践训练实现从感性认识到理性认识的飞跃；学生毕业后用所学知识反实践于社会，完成认知的第二次飞跃。实践论对学习和工作中出现的若干问题与困扰的解决具有很好的指导意义。     

二氧化硅制备水溶性硅钾肥的研究

采用二氧化硅和碳酸钾为原料,通过高温煅烧活化二氧化硅制备水溶性硅钾肥。研究了煅烧温度、煅烧时间、氧化钾与二氧化硅物质的量比、二氧化硅粒径等条件对制备水溶性硅钾肥的影响,并通过热重-差示扫描量热法（TG-DSC）、X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）等对样品进行了表征。最佳工艺条件：煅烧温度为900 ℃,煅烧时间为30 min,氧化钾与二氧化硅物质的量比为0.85,二氧化硅平均粒径为160 μm。在此条件下制得的硅钾肥具有全水溶性,硅活化率为99.34%,有效硅（以二氧化硅计）质量分数为39.55%,氧化钾质量分数为53.23%。在高温下二氧化硅与碳酸钾的化学反应可抑制碳酸钾的挥发,反应产物的组成不仅含有硅酸钾（K₂SiO₃）,可能还存在二硅酸钾（K₂Si₂O₅）和四硅酸钾（K₂Si₄O₉）。     

国内外兆瓦级储能调频示范应用现状分析与启示

储能技术作为人类社会从化石能源时代迈入清洁低碳能源时代的推动技术,在大规模间歇性新能源并网引发的区域频率稳定性控制问题背景下,以其灵敏精准的出力特性逐步在电力系统调频领域实现规模化应用。全球有近20个国家在建或投运了共164项兆瓦级储能调频应用项目,涉及发电端、输配环节和需求侧。本文通过对兆瓦级储能调频项目概况进行统计分析应用现状,重点针对选型因素分析不同类型储能与调频相关的参数特点;从已应用的4种储能调频运行模式出发,分析应用区域现有的与其模式相关的政策与市场需求;基于国内外调频辅助服务市场现状调研,分析调频服务不同计量方法、政策规则对储能调频商业化应用的影响。最后,结合上述研究结果从3个角度出发对如何促进中国储能调频商业化应用提出建议。     

绕组端部风路填塞结构设计

介绍一种电机绕组端部风路填塞结构设计,可缩短机座长度,同时提升电机的绕组端部及整机的冷却效果,而且还可以使绕组两端的温度分布基本均匀,避免因绕组两端温差过大导致冷却效果不佳,进而影响电机整体的运行可靠性。     

多因素水淹强度指数在剩余油评价中的应用

针对常规测井解释方法确定水淹层剩余油饱和度时参数难以确定、测井资料缺失等问题,选用合理的水淹评价因素,利用基于椭圆基函数的动态模糊神经网络方法对水淹强度指数进行多因素预测,得到由多因素水淹强度指数划分的水淹级别和剩余油平面分布规律。实例证明,水淹级别预测正确率为100%,剩余油饱和度计算相对误差在10.7%以内,具有现场应用意义。     

胶体金免疫电镜技术检测番茄环纹斑点病毒

本实验利用胶体金免疫电镜技术检测番茄环纹斑点病毒（ tomato zonate spot virus, TZSV）,分别以TZSV的N 蛋白多克隆抗体及TZSV的Gn蛋白多克隆抗体为一抗,然后以胶体金标记羊抗兔IgG?gold（10 nm）为二抗对病毒进行胶体金标记,电镜观察用TZSV Gn蛋白抗体标记的胶体金颗粒能很好地结合到病毒粒体上。结果表明该方法可以实现对TZSV更为准确可靠地检测。     

Ni/C纤维提高Ni/Al球形颗粒导电硅橡胶性能研究

为减少球形Ni/Al填充量并提高Ni/Al填充导电硅橡胶屏蔽效能,选取Ni/C纤维加入到此种导电橡胶中,并从导电性、屏蔽性能方面对其进行评价。实验发现Ni/C纤维的掺杂可以提高导电橡胶的导电性及屏蔽性能。当总颗粒填充量为130 phr时,掺杂纤维使导电橡胶的体积电阻率从1010Ω·cm降至1.4Ω·cm;当总颗粒填充量为240 phr时,在1.0~2.5 GHz的频段内,其屏蔽效能在90 d B以上,而未经过掺杂的仅能超过60 d B。利用面心立方堆垛结构模型计算颗粒间最小距离,结果发现导电橡胶的渗流阈值与颗粒最小间距有较为明显的相关性。     

有线电视网络灾备体系研究及方案建议

分析了有线电视网络灾备需求,提出了有线电视网络灾备体系,包括业务系统的灾备、运营支撑系统的灾备和传输网络的灾备,分析了广播电视安全播出与有线电视网络灾备体系的关系,从省级和国家级网络公司的角度提出了有线网络灾备架构,从实际建设的角度提出了有线电视网络灾备系统方案建议。     

CMMB单频网接收端故障原因分析

首先从理论和实际两个方面综合分析了单频网发射端可能出现的故障,通过仿真软件模拟发射端各类型故障,观察接收端发生的相应变化和产生不良接收的区域,从而在应用中通过接收端的实际情况判断发射端是否出现故障,以及出现故障的种类。     

采用磁控溅射法在Si(100)生长InN薄膜及其禁带宽度与拉曼的测试

本文采用磁控溅射法在Si(100)衬底上生长出高取向性和多种微观形貌的InN薄膜,其中铟作为铟靶,氮气作为氮源。x射线衍射(XRD)法和x射线光电子能谱(XPS)表明所有衍射峰和标准的纤锌矿晶型的InN一致,并且在 (101), (100)和(002)方向具有极高的取向度。扫描电子显微镜(SEM)和能带衍射谱表明,可以生长出高质量的不同微观结构的InN晶体薄膜,尤其是溅射功率为60W,溅射压强为0.4Pa时表现为标准的正六边形结构。在室温下并且激发波长为λ= 633的拉曼测试表明,可以通过E₂(High)峰计算出InN薄膜的应力,由于微观结构的不同导致应力值也不同,A₁(LO)峰值比较低是由于迁移率较高导致。紫外吸收测试可以计算出的能带宽度分别为1.07 eV,1.13 eV,1.32 eV。XRD、SEM、XPS、霍尔效应,紫外吸收和拉曼光谱证明生长出的不同微观结构的薄膜可以适应各种需求的传感器和其他设备。