基于乡村文化振兴的传统村落保护与发展规划研究——以贵州省从江县马安村为例

乡村文化振兴是乡村振兴铸魂工程。传统村落文化是乡村文化振兴的重要环节之一,高度重视传统村落保护与发展规划,其核心就是要实现传统村落整体的、真实的、可持续的保护与活态传承,实现保护与发展的相互促进和良性循环,文章以贵州省从江县马安村的保护与发展规划为例,展开相关研究。     

制药工程专业英语教学方法探讨与实践

专业英语的教学对于培养高素质的制药工程专业人才具有重要意义。文章分析了目前课程教学效果有限的原因,结合笔者近几年教学的教学经验与体会,探讨了各种教学方法,以增强制药工程专业英语的教学效果,提高学习效率。     

谁来切中亚油气市场的“蛋糕”？

党和国家领导历来非常重视我国的石油工业.早在2004年6月25日,国务院总理温家宝同志在听取中国工程院油气资源战略研究汇报时便指出"要充分利用国际国内两个市场,两种资源,积极发展多种形式的国际合作,建立经济、安全、稳定的油气供应渠道."同年8月24日,温家宝同志在国务院第四次学习讲话上强调"油气资源是关系我国现代化建设全局和国家安全的重要战略资源",把油气资源提到国家安全的高度.     

永磁同步电机直接转矩控制研究

对永磁同步电机直接转矩控制系统中准确观测磁链的方法进行了研究，提出了一种适合于表面贴片式永磁同步电机的改进磁链观测策略，并用MATLAB／SIMULINK进行了仿真，仿真结果表明：在各个速度区间内磁链模型能够正确估算定子磁链．     

一种InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法

采用一种新方法对InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了模拟.该方法通过流体力学模型和密度梯度模型的联合求解,得到了沟道内的电子密度分布.与一些传统方法相比,该方法收敛性更好,速度更快,且同样适用于其他类型高电子迁移率晶体管器件的模拟.利用仿真对InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了深入研究.     

功率增益截止频率为183GHz的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As HEMTs

通过合理的外延层材料结构设计和改进的器件制备工艺,制备出功率增益截止频率(fmax)为183GHz的晶格匹配InP基In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As HEMT.该fmax为国内HEMT器件最高值.还报道了器件的结构、制备工艺以及器件的直流和高频特性.     

截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管

报道了截止频率为218GHz的晶格匹配的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管.这是迄今为止国内报道的截止频率最高的高电子迁移率晶体管.器件直流特性也很优异:跨导为980mS/mm,最大电流密度为870mA/mm.文中的材料结构和所有器件制备工艺均为本研究小组自主研制开发.     

单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管

优化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的外延结构,有利于获得增强型PHEMT的正向阈值电压.采用光学接触式光刻方式,实现了单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型PHEMT.直流和高频测试结果显示:增强型(耗尽型)PHEMT的阈值电压、非本征跨导、最大饱和漏电流密度、电流增益截止频率、最高振荡频率分别为0.1V(-0.5V),330mS/mm(260mS/mm),245mA/mm(255mA/mm),14.9GHz(14.5GHz)和18GHz(20GHz).利用单片集成增强/耗尽型PHEMT实现了直接耦合场效应晶体管逻辑反相器,电源电压为1V,输入0.15V电压时,输出电压为0.98V;输入0.3V电压时,输出电压为0.18V.     

发送端已知信道均值或协方差信息的MIMO系统的功率分配

本文研究了在发送端已知信道均值或协方差信息情况下单用户多输入多输出（MIMO）系统的功率分配问题．发送端已知信道均值信息时，信道建模为非相关莱斯信道；发送端已知协方差信息时，信道建模为相关瑞利信道．通过最大化遍历（ergodic）信道容量的一个较紧的下界，针对发送端已知信道均值或协方差信息的情况分别提出了新的功率分配的方案．仿真结果验证了该功率分配方法的有效性。