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以玻璃为衬底,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在360℃附近实现ZnO薄膜的生长.利用ZnO为有源层制备底栅型薄膜晶体管.SiO2 被用作栅绝缘材料以有效的抑制漏泄电流的产生,达到氧化锌薄膜晶体管 (ZnO-TFT) 成功运作目的.ZnO-TFT 的电流开关(on/off)比达到104以上.ZnO-TFT 在可见光区平均光透过率大约为80%.以上表明利用ZnO 替代传统 Si 材料作有源层材料制备透明薄膜晶体管是可能的. 相似文献
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提出了一种测试扭曲角和光延迟的新方法。该方法属于单波长测试法,具有3个特点:利用具有特殊摩擦方向(一个基板平行摩擦,另一基板环形摩擦)的液晶盒(CH-LC)作为偏振转换器件;利用扇形可变光阑和光探测器,一次性测得偏振方向从0到任意角度连续变化的线偏光通过被测液晶盒后的光强和;采用求光强比的方法消除了由于测试中仪器的吸收对光强的影响。扭曲角和光延迟作为拟合参数利用琼斯矩阵推导出的拟合方程用matlab进行曲线拟合求参数得到。实验证明采用该方法测得结果准确,操作简单快速,实验设备经济。 相似文献
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Ni金属诱导晶化非晶硅(a-Si:H)薄膜 总被引:1,自引:1,他引:0
对在氢化非晶硅薄膜(a-Si:H)上溅射金属Ni的样品进行金属诱导晶化(MIC)/金属诱导横向晶化(MILC),制备多晶硅薄膜(p-Si)的上艺及薄膜特性进行了研究。XRD测最结果表明非晶硅在500℃退火1h后就已经全部晶化。金属诱导晶化的优选晶向为(220).而且晶粒随退火时间的延长而长大。非晶硅薄膜样品500℃下退火6h后的扫描电镜照片显示,原金属镍覆盖区非晶硅全部晶化.晶粒均匀.平均晶粒大小约为0.3μm,而且已经发生横向晶化。EDS测试Ni在晶化的非晶硅薄膜中的原子百分含量分析表明,金属Ni在MILC过程中的作用只是催化晶化.除了少量残留在MILC多晶硅中外.其余的Ni原子都迁移至晶化的前沿。500℃下退火20h后样品的Raman测试结果也表明.金属离子向周边薄膜扩散.横向晶化了非晶硅薄膜。 相似文献
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分析了a—Si:H—TFT阈值电压漂移的机理,即分析了栅偏应力下电荷注入到SiNx:H栅绝缘层和a—Si:H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移的影响。根据非晶硅中亚稳态产生的特点,并针对驱动OLED的两管a—Si:H—TFT像素电路,提出了一种通过对数据信号时序的重新设计来补偿周值电压漂移的方法,即在数据信号间加插一个与数据信号极性相反的补偿信号。通过这种正负交替的信号,使驱动管TFT中由亚稳态造成的阈值电压漂移始终保持在一个动态平衡的过程,来实现驱动OLED电流稳定的目的。 相似文献
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驱动控制电路是展示显示屏优良特性的重要部分,可编程逻辑器件FPGA具有功能灵活性,适合于高性能的视频和图像应用。文章利用液晶驱动芯片,模拟视频解码芯片和Altera公司的低成本CycloneFPGA器件,设计了一种新的针对13.2cm(5.2in)(320×3×240)彩色有源OLED屏的视频显示驱动控制系统,可以实现各子像素64级灰度显示。详细介绍了系统组成和FPGA各逻辑模块工作原理,并在QuartusⅡ软件开发环境下对各模块进行设计和仿真,仿真结果表明该系统可以实现彩色AMOLED屏的驱动控制。由于FPGA的可编程特性,可方便地设计用于更高分辨率显示屏的驱动控制电路。该系统可作为一种测试OLED显示屏特性的平台。 相似文献