连续油管环焊温度场及残余应力场数值分析

采用有限单元法,初步模拟了连续油管环焊温度场及残余应力场的分布情况。结果表明,在焊接过程中,焊缝附近温度梯度很大,在远离焊缝的地方温度梯度渐渐趋于平缓;随着焊接热源的移动,温度中心也随之移动,最高温度可达母材的熔点;在每一道焊接结束后,温度迅速下降,越接近层间温度,降温所用的时间也越长。焊后残余应力主要分布在焊缝附近,管体其他部位应力很小,只有几十兆帕;最大残余应力在焊缝壁厚的中心位置,其值为592 MPa,应力值较大,建议采用相关热处理技术来消除焊缝处的残余应力。     

碳化硅浇注料在1000℃空气和水蒸气中的高温氧化行为

利用扫描电镜、X射线衍射仪等对碳化硅浇注料在1000℃静态空气和纯水蒸气(参照ASTM C863—2000)中分别保温50、100、150 h的高温氧化行为进行了研究.结果表明:1)纯水蒸气氧化条件下,碳化硅浇注料的质量变化率和体积变化率均明显大于静态空气条件下的.2)和空气相比,水蒸气氧化对碳化硅浇注料的结构破坏更严...     

金属铬粉对致密氧化铬材料烧结性能的影响

以Cr2O3微粉、TiO2微粉、金属铬粉为原料,聚乙烯醇(PVA)为结合剂,经喷雾造粒、冷等静压成型后,采用标准氮气和氧气的混合气体控制气氛,其氧分压分别控制在1 010、10.1 Pa,1 450 ℃保温3 h烧成,研究了金属铬粉加入量(其质量分数分别为0、0.5%、1.0%、1.5%和2.0%)对致密氧化铬材料烧结性能的影响.结果表明:添加0.5%的金属铬粉可明显降低试样内部氧分压,且由于此时氧化反应引起的膨胀小,致密氧化铬材料在1 010和10.1 Pa的较高氧分压下即可实现致密化烧结;致密氧化铬材料中引入的金属铬粉不宜过多,否则金属铬粉氧化发生的膨胀反应会导致材料的性能下降.     

应用统计信号处理和模糊数学的图像融合算法

针对多传感器图像在像素级上的融合问题,将模糊数学理论引入到图像融合模型。该模型假定理想的融合后的图像包含场景所有的信息;将它乘上一个模糊因子,再加上随机噪声,可用来描述某一个成像传感器中获得的场景图像;不同的传感器对应不同的模糊因子和噪声。在此基础上,提出了建立在非多尺度分解框架下的图像融合算法。它以各传感器获取的图像作为输入条件,应用统计信号处理中的EM算法,求出针对不同传感器的噪声参数和模糊因子,通过迭代估计出融合的图像。实验结果显示,该算法获得的融合图像的互信息和联合熵分别达到3．5079和24．732,均优于加权平均融合法、小波融合算法和Laplacian融合算法的融合质量。     

恒星视位置的长期计算法

提出了一种不用查表就可实现恒星视位置长期计算方法,即基于球面天文学和天体力学的基本理论,通过对影响恒星视位置的各种因素的误差模型分析,并对ＦＫ４星表的历元平位置经过误差修正而得到恒星视位置,本算法可长期使用,使天文自动定位简单快捷,作者还对导航常用６１颗恒星的视位置进行了计算并与航海天文历进行了比较,结果证明完全能满足航海天文定位的精度要求。     

Te/Cu/Ni热处理对CdTe太阳电池的影响

在CdTe太阳电池的制备中,采用工艺简单的Te/Cu/Ni结构作为接触来改善CdTe太阳电池的接触特性.采用不同的温度组合对这种结构的CdTe太阳电池进行退火处理.通过热处理前后电池的性能参数变化和暗态I～V、C～V曲线分析了Te/Cu/Ni接触对器件性能的影响.通过分析可以认为Te/Cu/Ni接触的热处理对CdTe太阳电池的性能有重要影响.当Cu退火温度较低时(130 ℃,160 ℃),Te/Cu/Ni的再处理能够显著提高电池效率,使电池最终效率高于Cu高温退火的电池.而Cu退火温度较高时(190 ℃),Te/Cu/Ni的再处理使器件性能变差,且Te/Cu/Ni热处理温度越高,电池性能下降越厉害.实验证明Te/Cu/Ni结构作为CdTe太阳电池的背接触经过合适热处理可能改善电池性能,而且工艺比较简单.     

接触电阻技术研究新进展

从肖特基势垒高度、有效掺杂浓度和有效质量的优化和控制等方面,对接触电阻的最新技术进行了详细的总结。首先,分析了插入界面层的金属-绝缘体-半导体接触结构、界面钝化、杂质分凝技术对于降低肖特基势垒高度的效果。其次,讨论了原位掺杂、固相外延、低温离子注入以及激光退火技术对于提高源/漏掺杂浓度的作用。然后,介绍了通过控制SiGe材料的有效质量来优化接触电阻的技术。最后,通过结合原位掺杂、激光退火和固相外延等先进技术,实现了与CMOS工艺兼容的接触电阻优化集成,满足7/5 nm技术节点的需要。     

连续油管TIG焊接热影响区组织及性能热模拟分析

采用热模拟技术、显微分析方法和力学性能测试等手段,对连续油管用粒状贝氏体钢在TIG焊接过程中,接头热影响区不同部位的微观组织和宏观力学性能进行分析。与此同时,热影响区与母材组织及力学性能的对比表明,在接头热影响区中,过热粗晶区以长条状铁素体组织为主,冲击功相对较高。正火区和不完全正火区组织以多边形铁素体为主,晶粒之间晶界清晰,块状铁素体之间为片状和粒状珠光体组织,冲击功较低;回火区没有发生明显相变,晶粒尺寸比母材略有增加,组织发生了微小的回复再结晶,材料的冲击功有所回复。     

CdxTe薄膜的共蒸发法制备及其表征

采用CdTe和Te双源共蒸发的方法, 调控CdTe和Te源的蒸发速率, 首次制备出一系列不同x组分的Cd_xTe二元化合物薄膜, 并在N₂气气氛下进行185℃退火处理。通过XRD、SEM、紫外-可见吸收光谱分析及暗电导率-温度关系对Cd_xTe薄膜的结构、形貌、光学和电学性质进行表征。紫外-可见吸收光谱分析表明, 不同x组分的Cd_xTe薄膜, 其禁带宽度可在0.99~1.46 eV之间变化, 随着x值从0.8减小到0.2, 吸收边向长波方向移动, 而且透过率也显著下降。XRD结果表明, x值小于0.6时, 刚沉积的Cd_xTe薄膜为非晶相; 随着x的值逐渐靠近1, 刚沉积的薄膜明显结晶, 沿CdTe(111)方向择优生长, 退火处理促使薄膜从非晶转变为多晶。Cd_xTe薄膜的导电类型为p型, 其暗电导率随温度的上升而增大, 当温度继续升高至临界点时, 薄膜暗电导率-温度关系出现反常。这些结果表明, Cd_xTe薄膜将有望用于CdTe薄膜太阳电池以拓展电池的长波光谱响应。